在人工智能、5G通信、高性能計算和自動駕駛技術飛速發(fā)展的今天，芯片已成為推動全球科技進步的核心引擎。然而，在每一顆高端芯片的背后，都離不開一項被稱為“隱形核心”的關鍵材料——ABF膠膜（Ajinomoto Build-up Film）。這種由日本味之素公司幾乎壟斷的環(huán)氧樹脂基絕緣薄膜，雖不為人熟知，卻是實現(xiàn)芯片高密度互聯(lián)、高速傳輸和高可靠性的基礎。它不僅是英特爾、AMD、英偉達等巨頭高端處理器的“標配”，更在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不可替代的角色。

當前，中國正全力推進半導體產(chǎn)業(yè)自主可控戰(zhàn)略，而ABF膠膜作為“卡脖子”環(huán)節(jié)之一，其國產(chǎn)化進程牽動著整個高端封裝領域的命脈。本文將從技術原理、市場與格局、產(chǎn)業(yè)鏈結構、技術壁壘、未來方向及投資邏輯等多個維度，全面剖析ABF膠膜的發(fā)展現(xiàn)狀與國產(chǎn)突圍路徑，旨在為行業(yè)參與者、投資者和政策制定者提供一份深入而系統(tǒng)的參考。

目錄

一、ABF膠膜基本概況：芯片封裝的關鍵“黏合劑”

二、市場分析：千億算力需求催生黃金賽道

三、競爭格局：從味之素全球壟斷到本土破局

四、產(chǎn)業(yè)鏈分析：從材料到終端的全鏈協(xié)同

五、技術分析：揭秘ABF膠膜的“納米級密碼”

六、技術創(chuàng)新與未來展望：三大方向引領行業(yè)變革

八、ABF膜投資邏輯分析

一、ABF膠膜基本概況：

芯片封裝的關鍵“黏合劑”

1、什么是ABF膠膜？

ABF（Ajinomoto Build-up Film）是一種用于半導體封裝積層工藝的關鍵絕緣材料，名字來源于一家生產(chǎn)絕緣材料的日本公司味之素，由英特爾在20世紀90年代末推出，使其開發(fā)了更強大的微處理器。這種材料本質(zhì)上是一種環(huán)氧樹脂基的絕緣薄膜，其絕緣性能優(yōu)異、易于加工、低熱膨脹性，且與銅層結合力強，通過在芯片表面構建多層布線結構，實現(xiàn)高密度互聯(lián)。

ABF膜由支撐介質(zhì)(PET)、ABF樹脂、保護膜三層構成，其中ABF樹脂由三個部分組成：環(huán)氧樹脂體系（提供基本機械性能和絕緣性）、固化劑系統(tǒng)（控制固化過程和提高耐熱性）以及特殊填料（調(diào)節(jié)熱膨脹系數(shù)和改善機械性能）。其中固化劑種類影響ABF樹脂的介電性能、耐熱性能、吸水率等性能。

全球ABF產(chǎn)品由日本味之素(Ajinomoto)壟斷。根據(jù)固化劑不同，味之素ABF產(chǎn)品可分為酚醛樹脂固化型的GX系列(GX-13標準型、GX-92低表面粗糙度型GX-T31低熱膨脹系數(shù)型等)、活性酯固化型的GY系列(GY-11低介電型等)和氰酸酯固化型的GZ系列(GZ-22、GZ-41等高玻璃化轉變溫度型)。

硅微粉等表面改性填料同樣對ABF性能至關重要。從味之素ABF的GX系列到GL系列，隨著硅微粉填料的質(zhì)量分數(shù)從38%增加到72%，熱膨脹系數(shù)、楊氏模量、介電損耗等指標均有所變化，以更好滿足高密度布線、高速傳輸和高善層基板低翹曲的需求。

2、ABF的技術原理與工作機制

ABF膠膜的工作原理基于其獨特的熱固性和介電特性。在封裝過程中，ABF薄膜被放置在芯片表面，通過半加成法SAP（通常是在100-150℃，10-50kgf/cm2的壓力下）使其軟化并完全附著在芯片表面。隨后，通過激光鉆孔或光致成孔技術在薄膜上形成微孔，然后進行化學鍍銅，形成連接芯片與封裝基板的電路通路。

SAP和MSAP的最大區(qū)別在于絕緣介質(zhì)上的種子層。SAP中絕緣介質(zhì)表面的種子層是通過化銅工藝沉積厚度約為1μm、比電解銅疏松的化學銅，而MSAP中絕緣介質(zhì)表面的種子層是和介質(zhì)一起壓合的電解銅箔（厚度為2~3μm）。由于閃蝕藥水的蝕刻選擇性，超薄又疏松的化銅層比電解銅更易去除，更利于實現(xiàn)高密度線路。

但如果種子層與介質(zhì)間的結合力弱，細線路在剝膜、閃蝕及超粗化處理等工藝中經(jīng)過多次有壓力的藥液沖擊，會出現(xiàn)飛線、掉線等不良現(xiàn)象，尤其對于大尺寸基板上長度為幾十毫米的長距精細線路來說，其掉線現(xiàn)象會非常嚴重。所以SAP工藝的核心技術，也是通過使用無銅箔增層介質(zhì)材料實現(xiàn)精細線路的前提條件，即控制化銅層與介質(zhì)材料間的結合力。

側蝕是阻礙實現(xiàn)更小線寬線距的主要因素，嚴重時甚至會導致線路從基材上剝離。在這一過程中，初始薄銅層的厚度至關重要，因為它直接決定了閃蝕過程的反應時長，進而顯著影響側蝕的程度：銅層越薄，閃蝕時間越短，側蝕量則相對越小。

然而，在閃蝕時，由于尖端效應，線路頂部的兩側邊緣會最先接觸并更多地暴露于蝕刻液，導致該處的側蝕更為嚴重，從而使線路截面最終形成不理想的“梯形”。

此外，構成該薄層的化學沉銅本身結構比電鍍銅更為疏松，其抗蝕性較差，這使得線路區(qū)和非線路區(qū)在閃蝕中會同時被攻擊；更重要的是，線路部分的銅層底部沒有保護層，因此極易遭受橫向蝕刻，從而加劇了底部的側蝕現(xiàn)象。

為了得到更細的線寬，除了選擇銅結合力更強的樹脂之外，還可以采用加成工藝。

加成法（Additive process）是直接在含光敏催化劑的絕緣基板上進行選擇性化學沉銅以繪制電路圖，不存在蝕刻（減法）過程，因此不存在側蝕問題，可制作更細的電路。最小線寬線距能力方面，加成法>半加成法>改良型加成法>減成法。

ABF的關鍵技術優(yōu)勢在于其能夠形成極細的電路線路。ABF材料本身光滑平坦，沒有玻璃纖維布，且與銅的結合力強，為SAP/mSAP工藝提供了完美的基底，能夠?qū)崿F(xiàn)線寬/線距小于10μm/10μm的線路，是英特爾、AMD、英偉達等公司高端處理器的標配，目前ABF載板幾乎是SAP/mSAP工藝的代名詞。當前最先進的ABF材料可以實現(xiàn)2μm/2μm的線寬/線距，這相當于人類頭發(fā)直徑的1/30。這種微細加工能力使得現(xiàn)代高性能芯片能夠容納數(shù)萬個I/O接口，滿足大數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?/p>

另外，高端BT載板（如用于手機AP的載板）現(xiàn)已普遍采用mSAP工藝，將線寬/線距從減成法的30μm以上推進到15-20μm的水平。雖然BT材料的Tg高、耐熱性強且可靠性高，但其板材更硬，鉆孔布線不易，因此其難以實現(xiàn)超高密度線路排布；ABF材料具備低熱膨脹系數(shù)、低介電損耗、易于加工精細線路、機械性能良好、耐用性好、導電性好等特性，更適用于制作線寬/線距小、引腳多的超高精密線路封裝基板。

3、ABF應用情況

ABF（Ajinomoto Build-up Film）作為一種革命性的增層絕緣材料，其核心應用圍繞著對高密度互連（HDI）、高頻高速性能及高可靠性有極致要求的先進封裝領域。它通過實現(xiàn)10μm以下的極細線路，成為了支撐摩爾定律延續(xù)的關鍵使能技術之一。

ABF主要應用于構建高端芯片與封裝基板之間的精密電路網(wǎng)絡，其應用范圍從高性能計算（HPC）領域的CPU、GPU、AI加速器，到5G通信基站和終端芯片，再到自動駕駛汽車電子以及高端消費電子（如游戲機）等。

本質(zhì)上，ABF是高端半導體封裝產(chǎn)業(yè)的基石，任何需要處理海量數(shù)據(jù)、進行高速運算的現(xiàn)代電子系統(tǒng)都離不開它。

ABF的應用高度集中于科技發(fā)展的核心賽道。高性能計算是其最大需求來源，驅(qū)動著ABF技術向更細線寬、更低損耗發(fā)展；5G通信和汽車電子則是未來增長最快的潛力市場，對材料在特殊環(huán)境下的可靠性提出了更高要求。

4、ABF與其他封裝材料的比較

與傳統(tǒng)的封裝材料如BT（Bismaleimide Triazine）樹脂、FR-4等相比，ABF具有明顯優(yōu)勢：

這些性能優(yōu)勢使ABF成為高端芯片封裝的首選材料，特別是在需要高速度、高頻率和高I/O數(shù)量的應用中。

二、市場分析：

千億算力需求催生黃金賽道

1、封裝基板市場規(guī)模

根據(jù)Prismark預測，2024年全球IC封裝基板市場整體規(guī)模將達到960.98億 元，到2028年規(guī)模將達到1,350.32億元，2024年至2028年之間的復合年均增長率將達到8.8%。

根據(jù)Prismark和中國臺灣電路板協(xié)會數(shù)據(jù)及推算，2021-2023年全球區(qū)域市場結構保持相對穩(wěn)定。假設全球IC封裝基板區(qū)域市場結構在2023-2028年持續(xù)保持穩(wěn)定，以2023年IC封裝基板各區(qū)域市場規(guī)模為基準并結合Prismark預測數(shù)據(jù)，預測2024-2028年各區(qū)域市場空間如下：

2024年中國大陸與中國臺灣市場規(guī)模預計將達到196.61億元和264.04億 元，預計到2028年將增長至276.26億元和371.02億元。

根據(jù)Prismark預測，2024年全球存儲芯片封裝基板市場規(guī)模預計增長至134.89億元，2028年預計增長至189.54億元；2024年全球邏輯芯片封裝基板市 場規(guī)模預計增長至394.25億元，2028年預計增長至553.98億元；2024年全球通信芯片封裝基板市場規(guī)模預計增長至309.24億元，2028年預計增長至434.53億元；2024年全球傳感器芯片封裝基板及其他市場規(guī)模預計增長至122.59億元，2028年預計增長至172.26億元。

根據(jù)Prismark預測，2024年中國大陸存儲芯片封裝基板市場規(guī)模預計增長至43.25億元，2028年預計增長至60.78億元；2024年中國大陸邏輯芯片封裝基 板市場規(guī)模預計增長至74.71億元，2028年預計增長至104.98億元；2024年中 國大陸通信芯片封裝基板市場規(guī)模預計增長至47.19億元，2028年預計增長至66.30億元；2024年中國大陸傳感器芯片封裝基板及其他市場規(guī)模預計增長至31.46億元，2028年預計增長至44.20億元。

根據(jù)Prismark預測，2024年中國臺灣存儲芯片封裝基板市場規(guī)模預計增長至7.92億元，2028年預計增長至11.13億元；2024年中國臺灣邏輯芯片封裝基 板市場規(guī)模預計增長至187.47億元，2028年預計增長至263.42億元；2024年中國臺灣通信芯片封裝基板市場規(guī)模預計增長至52.81億元，2028年預計增長至74.20億元；2024年中國臺灣傳感器芯片封裝基板及其他市場規(guī)模預計增長至15.84億元，2028年預計增長至22.26億元。

綜上，2024-2028年預計全球、中國大陸及中國臺灣存儲芯片封裝基板、邏輯芯片封裝基板、通信芯片封裝基板和傳感器芯片封裝基板的未來市場空間將會 不斷擴大。

2、ABF封裝基板市場分析

全球FC-BGA封裝基板市場規(guī)模約507.37億元，占比為53.70%，F(xiàn)C-CSP封裝基板市場規(guī)模約151.17億元，占比為16.00%，WB-CSP/BGA封裝基板市場規(guī)模約286.28億元，占比為30.30%。

根據(jù)中國臺灣電路板協(xié)會數(shù)據(jù)，2023年全球IC封裝基板的市場總規(guī)模為944.83億元，其中，BT類IC封裝基板市場規(guī)模為437.71億元，ABF類IC封裝基板市場規(guī)模為507.12億元。

3、ABF膜市場分析

2023年全球ABF膜市場規(guī)模約為4.71億美元，預計到2029年將達到6.85億美元。這一增長主要由以下因素驅(qū)動：

高性能計算需求爆發(fā)：人工智能、機器學習、大數(shù)據(jù)分析等應用對計算能力的需求呈指數(shù)級增長?，F(xiàn)代AI芯片通常包含數(shù)百億個晶體管，需要極其復雜的互連結構，這直接推動了ABF膜的需求。

5G通信普及：5G技術不僅需要更強大的基站處理器，還推動了智能手機SoC的升級。5G芯片的復雜程度遠超4G時代，對封裝技術提出了更高要求。

云計算基礎設施投資：全球云計算巨頭持續(xù)擴大數(shù)據(jù)中心規(guī)模，服務器CPU、GPU、DPU等芯片的需求穩(wěn)步增長。這些高性能芯片幾乎全部采用基于ABF的FC-BGA封裝。

汽車電子化浪潮：電動汽車和自動駕駛技術需要大量高性能計算芯片。車規(guī)級芯片對可靠性的要求極高，ABF的穩(wěn)定性能滿足汽車電子的苛刻標準。

三、競爭格局：

從味之素全球壟斷到本土破局

1、ABF膜競爭格局

ABF膜的核心生產(chǎn)商是日本味之素，其市場占有率高達95%以上，幾乎形成了壟斷。其他少數(shù)日本公司（如積水化學、太陽油墨）和個別中國臺灣公司（晶化科技）、中國大陸公司（武漢三選科技、廣東伊帕思新材料、廣東生益科技、西安天和防務、浙江華正新材、深圳紐菲斯新材料）也在嘗試進入或少量生產(chǎn)類似產(chǎn)品，但市場影響力遠不及味之素。

全球ABF膜的生產(chǎn)和供應高度集中在日本，這也促使其他國家和地區(qū)尋求國產(chǎn)替代方案以保障供應鏈安全。

味之素公司在ABF膜的壟斷地位并非偶然，它是建立在多重技術護城河之上：

專利壁壘：味之素擁有覆蓋ABF材料組成、制備工藝、應用方法等各個環(huán)節(jié)的專利網(wǎng)絡。這些專利不僅數(shù)量龐大（全球超過200項核心專利），而且設計精巧，形成了難以繞過的保護網(wǎng)。

技術know-how：ABF生產(chǎn)涉及大量隱性知識（tacit knowledge），這些知識難以通過專利文件完全體現(xiàn)，而是蘊藏在工程師的經(jīng)驗中。味之素經(jīng)過二十多年的技術積累，形成了深厚的知識體系。

客戶認證壁壘：半導體行業(yè)對材料供應商的認證極其嚴格，從樣品測試到大規(guī)模采購通常需要2-3年時間。一旦進入供應鏈，客戶不會輕易更換供應商，因為材料變更可能導致整個生產(chǎn)工藝需要重新驗證。

規(guī)模經(jīng)濟效應：味之素的大規(guī)模生產(chǎn)使其能夠降低單位成本，新進入者很難在成本和價格上與之競爭。

2、ABF膜材廠商對比分析(國內(nèi)外)

部分國內(nèi)廠商

（1）廣東伊帕思新材料

廣東伊帕思新材料有限公司是一家專注于集成電路基材及AI高速傳輸基材研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)。公司主要產(chǎn)品包括應用于覆銅板、半導體封裝、航空航天等領域的BT基板材料和封裝膠膜、AI高速傳輸基材等。伊帕思新材料致力于為客戶提供定制化的材料解決方案，其產(chǎn)品已逐步通過國內(nèi)一些重要電子元器件和先進封裝廠商的驗證，并開始在特定細分市場嶄露頭角，積極開拓國內(nèi)外市場。

（2）廣東生益科技

廣東生益科技股份有限公司是中國大陸領先的覆銅板制造商，也是全球覆銅板行業(yè)內(nèi)極具影響力的企業(yè)。公司提供全系列覆銅板產(chǎn)品，包括FR-4、CEM系列、高頻高速板、封裝基板以及半固化片等，廣泛應用于5G通訊、服務器與數(shù)據(jù)中心、汽車電子、消費電子和航空航天等領域。

生益科技的產(chǎn)品憑借其卓越的品質(zhì)和穩(wěn)定性，獲得了華為、中興通訊、浪潮信息、富士康等國內(nèi)外眾多頂級電子制造服務商和終端品牌的高度認可，其在全球市場占有率和品牌影響力持續(xù)領先。

（3）浙江華正新材料

浙江華正新材料股份有限公司是一家專業(yè)從事覆銅板、功能性復合材料、熱界面材料及膜材料等產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術企業(yè)。其主要產(chǎn)品包括高頻高速覆銅板、IC封裝基板、汽車雷達用覆銅板、導熱材料以及特種復合材料等，廣泛應用于5G通信、數(shù)據(jù)中心、人工智能、新能源汽車和半導體封裝等前沿領域。

華正新材的產(chǎn)品已成功進入多家國內(nèi)外知名通訊設備商、服務器制造商、汽車零部件供應商以及半導體封測企業(yè)的供應鏈，憑借持續(xù)的技術創(chuàng)新和穩(wěn)定的產(chǎn)品性能，市場份額穩(wěn)步提升。

（4）深圳紐菲斯新材料

深圳紐菲斯新材料有限公司專注于半導體封裝材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。該公司的戰(zhàn)略核心是推動IC基板材料，特別是包括類ABF膜（Ajinomoto Build-up Film的替代品）在內(nèi)的高端封裝材料的國產(chǎn)化。旨在整合各方資源優(yōu)勢，加速技術突破和產(chǎn)品迭代，以滿足國內(nèi)快速發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)對核心封裝材料的需求。

目前，公司正積極進行產(chǎn)品開發(fā)、客戶送樣驗證及產(chǎn)能建設，力求在高端半導體封裝材料市場實現(xiàn)突破，并逐步獲得國內(nèi)主要芯片設計和封測企業(yè)的認可。

3、IC封裝基板競爭格局

根據(jù)中國臺灣電路板協(xié)會統(tǒng)計，中國臺灣、韓國與日本的IC封裝基板廠商產(chǎn)值占整體產(chǎn)值的比例超過85%。其中，中國臺灣IC封裝基板廠商為全球最大IC封裝基板供應者，約占整體產(chǎn)值的32.80%。中國大陸內(nèi)資自主品牌IC封裝基 板廠商約占整體產(chǎn)值的3.43%。

根據(jù)中國臺灣電路板協(xié)會統(tǒng)計，2023年全球前十大封裝基板供應商及市占 率分別為：欣興電子（16.00%）、三星電機（9.90%）、揖斐電（9.30%）、AT&S（9.10%）、南亞電路（8.70%）、新光電氣（7.60%）、LG Innotek（6.60%）、京瓷 集團（5.20%）、景碩科技（4.80%）以及信泰電子（4.60%）。

根據(jù)中國臺灣電路板協(xié)會統(tǒng)計，全球BT封裝基板前五大廠商分別為三星電 機（12.80%）、LG Innotek（12.80%）、信泰電子（10.00%）、大德電子（7.10%） 以及欣興電子（6.90%）。

2023年全球IC封裝基板市場前十大廠商合計占據(jù)全球市場份額的80%以上。目前全球IC封裝基板供應商主要來自于中國臺灣、日本和韓國。中國內(nèi) 資IC封裝基板企業(yè)起步較晚，加之國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈在關鍵原材料、高端設備 等方面相對薄弱，導致境內(nèi)IC封裝基板企業(yè)在整體技術水平、工藝制程能力、 產(chǎn)能及市場占有率等方面較境外主要企業(yè)仍有很大差距。

4、ABF封裝基板競爭格局

ABF載板項目技術難度高、投資周期長、行業(yè)進入壁壘高、競爭格局相對固化。

傳統(tǒng)BT載板在2-4層，無法滿足高階運算的層數(shù)需求。當前，ABF載板主流層數(shù)將由10層提升至12-14層。就技術層次來說，欣興可做到32層，景碩14層、南電8-16層，大陸企業(yè)越亞半導體可實現(xiàn)14-20層以上的產(chǎn)品突破。

另外，從線路細密度上，BT載板線路在12微米以上，ABF線路細密度進入6-7微米，在2025年正式進入5微米的競爭；常規(guī)BT載板尺寸基本是幾毫米，AB載板常見的有35mmX35mm、100mmx100mm甚至200X200mm的整合性芯片，多用于AI與高性能運算。中國大陸有深南、越亞、興森、華進等具備小批量生產(chǎn)線寬/線距12/12-15/15μm FCBGA封裝基板的能力，離全球大廠仍有差距。

全球IC載板供給市場上，ABF載板主要被中國臺灣、日本、韓國廠商壟斷。根據(jù)中國臺灣電路板協(xié)會統(tǒng)計，全球ABF封裝基板前五大廠商分別為欣興電子（23.90%）、揖斐電（13.80%）、AT&S（11.80%）、南亞電路（11.40%）以及新光電氣（11.30%）。據(jù)Prismark此前測算，深南電路、安捷利美維、珠海越亞、興森科技四大內(nèi)地基板廠商市場占比僅約為6%。中國大陸廠商的市場份額較小，仍以BT載板為主。在ABF載板等高端產(chǎn)品領域，國產(chǎn)化率極低。

5、ABF基板廠商對比分析(國內(nèi)外)

優(yōu)秀廠商介紹（部分）

（1）深南電路(子公司-廣芯封裝基板)

公司以印制電路板（PCB）、封裝基板和電子裝聯(lián)三大業(yè)務為核心，是國內(nèi)PCB龍頭及封裝基板國產(chǎn)化的核心推動者。

其封裝基板業(yè)務主要通過子公司廣芯封裝基板（包括廣州廣芯和深圳廣芯）運營。廣州廣芯（2021年成立，注冊資本15億元）專注FC-BGA、RF模組等高端基板；深圳廣芯（2022年成立）重點布局BT類基板及FC-CSP產(chǎn)品，共同構建華南地區(qū)封裝基板產(chǎn)能網(wǎng)絡，為全球客戶提供一站式解決方案。

封裝基板類型：公司產(chǎn)品線包括WB-CSP、FC-CSP、Memory-eMMC及RF基板等，并重點突破FC-BGA封裝基板。

其中，廣州廣芯主導的FC-BGA項目采用ABF材料，規(guī)劃年產(chǎn)能2億顆，瞄準高性能計算與AI芯片市場；深圳廣芯則聚焦存儲及處理器芯片類基板，已具備16層以下FC-BGA的批量生產(chǎn)能力。

技術亮點：

——在封裝基板領域具備18-20層FC-BGA樣品制造能力，支持12/12μm的精細線路。

——材料方面，廣州基地率先采用ABF材料生產(chǎn)FC-BGA，突破了高端基板的關鍵技術瓶頸。

——工藝上，通過與深圳廣芯的技術協(xié)同，F(xiàn)C-CSP產(chǎn)品的線寬/焊盤中心距達到行業(yè)領先水平。

——產(chǎn)能方面，廣芯子公司的無錫二期及廣州一期工廠產(chǎn)能正穩(wěn)步提升，推動2024年封裝基板業(yè)務營收同比增長37.5%。

深南電路的封裝基板

（2）興森科技

企業(yè)介紹：深圳市興森快捷電路科技股份有限公司是專注于電子電路領域，圍繞PCB和半導體兩大主線的企業(yè)。公司是PCB樣板、快件和小批量領域的領先者。在半導體業(yè)務方面，興森科技提供半導體測試板和IC封裝基板，并將FCBGA封裝基板作為重要的戰(zhàn)略發(fā)展方向，大力投入。

封裝基板類型：興森科技提供多種IC封裝基板，包括CSP、FC-CSP、SiP、FMC、PBGA以及FCBGA封裝基板。其FCBGA封裝基板涵蓋了BT和ABF兩種材料類型。

技術亮點：

——在技術上具備Tenting減成法、Msap改良半加成法和SAP半加成法等多種工藝能力。

——FCBGA項目，正在進行客戶認證和小批量生產(chǎn)，并規(guī)劃了大規(guī)模的FCBGA產(chǎn)能擴建計劃，目標是滿足CPU、GPU、FPGA、ASIC等高端芯片的應用需求。

——公司在20層以上FCBGA基板的測試工作也在推進中，良率持續(xù)改善。

興森科技的FCBGA封裝基板

（3）越亞半導體

國內(nèi)首批完成FC-BGA載板導入并順利投入量產(chǎn)的公司之一。在廣東珠海和江蘇南通建有生產(chǎn)基地。

封裝基板類型：越亞半導體主要提供IC載板，尤其是FC-BGA封裝載板。此外，其產(chǎn)能規(guī)劃還包括Via Post銅柱法載板和嵌埋封裝載板。

技術亮點：

——采用SAP (Semi-additive process)順序增層技術生產(chǎn)高密度高層數(shù)的FCBGA載板。

——自主研發(fā)的“Via-post銅柱法”專利技術，以電鍍銅柱取代傳統(tǒng)鉆孔實現(xiàn)層間互連，并作為散熱通道和焊接點，enabling Coreless無芯封裝載板的量產(chǎn)，具有高集成度、優(yōu)良散熱性和信號穩(wěn)定性等特點，更能滿足芯片薄型化和微型化需求。

越亞半導體的FCBGA封裝載板

四、產(chǎn)業(yè)鏈分析：

從材料到終端的全鏈協(xié)同

1、上游原材料供應分析

ABF產(chǎn)業(yè)鏈上游相對簡單，但有一些關鍵點值得關注：

環(huán)氧樹脂：ABF使用的主要是溴化環(huán)氧樹脂或磷系阻燃環(huán)氧樹脂，需要具有高純度、高耐熱性和低介電常數(shù)。日本的三菱化學、韓國的國都化學是該領域的主要供應商。

固化劑：主要使用胺類固化劑或酸酐類固化劑，需要精確控制固化速度和固化后的材料性能。味之素在這方面有自主研發(fā)的獨特配方。

填料：通常使用二氧化硅納米顆粒作為填料，用于調(diào)節(jié)熱膨脹系數(shù)和改善機械性能。填料的粒徑、分布和表面處理對最終產(chǎn)品性能有極大影響。

溶劑與其他添加劑：包括稀釋劑、偶聯(lián)劑、流平劑等，雖然用量不大，但對工藝性能和最終產(chǎn)品品質(zhì)有關鍵影響。

上游原材料的質(zhì)量和穩(wěn)定性對ABF性能至關重要，但大部分原材料并不具備稀缺性，真正的壁壘在于味之素獨有的固化劑系統(tǒng)和精密配方，以及如何對填料進行表面處理和粒度控制。

這是“知其然，不知其所以然”的關鍵。

2、中游制造環(huán)節(jié)深度解析

ABF制造過程看似簡單，卻是整個產(chǎn)業(yè)鏈的絕對核心和價值高地，目前被日本味之素公司壟斷（占比超過95%），包含大量精細控制環(huán)節(jié)：

樹脂合成與改性：首先需要合成或改性環(huán)氧樹脂，使其具備所需的分子量和官能團分布。這一過程需要精確控制反應溫度、時間和催化劑用量。

填料處理與分散：納米二氧化硅填料需要進行表面處理，以提高與樹脂的相容性。然后通過高剪切分散設備將填料均勻分散在樹脂體系中，避免團聚。

薄膜涂布工藝：這是ABF制造的核心環(huán)節(jié)。需要將樹脂混合物均勻涂布在離型膜上，控制厚度偏差在±1μm以內(nèi)。涂布過程中需要精確控制張力、溫度和速度。

半固化（B-stage）控制：ABF薄膜需要控制在半固化狀態(tài)，以便在封裝過程中能夠流動并完全固化。這需要精確控制固化度和存儲條件。

分切與包裝：最后將寬幅薄膜分切成所需寬度，并在嚴格控制的環(huán)境條件下包裝，防止吸濕和污染。

每個環(huán)節(jié)都有大量技術訣竅，例如如何避免填料沉降、如何控制薄膜厚度均勻性、如何確保半固化狀態(tài)的穩(wěn)定性等。這些訣竅需要長期實踐才能掌握。

中游環(huán)節(jié)技術訣竅是多維度的，包括材料配方壁壘（樹脂改性、填料處理、添加劑調(diào)配等海量“Know-How”）、工藝制程壁壘（精密涂布（厚度均勻性控制）、固化度控制等）、設備壁壘（非標定制設備，與工藝深度綁定）、認證壁壘（認證周期長達2-3年，壁壘極高）。因此，中游環(huán)節(jié)利潤最高，但也最難突破。

3、下游應用與客戶結構

ABF的下游應用主要集中在高端芯片封裝領域，是資本密集型企業(yè)，包括封裝基板廠、封測代工廠和最終的品牌客戶：

FC-BGA封裝：這是ABF最大的應用領域，主要用于CPU、GPU、FPGA等高性能芯片。英特爾、AMD、英偉達是主要客戶。

FC-CSP封裝：主要用于智能手機SoC和網(wǎng)絡芯片，對薄型化和高密度有更高要求。

2.5D/3D封裝：在先進封裝領域，ABF被用作硅中介層（interposer）的替代方案，提供更低的成本和足夠的性能。

系統(tǒng)級封裝（SiP）：在復雜的多芯片模塊中，ABF用于構建高密度互連結構。

下游客戶對ABF材料的性能、一致性和穩(wěn)定性要求極端苛刻，通常有超過50項技術指標需要滿足，包括介電常數(shù)、損耗因子、熱膨脹系數(shù)、玻璃化轉變溫度、吸濕率、抗剝離強度等。任何一項指標不達標都可能導致封裝失敗。一旦認證通過不會輕易更換供應商，形成了極高的客戶粘性。

此外，最終產(chǎn)品決定了全球?qū)?span style="color:#C00000;">ABF的需求總量和技術方向。

五、技術分析：

揭秘ABF膠膜的“納米級密碼”

1、材料配方：多參數(shù)平衡的藝術

ABF的材料配方是最高層次的技術壁壘，體現(xiàn)在多個方面：

（1）樹脂體系：高性能改性與多性能平衡設計

ABF膠膜采用的并非通用型環(huán)氧樹脂，而是經(jīng)分子結構設計的高性能改性環(huán)氧樹脂體系。需要平衡多種性能：足夠的流動性以確保良好的填充性，適當?shù)恼扯纫钥刂屏鲃泳嚯x，合適的反應活性以控制固化速度。味之素通過分子設計，在環(huán)氧樹脂中引入萘環(huán)、聯(lián)苯等剛性結構，提高耐熱性；引入柔性鏈段，改善韌性。

①主體樹脂選型與純度控制：核心選用高純度雙酚A型環(huán)氧樹脂，關鍵指標需滿足環(huán)氧當量180-190g/eq（確保交聯(lián)密度均勻）、水解氯含量≤50ppm（避免離子遷移導致的線路腐蝕）、金屬雜質(zhì)（Na?、K?、Cl?）總量≤10ppm（降低介電損耗波動）。相較于普通環(huán)氧樹脂，該級別樹脂需通過二次精餾提純，提純收率僅60%-70%，生產(chǎn)成本提升30%以上。

②共聚改性實現(xiàn)性能突破：為滿足高頻高溫封裝需求，需通過氰酸酯（如雙酚A型氰酸酯，BADCy）與馬來酰亞胺（如雙馬來酰亞胺，BMI）對主體樹脂進行共聚改性，形成“環(huán)氧樹脂-氰酸酯-馬來酰亞胺”三元交聯(lián)網(wǎng)絡：

——氰酸酯的三嗪環(huán)結構可降低分子鏈極性，使介電常數(shù)（Dk）從改性前的4.0-4.2降至3.5以下（10GHz測試條件），介電損耗（Df）從0.012-0.015降至0.01以下；

——馬來酰亞胺的雙鍵交聯(lián)可提升樹脂玻璃化轉變溫度（Tg），從改性前的140-150℃提升至180℃以上，熱分解溫度（T5%）從320℃提升至380℃以上，滿足150℃長期使用需求；

——改性過程需精準控制單體摩爾比（環(huán)氧樹脂：氰酸酯：馬來酰亞胺= 61），偏差超±5%即會導致性能失衡——如氰酸酯占比過高會使樹脂脆化（斷裂伸長率＜8%），馬來酰亞胺占比過高則會導致介電性能劣化（Dk＞3.6）。

③反應動力學精準控制：共聚反應需在80-90℃預聚2-3小時、120-130℃后聚1-2小時，反應轉化率需≥98%（通過凝膠滲透色譜GPC測試，未反應單體含量＜2%）。若轉化率不足（＜95%），殘留的氰酸酯與馬來酰亞胺單體易在后續(xù)工藝中揮發(fā)，形成膜層針孔（孔徑＞5μm），或?qū)е陆殡姄p耗升高（Df＞0.01）；而轉化率超99%則會引發(fā)過度交聯(lián)，使樹脂熔體粘度升高（＞5000cP/150℃），喪失填充流動性。這對反應溫度曲線（升溫速率±1℃/min）、催化劑用量（如辛酸鋅，添加量0.05%-0.1%）的控制精度提出極高要求，目前僅日本味之素能實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)中轉化率波動≤1%。

（2）固化劑系統(tǒng)：多組分協(xié)同與工藝適配性調(diào)控

ABF膠膜采用復合固化劑系統(tǒng)，而非單一固化劑，核心目標是在“常溫儲存穩(wěn)定性”與“高溫快速固化”間建立平衡，同時適配FC-BGA封裝的壓合工藝窗口。其技術構成與控制難點如下：

①組分選型與功能分工：系統(tǒng)由主固化劑、潛伏性固化劑、促進劑按31的質(zhì)量比復配而成：

——主固化劑選用咪唑類衍生物（如2-甲基咪唑，2MI），提供基礎交聯(lián)活性，但其常溫反應活性高（25℃下與環(huán)氧樹脂的誘導期＜24小時），需通過潛伏性固化劑抑制；

——潛伏性固化劑采用微膠囊包覆型2-乙基-4-甲基咪唑（2E4MZ），壁材為三聚氰胺-甲醛樹脂，包覆率需≥90%（通過高效液相色譜HPLC測試），常溫下可阻隔主固化劑與樹脂反應（儲存期＞6個月/25℃），120℃以上壁材破裂釋放活性成分，啟動固化反應；

——促進劑選用有機膦化合物（如三苯基膦，TPP），通過降低固化反應活化能（從80kJ/mol降至50-55kJ/mol），調(diào)控固化速度，避免單一固化劑導致的“固化過慢（壓合時間＞40分鐘，影響產(chǎn)能）”或“固化過快（膠膜流動性不足，填充不良）”。

②固化起始溫度精準鎖定：固化起始溫度需嚴格匹配FC-BGA載板壓合工藝窗口（130-140℃），偏差超±5℃即會引發(fā)工藝適配問題：

——起始溫度＜125℃：固化啟動延遲，壓合初期膠膜流動性過剩，導致線路偏移量＞1μm（超出封裝精度要求）；

——起始溫度＞145℃：固化啟動過快，膠膜未充分填充基板間隙（間隙填充率＜95%），形成空洞（空洞率＞3%）；

起始溫度的控制依賴微膠囊壁材厚度（50-100nm）與包覆均勻性（厚度偏差±10nm），國內(nèi)企業(yè)目前僅能實現(xiàn)壁材厚度偏差±20nm，需通過額外添加阻聚劑（如對羥基苯甲醚，HQME，添加量0.03%-0.05%）調(diào)整起始溫度，卻可能導致最終固化度下降（＜92%），影響性能穩(wěn)定性。

③固化速度與工藝節(jié)拍匹配：150℃下的凝膠時間需控制在15-20分鐘，以適配“10分鐘預熱+20分鐘壓合”的標準工藝節(jié)拍：

——凝膠時間＜15分鐘：膠膜在預熱階段即開始固化，壓合時無法流動填充，基板間隙填充率＜90%；

——凝膠時間＞20分鐘：壓合結束后固化未完成，后續(xù)圖形化工藝中易出現(xiàn)膜層變形（變形量＞2μm）；

固化速度通過促進劑濃度動態(tài)調(diào)控——促進劑添加量每增加0.05%，凝膠時間縮短2-3分鐘，但濃度超0.15%會導致固化放熱峰溫度升高（＞180℃），引發(fā)樹脂熱降解（熱失重率＞2%/200℃）。這種精準調(diào)控需基于大量反應動力學實驗（每組實驗周期＞48小時），國內(nèi)企業(yè)平均需3-5輪迭代才能確定最優(yōu)參數(shù)，而日本味之素通過成熟的數(shù)據(jù)庫支撐，可將迭代周期縮短至1輪。

（3）填料技術：微觀形貌與界面改性的雙重壁壘

ABF膠膜的填料并非普通無機粉體，而是經(jīng)精密加工的功能性填料，需同時滿足“熱膨脹系數(shù)匹配”“介電性能無劣化”“界面結合穩(wěn)定”三大要求，其技術難點集中在以下方面：

①球形硅微粉的精準選型：核心填料為高純度球形硅微粉，占膠膜總質(zhì)量的30%-40%，關鍵指標需滿足：

——純度：SiO?含量≥99.99%，雜質(zhì)離子（Al3?、Fe3?、Ca2?）總量≤5ppm（避免離子遷移導致的介電損耗升高）；

——粒徑分布：D10≥1μm、D50=2-3μm、D90≤5μm，粒徑均勻性偏差（D90/D10）≤2.5（避免粒徑過大導致線路短路，或粒徑過小引發(fā)團聚）；

——球形度：≥98%（通過掃描電子顯微鏡SEM統(tǒng)計），球形度不足（＜95%）會增加樹脂熔體粘度（＞3000cP/150℃），降低填充流動性；

該級別硅微粉需通過“熔融-霧化-分級”工藝制備，其中霧化壓力需控制在5-8MPa（確保球形度），分級精度需達±0.5μm（確保粒徑分布），國內(nèi)企業(yè)目前分級精度僅±1μm，需通過多次分級提升純度，收率不足50%。

②表面改性的界面結合控制：為提升硅微粉與樹脂基體的界面結合力，需采用硅烷偶聯(lián)劑（如γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，KH-560）進行表面改性，關鍵控制參數(shù)包括：

——偶聯(lián)劑用量：占硅微粉質(zhì)量的0.8%-1.2%，用量不足（＜0.6%）會導致界面結合力不足（剝離強度＜12N/m），濕熱測試后（85℃/85% RH，1000h）剝離強度損失超40%；用量過多（＞1.5%）則會導致偶聯(lián)劑自聚，形成界面缺陷（缺陷率＞5%）；

——改性溫度與時間：80-90℃下反應2-3小時，溫度偏差超±5℃或時間偏差超±30分鐘，均會導致接枝率波動（接枝率需控制在85%-90%，通過X射線光電子能譜XPS測試）；

改性后需通過離心沉降法測試分散性（沉降速率＜0.5mm/h），分散性不佳會導致膜層介電性能不均（Dk偏差＞0.2），影響信號傳輸穩(wěn)定性。

③功能型填料的協(xié)同應用：針對高功率芯片的散熱需求，需添加氮化硼（h-BN）、氧化鋁（α-Al?O?）等功能型填料，制備高導熱ABF膜（導熱系數(shù)＞1.5W/m?K）：

——氮化硼需經(jīng)超聲剝離（功率300-500W，時間1-2小時）制備納米片（厚度5-10nm，直徑100-200nm），剝離過度會導致片層破碎（直徑＜50nm），喪失導熱通路；剝離不足則會導致團聚（團聚粒徑＞1μm），引發(fā)膜層缺陷；

——氧化鋁需進行羥基改性（接枝率≥70%），與樹脂的相容性需通過粘度測試驗證（添加10%氧化鋁后，樹脂熔體粘度升高≤500cP/150℃）；

兩種填料的混合比例需控制為h-BN:氧化鋁=3:7，比例偏差超±10%會導致導熱系數(shù)波動＞0.2W/m?K，同時需確保介電性能無劣化（Dk＜4.0，Df＜0.012），目前僅日本味之素、積水化學能實現(xiàn)該配比下的性能平衡。

2、制備工藝：微米級精度與動態(tài)控制的工程壁壘

（1）涂布工藝：精密設備與多參數(shù)協(xié)同控制

ABF膠膜的涂布并非簡單的薄膜成型，而是在微米級基材上實現(xiàn)高精度膜層制備，需同時控制“厚度均勻性”“表面粗糙度”“溶劑殘留”三大核心指標，技術難點如下：

①基材與漿料的預處理控制：

基材選用12μm厚PET離型膜，需滿足霧度≤1%（確保膜層表面光潔）、表面張力≥40mN/m（確保漿料附著力）、熱收縮率≤0.5%/150℃（避免后續(xù)工藝變形），國內(nèi)PET離型膜目前熱收縮率僅能控制在≤1%/150℃，需進口日本東麗產(chǎn)品，成本提升20%；

漿料固含量需控制在50%-60%，粘度需控制在2000-3000cP/25℃（通過旋轉粘度計測試），粘度波動超±100cP會導致涂布厚度偏差超±5%，需通過在線粘度監(jiān)測（響應時間≤10s）實時調(diào)整溶劑添加量（溶劑為甲基環(huán)己烷，添加量±1%）。

②涂布精度的設備與參數(shù)控制：

采用狹縫涂布工藝，核心設備為日本東山（Toyo）狹縫涂布機，其模頭加工精度需達Ra≤0.1μm（通過原子力顯微鏡AFM測試），模頭間隙需控制在10-20μm（與濕膜厚度匹配）：

涂布厚度：濕膜厚度5-10μm，干膜厚度2-5μm，厚度公差需控制在±2%，偏差超±3%會導致后續(xù)壓合時膠膜用量不足（厚度過?。┗蚓€路埋入過深（厚度過厚）；

表面粗糙度：干膜表面粗糙度Ra＜50nm，粗糙度超80nm會導致光刻時膠膜與光刻膠附著力不足（附著力等級＞2級，ASTM D3359），顯影后線路邊緣毛糙（毛糙度＞0.5μm）；

涂布速度：5-8m/min，速度波動超±0.1m/min會導致厚度均勻性下降（橫向厚度偏差＞3%），需通過伺服電機控制（轉速精度±0.01r/min）；

國內(nèi)企業(yè)目前采用國產(chǎn)涂布機，模頭加工精度僅Ra≤0.2μm，需通過“多層共擠涂布”技術（3層同步擠出）彌補精度不足，但生產(chǎn)效率降低30%，且橫向厚度偏差仍超±4%。

③溶劑殘留與干燥工藝控制：

干燥過程采用梯度升溫烘箱（5個溫度分區(qū)），溫度曲線需嚴格設定為60℃→80℃→100℃→120℃→140℃，每區(qū)溫度偏差±0.5℃：

低溫區(qū)（60-80℃）：緩慢揮發(fā)50%溶劑，避免快速揮發(fā)形成針孔（針孔率＞0.1%）；

高溫區(qū)（120-140℃）：徹底去除殘留溶劑，溶劑殘留量需≤0.5%（通過熱重分析TGA測試，150℃下失重率≤0.5%）；

烘箱風速需控制在0.5-1m/s，風量500-800m3/h，風速波動超±0.1m/s會導致膜層局部過熱（溫度偏差＞5℃），引發(fā)樹脂提前固化（固化度＞10%），影響后續(xù)壓合性能。

（2）壓合工藝：熱壓參數(shù)與界面結合的精準匹配

ABF膠膜與BT樹脂芯板的壓合并非簡單的貼合，而是在高溫高壓下實現(xiàn)“界面融合-交聯(lián)固化-應力釋放”的協(xié)同過程，需控制“壓力均勻性”“溫度曲線”“真空度”三大關鍵參數(shù)，技術壁壘如下：

①壓合前的預處理要求：

BT樹脂芯板需進行等離子清洗（功率200-300W，時間30-60s），去除表面油污與氧化層（接觸角≤30°），清洗不徹底會導致界面剝離強度＜15N/m；

ABF膠膜需在80℃下預熱30分鐘，消除儲存過程中的內(nèi)應力（內(nèi)應力≤5MPa，通過應力測試儀測試），內(nèi)應力超10MPa會導致壓合后膜層翹曲（翹曲度＞5mm/m）。

②壓合參數(shù)的動態(tài)控制：

采用真空熱壓機（日本富士電機），壓合過程分為預熱、加壓、固化、降溫四個階段：

——預熱階段：升溫速率5℃/min，從室溫升至120℃，保溫10分鐘，預熱不足會導致膠膜流動性延遲，填充不良；預熱過度會導致提前固化，填充能力下降；

——加壓階段：壓力從0MPa升至5-10MPa，升壓速率0.5MPa/min，壓力均勻性需控制在±0.2MPa（通過分區(qū)壓力傳感器測試），壓力分布不均會導致膠膜流動不均，線路偏移量＞1μm；

——固化階段：升溫至150℃，保溫20分鐘，溫度偏差±1℃，固化不足（固化度＜92%）會導致后續(xù)工藝中膜層變形，固化過度（固化度＞98%）會導致膜層脆化；

——降溫階段：降溫速率3℃/min，從150℃降至室溫，降溫過快會導致界面應力集中（應力＞15MPa），引發(fā)分層（分層率＞2%）；

國內(nèi)真空熱壓機目前僅能實現(xiàn)溫度偏差±2℃、壓力均勻性±0.5MPa，需通過延長保溫時間（30分鐘）彌補精度不足，導致生產(chǎn)效率降低50%。

（3）圖形化工藝：精細線路制作的多環(huán)節(jié)協(xié)同

ABF膠膜的圖形化是實現(xiàn)“線路承載”功能的核心步驟，采用半加成法（mSAP），需經(jīng)過“光刻-顯影-電鍍-蝕刻”四個環(huán)節(jié)，每個環(huán)節(jié)均存在微米級精度控制需求，技術難點如下：

①光刻工藝的分辨率控制：

光刻膠選用正性光刻膠（如日本信越SFPR-4000），涂布厚度1-2μm，厚度均勻性±5%，偏差超±10%會導致光刻分辨率下降（從3μm降至5μm）；

曝光采用深紫外光刻（DUV，波長248nm），曝光劑量80-100mJ/cm2，劑量波動超±5mJ/cm2會導致光刻圖形變形（線寬偏差＞0.5μm）；

光刻膠與ABF膜的界面附著力需達劃格法1級（ASTM D3359），附著力不足會導致顯影時圖形脫落（脫落率＞1%），需通過等離子處理（功率100-200W，時間10-20s）提升附著力，處理過度會導致膜層表面降解（表面粗糙度Ra＞100nm）。

②顯影與電鍍的參數(shù)協(xié)同：

顯影采用2.38%四甲基氫氧化銨（TMAH）溶液，溫度23℃±2℃，時間20-30s，顯影殘留率需＜0.5%（通過光學顯微鏡觀察，殘留面積占比≤0.1%），顯影不足會導致后續(xù)電鍍時線路短路，顯影過度會導致圖形過蝕（線寬損失＞0.3μm）；

電鍍采用酸性硫酸銅電鍍液（Cu2?濃度50-60g/L，H?SO?濃度180-200g/L），電流密度1-2A/dm2，電鍍時間15-20分鐘，銅層厚度10-15μm，厚度公差±5%，電流密度波動超±0.1A/dm2會導致銅層厚度偏差超±10%，影響線路導電性（電阻變化率＞5%）。

③蝕刻工藝的精度控制：

蝕刻采用氯化銅蝕刻液（Cu2?濃度150-180g/L，溫度45℃±2℃），蝕刻速率2μm/min±0.1μm/min，蝕刻時間需精準控制（根據(jù)銅層厚度調(diào)整）：

——蝕刻不足會導致殘留銅（殘留率＞0.5%），引發(fā)線路短路；

——蝕刻過度會導致線路側壁侵蝕（側壁垂直度＜85°，通過SEM觀察），影響線路機械強度；

蝕刻液濃度需通過在線監(jiān)測（響應時間≤5s）實時調(diào)整，濃度偏差超±5g/L會導致蝕刻速率波動超±0.2μm/min，國內(nèi)目前僅能實現(xiàn)離線監(jiān)測（間隔30分鐘），蝕刻良率不足80%，而日本企業(yè)通過在線監(jiān)測，良率可達95%以上。

3、性能測試與可靠性驗證：全維度嚴苛標準的壁壘

ABF膠膜的性能測試并非簡單的指標檢測，而是覆蓋“電氣-熱-機械-環(huán)境”全維度的可靠性驗證，需符合IPC、JEDEC等國際標準，測試結果直接決定其能否進入高端封裝供應鏈，技術難點如下：

（1）電氣性能測試：高頻穩(wěn)定性與精準評估

依據(jù)IPC-TM-650 2.5.5.13標準，在23℃±2℃、50% RH±5%環(huán)境下，測試10GHz頻率下的介電常數(shù)（Dk）與介電損耗（Df）：

——通用型ABF膠膜：Dk需＜3.5，Df需＜0.01，且溫度穩(wěn)定性要求（-40℃~125℃范圍內(nèi)，Dk變化率≤5%，Df變化率≤10%），溫度穩(wěn)定性不足會導致芯片信號傳輸衰減量超0.5dB/cm（10GHz），影響通信質(zhì)量；

——高端AI芯片用ABF膠膜：Dk需＜3.2，Df需＜0.008，且時間穩(wěn)定性要求（85℃/85% RH儲存1000小時，Dk變化率≤3%，Df變化率≤5%），時間穩(wěn)定性差會導致芯片長期使用中信號失真率超1%；

測試設備采用美國安捷倫E5071C矢量網(wǎng)絡分析儀，測試精度±0.001（Dk）、±0.0001（Df），設備需每3個月校準一次（校準成本超10萬元），國內(nèi)具備該測試能力的實驗室不足10家，且測試周期超72小時，導致研發(fā)迭代效率降低。

（2）熱性能與機械性能測試：封裝適配性驗證

①熱性能測試：

玻璃化轉變溫度（Tg）：依據(jù)IPC-TM-650 2.4.25標準，采用差示掃描量熱法（DSC）測試，升溫速率10℃/min，Tg需≥180℃，偏差超±5℃會導致高溫封裝時膜層軟化（軟化溫度＜150℃），引發(fā)線路偏移；

熱膨脹系數(shù)（CTE）：依據(jù)IPC-TM-650 2.4.24標準，采用熱機械分析儀（TMA）測試，-55℃~50℃區(qū)間CTE1需≤10ppm/℃，50℃~150℃區(qū)間CTE2需≤16ppm/℃，CTE偏差超±1ppm/℃會導致與硅芯片（CTE≈3ppm/℃）、BT基板（CTE≈14ppm/℃）的熱失配，熱循環(huán)后界面分層率超5%；

熱導率：依據(jù)ASTM D5470標準，采用激光閃射法測試，高導熱型ABF膜熱導率需＞1.5W/m?K，偏差超±0.1W/m?K會導致芯片散熱效率下降10%以上。

②機械性能測試：

剝離強度：依據(jù)IPC-TM-650 2.4.9標準，測試膠膜與BT基板的界面剝離強度，需≥15N/m，濕熱測試后（85℃/85% RH，1000h）保持率≥80%，剝離強度不足會導致封裝后分層（分層率＞3%）；

斷裂伸長率：依據(jù)ASTM D882標準，測試膜層拉伸性能，斷裂伸長率需≥15%，不足8%會導致封裝過程中膜層破裂（破裂率＞2%）；

彎曲性能：依據(jù)IPC-TM-650 2.4.19標準，180°彎曲測試（彎曲半徑1mm），測試后膜層無裂紋（通過偏光顯微鏡觀察），彎曲性能不足會導致載板加工時膜層破損（破損率＞5%）。

（3）環(huán)境可靠性測試：極端條件下的性能保留

①濕熱可靠性測試：依據(jù)IPC-TM-650 2.6.7.2標準，在85℃±2℃、85% RH±5%環(huán)境下放置1000小時，測試后需滿足：

——外觀：無分層、無裂紋、無變色（通過光學顯微鏡與超聲掃描顯微鏡SAM觀察，缺陷直徑≤10μm）；

——電氣性能：Dk變化率≤5%，Df變化率≤10%，線路電阻變化率≤5%；

——機械性能：剝離強度保持率≥80%，斷裂伸長率保持率≥70%；

濕熱測試失敗的主要原因是界面結合不良（偶聯(lián)劑改性不充分）或固化度不足（＜92%），國內(nèi)企業(yè)首次測試通過率不足50%，需通過2-3輪配方優(yōu)化，研發(fā)周期延長6-12個月。

②熱沖擊可靠性測試：依據(jù)IPC-TM-650 2.6.8標準，在- 55℃±3℃（30min）與125℃±3℃（30min）條件下循環(huán)500次，轉換時間≤10s，測試后需滿足：

——微觀結構：無線路斷裂、無填料脫落（通過SEM觀察）；

——電氣性能：線路電阻變化率≤5%，介電性能無劣化；

——機械性能：剝離強度保持率≥70%，無膜層破裂；

熱沖擊測試主要暴露熱膨脹系數(shù)不匹配問題，國內(nèi)企業(yè)目前僅能通過增加填料比例（＞40%）提升CTE匹配性，但會導致斷裂伸長率下降（＜10%），陷入“性能平衡困境”，而日本味之素通過分子設計優(yōu)化，可在填料比例35%時實現(xiàn)CTE2≤15ppm/℃，同時保持斷裂伸長率≥12%。

六、技術創(chuàng)新與未來展望：

三大方向引領行業(yè)變革

1、材料進步：下一代ABF(更低Df、更低CTE、納米填料)

ABF材料的研發(fā)從未停歇，持續(xù)向更高性能、更高可靠性的方向演進，以應對半導體技術發(fā)展的挑戰(zhàn)。主要的創(chuàng)新方向包括：

——超低介電損耗(Ultra-low Df)：為了滿足未來更高速率（如224 Gbps甚至更高SerDes速率）的數(shù)據(jù)傳輸需求，ABF膜的Df值正不斷降低。目前已有目標Df值小于等于0.003的產(chǎn)品（如味之素GL系列），未來將進一步探索更低損耗的樹脂體系和填料技術。

——更低的熱膨脹系數(shù)(Lower CTE)：隨著芯片和封裝尺寸的增大以及基板的薄型化，CTE匹配對于控制翹曲、提高良率和長期可靠性變得愈發(fā)重要。目前先進ABF的CTE已能做到17ppm/℃以下 ，針對PoP等薄型封裝，業(yè)界更在開發(fā)CTE接近1-5ppm/℃的“超低CTE”薄膜 ，以更好地匹配硅芯片。

——納米填料技術(Nano-Fillers)：采用納米級填料（如最大粒徑小于1μm的二氧化硅）是提升ABF綜合性能的重要途徑。納米填料有助于形成更光滑的薄膜表面，有利于精細線路的制作；可以實現(xiàn)更薄的介電層厚度，滿足小型化需求；同時也能改善材料的機械性能和尺寸穩(wěn)定性。采用納米填料的ABF已能支持2/2μm的線寬/線距和小于5μm的微孔 。

——提升導熱性與耐熱性：盡管ABF主要作為絕緣材料，但其導熱性能對于輔助散熱仍有一定作用。通過改進樹脂基體和填料，可以適度提高ABF的導熱系數(shù)和耐熱等級（更高的Tg），以適應更高功率芯片的需求 。

——改善加工性與機械性能：包括提高ABF膜與銅箔的附著力、優(yōu)化其在層壓和鉆孔等工序中的表現(xiàn)、增強其韌性和抗開裂能力等，都是持續(xù)改進的方向 。

2、精細特征能力的演進(線寬/線距、微孔、層厚)

ABF技術的進步直接體現(xiàn)在其支持的圖形化能力的提升上：

——線寬/線距(Line/Space,L/S)：借助先進的半加成法（mSAP）等工藝和低粗糙度ABF表面，可實現(xiàn)的L/S不斷縮小。目前高端應用中已朝向2/2μm甚至更小的目標邁進。對于倒裝芯片封裝，通常需要亞10μm的L/S，而用于先進中介層（interposer）的L/S甚至要求達到≤2μm。

——微孔(Microvias)：激光鉆孔技術的進步使得微孔直徑持續(xù)減小，孔壁質(zhì)量不斷提高。采用納米填料ABF并結合先進鉆孔技術，已能實現(xiàn)直徑小于5μm的微孔，這對于提高布線密度至關重要。

——介電層厚度(Layer Thickness)：為了滿足移動設備等對輕薄化的極致追求，ABF積層的厚度也在不斷減薄。已有報道稱，ABF積層厚度可薄至15μm。

這些精細特征能力的提升，是實現(xiàn)更高I/O密度、更小封裝尺寸和更優(yōu)電氣性能的基礎。

3、與先進封裝的協(xié)同發(fā)展(小芯片、異構集成)

ABF技術的發(fā)展與先進封裝技術的演進密不可分，二者相互促進，協(xié)同發(fā)展。ABF是實現(xiàn)當前主流先進封裝方案（如小芯片（Chiplet）設計、2.5D/3D堆疊封裝（例如臺積電的CoWoS、英特爾的EMIB）、扇出型晶圓級/面板級封裝（FOWLP/FOPLP）以及系統(tǒng)級封裝（SiP））的核心基礎材料 。

小芯片架構的興起，使得不同功能、不同工藝節(jié)點的裸片可以被集成在同一個封裝內(nèi)，這對基板提出了極高的互連密度和信號完整性要求。ABF基板憑借其多層精細布線能力，為這些異構集成的實現(xiàn)提供了平臺。未來ABF的技術路線圖，必將與UCIe等小芯片接口標準以及各種新興封裝架構的需求緊密耦合。

4、潛在顛覆者與替代材料格局

盡管ABF目前在高性能有機封裝基板領域占據(jù)主導地位，但業(yè)界對潛在替代材料的探索從未停止：

——玻璃基板(Glass Core Substrates)：玻璃因其優(yōu)異的剛性、平坦度、尺寸穩(wěn)定性（尤其適用于大尺寸封裝）、低Df值和良好的CTE匹配性（可定制）而受到關注，被認為是下一代封裝基板的有力競爭者，特別是在需要極高密度互連和光集成的領域（如CPO）。然而，玻璃基板的加工（如鉆孔、金屬化）難度較大，成本較高，產(chǎn)業(yè)鏈尚不成熟，短期內(nèi)大規(guī)模取代ABF仍有挑戰(zhàn)。

——性能增強型有機基板材料：除了ABF，業(yè)界也在開發(fā)其他類型的先進有機預浸料（prepreg）和樹脂片材，它們可能在特定性能（如更低的Df或CTE）或成本效益方面提供新的選擇 。例如，一些針對特定應用的FCCSP（倒裝芯片級封裝）方案可以不使用ABF，而是采用其他類型的預浸料基板 。

目前來看，尤其是在對性能和可靠性要求極高的高端應用中，ABF的綜合優(yōu)勢使其地位依然穩(wěn)固。然而，長遠來看，材料科學的進步和封裝技術的演變可能會催生出更具競爭力的新型解決方案。

七、結語：

從“依賴進口”到“自主可控”的突圍戰(zhàn)

ABF膠膜作為半導體封裝領域的關鍵材料，雖然市場規(guī)模不大，但戰(zhàn)略價值極高。目前這個市場被日本味之素公司壟斷，中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨嚴峻挑戰(zhàn)。

然而，隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)格局的變化和中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中國ABF產(chǎn)業(yè)迎來了歷史性機遇。通過科學規(guī)劃、重點突破、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，中國有望在未來5-10年內(nèi)實現(xiàn)ABF技術的突破和產(chǎn)業(yè)化，為國家半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供重要支撐。

ABF產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要耐心和堅持，需要產(chǎn)業(yè)鏈各方的共同努力。相信在不久的將來，中國ABF產(chǎn)業(yè)一定能夠取得突破性進展，為國家半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出重要貢獻。

八、ABF膜投資邏輯分析

1、核心投資主題：高壁壘、高增長、強替代的“黃金賽道”

對一級市場而言，ABF膜賽道并非簡單的材料投資，其核心是押注全球算力革命和先進封裝產(chǎn)業(yè)爆發(fā)的底層基石。投資邏輯建立在三個高度確定的宏觀趨勢之上：

——算力需求爆炸性增長：AI、HPC、5G、自動駕駛驅(qū)動高端芯片需求，其封裝必然依賴ABF材料。

——供應鏈安全與自主可控：地緣政治背景下，ABF作為日企壟斷的“卡脖子”關鍵材料，國產(chǎn)替代已從“可選項”升級為“必選項”，擁有巨大的存量替代和市場增量空間。

——極高的技術壁壘：味之素構筑的“專利+工藝+認證”護城河極深，意味著一旦有企業(yè)實現(xiàn)突破，將能享受長期的技術紅利和定價權，競爭對手難以快速跟進。

2、市場空間與增長動力：百億市場的星辰大海

可觀且快速增長的市場規(guī)模：2023年全球ABF膜市場規(guī)模約4.71億美元，預計到2029年將增長至6.85億美元，年復合增長率（CAGR）保持穩(wěn)健增長。其直接下游的ABF載板（FC-BGA）2023年全球市場規(guī)模已高達507億元。中國是全球最大的半導體消費國和封裝基地，但ABF膜國產(chǎn)化率極低，近乎100%依賴進口。這意味著一個近30億人民幣的存量替代市場，并伴隨中國高端芯片產(chǎn)能擴張而持續(xù)增長。

明確的增長驅(qū)動力：

——AI與HPC：訓練和推理芯片（GPU/ASIC）是ABF膜的最大消耗者，單顆芯片載板面積更大、層數(shù)更多，價值量顯著提升。

——先進封裝：Chiplet（小芯片）異構集成成為趨勢，其2.5D/3D封裝架構極大增加了對ABF載板層數(shù)和互連密度的要求。

——汽車電子：智能駕駛等級提升，域控制器和AI芯片需求爆發(fā)，車規(guī)級認證壁壘高，但一旦通過則需求穩(wěn)定且利潤豐厚。

——5G與高速通信：基站和網(wǎng)絡設備中的處理器、交換芯片持續(xù)升級，需要ABF載板支持高頻高速信號傳輸。

3、投資核心：尋找能夠跨越“三重壁壘”的團隊

ABF膜的投資絕非簡單的產(chǎn)能投資，而是對技術Know-how和產(chǎn)業(yè)化能力的投資。評估一個項目的核心在于其突破以下壁壘的潛力：

（1）技術研發(fā)壁壘（從0到1的突破）：

材料配方能力：是否具備高分子合成與改性（如環(huán)氧-氰酸酯-馬來酰亞胺共聚）、精密填料處理（納米SiO?表面改性、粒徑控制）、復配優(yōu)化（固化劑系統(tǒng)、添加劑）的底層研發(fā)能力和專利布局？團隊背景中是否有頂尖高分子化學、材料科學專家？

工藝工程能力：是否掌握精密涂布（厚度均勻性±2%、低表面粗糙度）、固化控制（B-Stage半固化）、溶劑體系等核心工藝？是否有與設備商聯(lián)合開發(fā)定制化設備的能力？

（2）量產(chǎn)與良率壁壘（從1到100的爬坡）：

一致性控制：實驗室樣品與大規(guī)模生產(chǎn)的天壤之別。能否保證批次間性能穩(wěn)定（Dk/Df值波動、CTE控制）？

良率提升：半導體行業(yè)對缺陷率是“零容忍”。能否將涂布缺陷率、針孔率控制在ppm級別？量產(chǎn)良率能否持續(xù)提升并穩(wěn)定在80%以上（追趕目標）？

成本控制：在研發(fā)和產(chǎn)線投入巨大的情況下，能否通過工藝優(yōu)化降低損耗，最終實現(xiàn)與進口產(chǎn)品有競爭力的成本？

（3）客戶認證與供應鏈壁壘（從100到N的放量）：

認證周期長：從送樣到通過封裝基板廠（如欣興、深南）和芯片設計公司（如海思、壁仞）認證，周期長達2-3年。企業(yè)是否有足夠的資金實力和耐心渡過漫長的“死亡谷”？

生態(tài)協(xié)同：能否與下游客戶共同開發(fā)，根據(jù)其特定需求定制產(chǎn)品？能否進入主流封裝廠和終端品牌的合格供應商清單（AVL）？

供應鏈安全：能否穩(wěn)定獲取高純度原材料（如電子級環(huán)氧樹脂、球形硅微粉）？是否面臨關鍵設備（如日本涂布機）的“卡脖子”風險？

4、投資策略與標的篩選標準

（1）青睞的標的類型：

平臺型技術團隊：核心團隊成員最好兼具材料學界頂尖研發(fā)背景（如知名高校、研究所或味之素等外企研發(fā)部門）和半導體材料產(chǎn)業(yè)界資深量產(chǎn)經(jīng)驗。純學術背景或純銷售背景的團隊風險較高。

產(chǎn)業(yè)資本加持：已獲得下游封裝基板廠、芯片設計公司或大型產(chǎn)業(yè)基金戰(zhàn)略投資的項目更具優(yōu)勢。這不僅是資金支持，更是未來訂單和認證通道的保障。

差異化技術路徑：在完全模仿味之素配方之外，是否有自主創(chuàng)新的專利技術（如新型樹脂體系、填料分散技術）？哪怕只是某個性能參數(shù)的微創(chuàng)新，也可能是切入細分市場的突破口。

（2）關鍵里程碑（Milestone）驗證：

近期：完成實驗室樣品制備，關鍵指標（Dk, Df, Tg, CTE）接近或達到味之素主流產(chǎn)品水平。

中期：建立中試產(chǎn)線，實現(xiàn)小批量穩(wěn)定生產(chǎn)，并向2-3家頭部客戶送樣，獲得初步性能反饋。

遠期：獲得首家重要客戶認證通過，簽訂小批量訂單，并開始規(guī)劃大規(guī)模產(chǎn)線。

5、風險

技術研發(fā)失敗風險：配方或工藝始終無法達到客戶要求，項目停滯。

產(chǎn)業(yè)化不及預期風險：無法解決量產(chǎn)中的良率、成本問題，“紙面技術”無法轉化為“產(chǎn)品”。

認證周期過長風險：資金鏈無法支撐到產(chǎn)品通過認證并產(chǎn)生收入。

市場競爭加劇風險：其他國內(nèi)廠商率先突破，或味之素為阻擊對手發(fā)動價格戰(zhàn)。

下游需求波動風險：全球半導體行業(yè)周期波動，影響短期資本開支和需求。

6、結論與展望

投資ABF膜是一場“硬科技”的長期主義投資，不適合追求短期快錢。其回報在于一旦成功突破，投資標的將不僅是一家材料公司，更是中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的關鍵支柱，價值巨大。

對于一級市場最佳策略是：尋找兼具頂尖化學材料科學家和產(chǎn)業(yè)化老兵的夢幻團隊，在其渡過實驗室階段、需要資金建設中試線并開始客戶送樣的關鍵節(jié)點介入，利用資本力量助其加速跑通從“樣品”到“產(chǎn)品”再到“商品”的死亡谷，最終陪伴其成長為國內(nèi)ABF材料的龍頭，分享國產(chǎn)替代的巨大紅利。當前時間點，正是布局這一“隱形核心”材料的最佳窗口期。