TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計,其中空間是關(guān)鍵考慮因素。
該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),最小輸出電容僅為 20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。
*附件:tps51200a-q1.pdf
此外,該器件還提供開漏PGOOD信號來監(jiān)控輸出調(diào)節(jié),以及一個EN信號,可用于在DDR應(yīng)用的S3(掛起到RAM)期間放電VTT。
該器件采用熱效率高的VSON-10封裝,額定為綠色和無鉛。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
特性
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
- 器件溫度等級 1:–40°C ≤ T
一個≤ 125°C - 設(shè)備 HBM ESD 分類 2 級
- 設(shè)備 CDM ESD 分類級別 C4B
- 器件溫度等級 1:–40°C ≤ T
- 擴展可靠性測試
- 輸入電壓:支持2.5V電源軌和3.3V電源軌
- VLDOIN 電壓范圍:1.1 V 至 3.5 V
- 灌電流和源端接穩(wěn)壓器包括壓降補償
- 存儲器終端應(yīng)用 (DDR) 的最小輸出電容要求為 20μF(通常為 3 × 10μF MLCC)
- PGOOD監(jiān)控輸出調(diào)節(jié)
- EN 輸入
- REFIN輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤
- 遙感 (VOSNS)
- ±10mA 緩沖基準(zhǔn)電壓源 (REFOUT)
- 內(nèi)置軟啟動、UVLO 和 OCL
- 熱關(guān)斷
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規(guī)范;支持 DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應(yīng)用
- VSON-10 封裝,帶裸露導(dǎo)熱墊
參數(shù)
方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS51200A-Q1 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的雙數(shù)據(jù)速率(DDR)終端穩(wěn)壓器,支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4的VTT總線終端需求。其主要特點包括:
- ?AEC-Q100認證?:適用于-40°C至125°C工作溫度范圍,符合汽車級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。
- ?寬輸入電壓范圍?:支持2.5V和3.3V電源軌,VLDOIN電壓范圍為1.1V至3.5V。
- ?高效能設(shè)計?:集成源/吸電流功能,支持遠程電壓檢測(VOSNS),最小輸出電容僅需20μF(典型值為3×10μF MLCC電容)。
- ?保護功能?:內(nèi)置軟啟動、欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCL)及熱關(guān)斷。
?2. 關(guān)鍵特性?
- ?電源管理?:
- 輸入電壓(VIN):2.375V至3.5V
- 輸出電流能力:±2A(瞬態(tài))
- 低靜態(tài)電流:典型值1mA(無負載時)
- ?參考電壓?:
- REFOUT引腳提供±10mA緩沖參考電壓,支持靈活跟蹤(通過REFIN引腳)。
- ?封裝?:VSON-10(3mm×3mm)帶裸露散熱焊盤,優(yōu)化熱性能。
?3. 典型應(yīng)用?
- ?內(nèi)存終端穩(wěn)壓器?:適用于筆記本、臺式機、服務(wù)器及通信設(shè)備(如基站、LCD-TV等)。
- ?設(shè)計示例?:
- DDR2配置:1.8V核心電壓,0.9V VTT輸出。
- DDR3配置:1.5V核心電壓,0.75V VTT輸出。
- 支持跟蹤啟動/關(guān)斷模式,滿足JEDEC規(guī)范要求。
?4. 設(shè)計要點?
- ?布局建議?:
- 輸入/輸出電容需靠近引腳放置,減少ESR/ESL影響。
- 熱焊盤需通過多通孔連接至接地層以增強散熱。
- ?熱管理?:
- 最大功耗受限于封裝熱阻(RθJA=55.7°C/W),需確保環(huán)境溫度不超過125°C。
?5. 文檔支持?
- 提供詳細的電氣特性表、典型應(yīng)用電路及布局示例(如TPS51200-EVM用戶指南)。
- 修訂歷史記錄文檔更新狀態(tài)(如從Advance Information升級為Production Data)。
?總結(jié)?:TPS51200A-Q1是一款高可靠性、小封裝的DDR終端穩(wěn)壓器,適用于汽車和工業(yè)場景,兼具高性能與低功耗特性,并通過優(yōu)化布局和熱設(shè)計滿足嚴(yán)苛環(huán)境需求。
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