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瑞能半導(dǎo)體亮相SEMI-e 2025深圳國際半導(dǎo)體展

瑞能半導(dǎo)體 ? 來源:瑞能半導(dǎo)體 ? 2025-09-12 15:10 ? 次閱讀
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在全球“雙碳”目標與智能出行浪潮的雙重驅(qū)動下,功率半導(dǎo)體正成為新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級的核心引擎。作為專注于功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè),瑞能半導(dǎo)體攜重磅產(chǎn)品,特別是最新一代車規(guī)級SiC技術(shù)解決方案,亮相SEMI-e 2025深圳國際半導(dǎo)體展,旨在為行業(yè)帶來突破性的技術(shù)革新。

展會上,瑞能半導(dǎo)體重點推介的最新一代車規(guī)級SiC MOSFET二極管產(chǎn)品,在轉(zhuǎn)換效率、高溫穩(wěn)定性及長期可靠性方面實現(xiàn)了行業(yè)突破,并已具備規(guī)?;慨a(chǎn)能力。 這意味著瑞能半導(dǎo)體正為國內(nèi)外整車廠商提供更成熟、更具成本競爭力的國產(chǎn)替代方案,推動SiC技術(shù)在新能源汽車市場的快速普及。

展會首日,瑞能半導(dǎo)體大中華區(qū)銷售負責(zé)人David Yu在現(xiàn)場接受了媒體專訪,深入分享公司戰(zhàn)略布局、核心展品技術(shù)亮點及行業(yè)前沿洞察。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)將在新能源汽車和數(shù)據(jù)中心兩大領(lǐng)域迎來重要發(fā)展機遇。在新能源汽車領(lǐng)域,SiC器件憑借其高擊穿電場、高電子遷移率等特性,能夠有效提升功率密度和系統(tǒng)效率,滿足電動汽車對續(xù)航里程和充電速度的持續(xù)提升需求。在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,第三代半導(dǎo)體技術(shù)有助于降低功率損耗,提高能源轉(zhuǎn)換效率,為數(shù)據(jù)中心節(jié)能降耗提供技術(shù)支撐。

為把握這一發(fā)展機遇,瑞能半導(dǎo)體將持續(xù)加大研發(fā)投入,深化與重點客戶的戰(zhàn)略合作,提供定制化解決方案。同時,公司將通過積極參與行業(yè)交流活動,加強技術(shù)推廣,推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

在展會次日舉辦的2025汽車芯片創(chuàng)新與應(yīng)用論壇上,瑞能半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品高級經(jīng)理王越發(fā)表了題為《SiC器件汽車相關(guān)應(yīng)用簡介及瑞能車規(guī)SiC產(chǎn)品介紹》的主題演講。王越深入剖析了碳化硅器件在新能源汽車關(guān)鍵部件中的創(chuàng)新應(yīng)用實踐,詳細介紹了瑞能半導(dǎo)體在車規(guī)級SiC產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)品布局,為與會嘉賓提供了有價值的產(chǎn)業(yè)洞見。

展望未來,瑞能半導(dǎo)體將聚焦技術(shù)創(chuàng)新、市場拓展和智能制造三大戰(zhàn)略方向,重點突破第三代半導(dǎo)體核心技術(shù),持續(xù)提升功率半導(dǎo)體產(chǎn)品性能。公司將以光儲充一體化、數(shù)據(jù)中心及新能源汽車等戰(zhàn)略領(lǐng)域為突破口,打造差異化解決方案。同時,瑞能半導(dǎo)體將深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,攜手上下游合作伙伴共同推動功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級,為全球綠色發(fā)展貢獻中國功率半導(dǎo)體企業(yè)的智慧和力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:瑞能半導(dǎo)體亮相SEMI-e 2025,性能革命一觸即發(fā)

文章出處:【微信號:weensemi,微信公眾號:瑞能半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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