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TPS7A15超低壓差LDO穩(wěn)壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-12 11:43 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS7A15 LDO穩(wěn)壓器提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)和400mA拉電流,具有出色的交流性能(負載和線路瞬態(tài)響應(yīng))。該器件具有0.7V至2.2V輸入電壓范圍和0.5V至2.05V輸出范圍,在整個負載、線路和溫度范圍內(nèi)具有非常高的精度(1%)。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS7A15 LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊.pdf

該器件的主電源路徑通過IN引腳,可連接至電壓至少高于輸出電壓50mV的電源。所有電氣特性(包括出色的輸出電壓容差、瞬態(tài)響應(yīng)和PSRR)均針對輸入電壓(比輸出電壓高100mV)進行規(guī)定,可實現(xiàn)高效率。TPS7A15使用一個為LDO內(nèi)部電路供電的外部較高VBIAS電壓軌,支持很低的輸入電壓。

TPS7A15配備了一個有源下拉電路,用于在輸出處于禁用狀態(tài)時使其快速放電,并提供已知的啟動狀態(tài)

TPS7A15采用超小型0.71mm × 1.0mm 、6凸點DSBGA封裝,設(shè)計用于空間受限的應(yīng)用。

特性

  • 超低輸入電壓范圍:0.7V至2.2V
  • 高效率:
    • 壓差:80mV(最大值,400mA時)
    • 額定VIN = VOUT + 100 mV
  • 出色的負載瞬態(tài)響應(yīng)(20mV,ILOAD 1mA至250mA,10μs)
  • +1%,–1.1%精度(負載、線路、溫度)
  • 高PSRR:84dB(1kHz時)
  • 提供固定輸出電壓:0.5V至2.05V(階躍25mV)
  • VBIAS范圍:2.2V至5.5V
  • 6引腳、1mm x 0.71 mm DSBGA封裝
  • 有源輸出放電

典型應(yīng)用電路

1.png

框圖

2.png

TPS7A15超低壓差LDO穩(wěn)壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

TPS7A15是德州儀器(TI)推出的一款超低輸入電壓、超低壓差的線性穩(wěn)壓器(LDO),具有以下突出特性:

  • ?超寬輸入范圍?:0.7V至2.2V工作電壓
  • ?超低壓差?:400mA負載時僅80mV(最大值)
  • ?高精度?:全溫度范圍內(nèi)±1.1%輸出精度
  • ?雙電源架構(gòu)?:支持VBIAS(2.2-5.5V)輔助供電
  • ?微型封裝?:提供1mm×0.71mm WCSP和2mm×2mm WSON封裝

?典型應(yīng)用場景?:

  • 智能穿戴設(shè)備(手表/耳機)
  • 手機/平板相機模塊
  • 便攜式醫(yī)療設(shè)備
  • SSD固態(tài)硬盤供電

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

2.1 雙電源架構(gòu)設(shè)計

TPS7A15采用創(chuàng)新的雙電源架構(gòu):

  • ?主電源路徑?(IN引腳):支持低至VOUT+50mV的輸入電壓
  • ?偏置電源?(BIAS引腳):為內(nèi)部電路提供獨立供電
  • ?優(yōu)勢?:主路徑可采用高效DC/DC輸出,BIAS接電池,實現(xiàn)最佳能效

2.2 超低壓差性能

在400mA負載時:

  • ?VIN壓差?:典型值31mV(最大值80mV)
  • ?VBIAS壓差?:典型值1V(最大值1.3V)
  • ?效率優(yōu)勢?:VIN僅需比VOUT高100mV即可維持全性能

2.3 動態(tài)響應(yīng)優(yōu)化

  • ?負載瞬態(tài)響應(yīng)?:1mA→250mA階躍僅20mV波動
  • ?PSRR性能?:
    • 1kHz時84dB(3mA負載)
    • 1MHz時仍保持65dB
  • ?快速啟動?:EN使能至95%VOUT僅需200μs

三、引腳功能詳解

? 6引腳配置(WCSP/WSON封裝) ?:

引腳名稱功能描述
OUT輸出需接≥1μF陶瓷電容(推薦2.2μF),布局時盡量靠近引腳
IN輸入需接≥0.75μF陶瓷電容,建議使用2.2μF以上電容優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)
SENSE檢測連接至負載端可消除走線電阻導(dǎo)致的壓降誤差
EN使能高電平有效(≥0.6V),不用時可接IN或BIAS
GND必須良好接地,WSON封裝的熱焊盤需連接至地平面
BIAS偏置建議接0.1μF陶瓷電容,布局時盡量靠近引腳

四、典型應(yīng)用設(shè)計

4.1 電源方案設(shè)計

?推薦參數(shù)?:

  • 輸入電容(CIN):≥2.2μF X7R/X5R陶瓷電容
  • 輸出電容(COUT):≥2.2μF 低ESR陶瓷電容
  • 偏置電容(CBIAS):0.1μF陶瓷電容
  • PCB布局:所有去耦電容需在3mm范圍內(nèi)

4.3 保護功能配置

  • ?電流限制?:450-1100mA可折返式保護
  • ?熱關(guān)斷?:165°C觸發(fā),140°C恢復(fù)
  • ?主動放電?:EN禁用時36Ω下拉電阻(僅P版本)
  • ?UVLO保護?:
    • VIN欠壓鎖定:584-623mV(上升/下降)
    • VBIAS欠壓鎖定:1.15-1.7V(上升/下降)

五、設(shè)計注意事項

  1. ?壓差模式操作?:
    • 當(dāng)VIN < VOUT + VDO時進入壓差模式
    • 此時PSRR和瞬態(tài)性能會下降
    • 恢復(fù)時可能出現(xiàn)輸出電壓過沖
  2. ?啟動時序要求?:
    • VIN/VBIAS/EN可任意順序上電
    • 建議EN最后使能以優(yōu)化啟動特性
  3. ?布局指南?:
    • 采用完整地平面
    • 關(guān)鍵信號遠離高頻干擾源
    • WSON封裝需充分利用熱焊盤
  4. ?電容選擇?:
    • 避免使用Y5V材質(zhì)電容
    • 實際有效容量按標稱值50%計算
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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