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LMKDB1104 用于 PCIe Gen 1 至 Gen 7 的 4 輸出 LP-HCSL 時(shí)鐘緩沖器技術(shù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-09-10 14:41 ? 次閱讀
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LMKDB 器件是一系列極低抖動(dòng)的 LP-HCSL 緩沖器,支持 PCIe Gen 1 至 Gen 7,并且符合 DB2000QL 標(biāo)準(zhǔn)。這些器件提供靈活的上電順序、故障安全輸入、故障安全輸出、單獨(dú)的輸出有源和非有源引腳、輸入信號(hào)丟失 (LOS) 檢測(cè)和自動(dòng)輸出禁用功能,以及出色的電源噪聲抑制性能。

支持 1.8V 和 3.3V 電源電壓。LMKDB1120,與 3.3V 相比,1.8V 電源可節(jié)省 250mW 功率。
*附件:lmkdb1104.pdf

特性

  • LP-HCSL 時(shí)鐘緩沖器時(shí)鐘多路復(fù)用器,支持:
    • PCIe 第 1 代至第 7 代
    • CC(共時(shí)鐘)和 IR(獨(dú)立參考)PCIe 架構(gòu)
    • 帶或不帶 SSC 的輸入時(shí)鐘
  • 符合DB2000QL標(biāo)準(zhǔn):
    • 所有設(shè)備均符合DB2000QL規(guī)格
    • LMKDB1120與DB2000QL引腳兼容
  • 極低的附加抖動(dòng):
    • 156.25MHz時(shí)最大12kHz至20MHz RMS附加抖動(dòng)為31fs
    • PCIe Gen 4 的最大附加抖動(dòng)為 13fs
    • PCIe Gen 5 的最大附加抖動(dòng)為 5fs
    • PCIe Gen 6 的 3fs 最大附加抖動(dòng)
    • PCIe Gen 7 的 2.1fs 最大附加抖動(dòng)
  • 故障安全輸入
  • 故障安全輸出(僅限LMKDB1120FS、LMKDB1108FS和LMKDB1104FS)
  • 靈活的上電順序
  • 自動(dòng)輸出禁用
  • 單獨(dú)輸出使能
  • SBI(邊帶接口)用于高速輸出啟用或禁用
  • LOS(信號(hào)丟失)輸入檢測(cè)
  • 85Ω 或 100Ω 輸出阻抗
  • 1.8V / 3.3V ± 10% 電源
  • –40°C 至 105°C 環(huán)境溫度

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
LMKDB11xx是德州儀器(TI)推出的超低抖動(dòng)LP-HCSL時(shí)鐘緩沖器家族,支持PCIe Gen 1至Gen 7標(biāo)準(zhǔn),符合DB2000QL規(guī)范。關(guān)鍵特性包括:

  • ?超低抖動(dòng)性能?:Gen 5/6/7的RMS加性抖動(dòng)低至5fs/3fs/2.1fs
  • ?靈活配置?:支持85Ω或100Ω輸出阻抗、1.8V/3.3V雙電壓供電
  • ?故障保護(hù)?:輸入/輸出失效保護(hù)(部分型號(hào)支持輸出失效保護(hù))
  • ?應(yīng)用場(chǎng)景?:高性能計(jì)算、服務(wù)器主板、智能網(wǎng)卡等

?2. 核心功能?

  • ?時(shí)鐘分配?:提供2至20路LP-HCSL輸出(依型號(hào)不同)
  • ?控制接口?:支持SMBus、側(cè)帶接口(SBI)和引腳控制三種模式
  • ?自動(dòng)輸出禁用?:檢測(cè)輸入時(shí)鐘丟失時(shí)自動(dòng)關(guān)閉輸出
  • ?編程特性?:輸出擺幅(600-975mV)、壓擺率(16級(jí)可調(diào))

?3. 關(guān)鍵參數(shù)?

參數(shù)典型值
工作頻率1MHz至400MHz
加性抖動(dòng)(12k-20MHz)31fs @156.25MHz
啟動(dòng)時(shí)間≤0.8ms
電源噪聲抑制>85dBc(10kHz-10MHz)

?4. 封裝選項(xiàng)?

  • ?LMKDB1102?:3×3mm VQFN-20
  • ?LMKDB1104/1108?:4×4mm/5×5mm VQFN
  • ?LMKDB1120?:6×6mm TLGA-80

?5. 設(shè)計(jì)支持?

  • 提供評(píng)估模塊(EVM)和TICS Pro配置工具
  • 布局建議:匹配85Ω/100Ω阻抗,每個(gè)電源引腳配置0.1μF去耦電容

?文檔結(jié)構(gòu)?
包含詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、寄存器映射(支持SMBus編程)、時(shí)序圖、熱性能數(shù)據(jù)及典型應(yīng)用電路。完整數(shù)據(jù)見SNAS855E Rev. August 2025版本。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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