Texas Instruments TPS22950LEVM評估模塊是一款包含TPS22950L負(fù)載開關(guān)器件的雙層PCB。VIN和VOUT連接可處理高連續(xù)電流,并提供進(jìn)出被測器件的低電阻通道。通過測試點(diǎn)連接,TPS22950LEVM可以在用戶定義的測試條件下控制器件,并進(jìn)行準(zhǔn)確的RON測量。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS22950LEVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- V
IN輸入電壓范圍:1.8V至5.5V - 最大連續(xù)開關(guān)工作電流:2.7A
- 低導(dǎo)通電阻 (R
ON) :34mΩ(典型值) - 可調(diào)電流限制和固定快速輸出放電
- 熱關(guān)斷
布局
示意圖
TPS22950LEVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述
Texas Instruments的TPS22950LEVM是一款可調(diào)電流限制負(fù)載開關(guān)評估模塊,基于TPS22950L器件設(shè)計,主要特性包括:
- ?寬輸入電壓范圍?:1.8V至5.5V
- ?高電流能力?:支持最大2A連續(xù)輸出電流
- ?低導(dǎo)通電阻?:典型值僅40mΩ
- ?可調(diào)電流限制?:通過跳線可選擇0.5A或2A限流值
- ?故障指示功能?:提供FLT引腳指示過流狀態(tài)
二、硬件架構(gòu)分析
2.1 核心器件
- ?TPS22950LYBHR?:主控IC,6引腳DSBGA封裝
- ?輸入/輸出電容?:
- C1: 100μF/16V陶瓷電容(1210封裝)
- C2/C5: 10μF/20V陶瓷電容(0805封裝)
- C3: 1μF/16V陶瓷電容(0402封裝)
- C4: 0.1μF/25V陶瓷電容(0603封裝)
2.2 接口配置
- ?電源接口?:
- J1:VIN輸入端子(5mm間距端子塊)
- J2:VOUT輸出端子
- ?控制接口?:
- TP5(ON):使能信號測試點(diǎn)
- TP6(FLT):故障指示測試點(diǎn)
- ?檢測點(diǎn)?:
- TP1(VIN Sense):輸入電壓檢測
- TP2(VOUT Sense):輸出電壓檢測
三、快速配置指南
3.1 基本連接
- ?電源連接?:
- 將直流電源正極接至J1(+)端子,負(fù)極接至J1(-)端子
- 輸入電壓范圍1.8V-5.5V,建議初始設(shè)置為3.3V
- ?負(fù)載連接?:
- 通過J2端子連接負(fù)載設(shè)備
- 最大連續(xù)負(fù)載電流2A
- ?使能控制?:
- 通過JP2跳線選擇ON引腳狀態(tài):
- 位置1-2:高電平使能
- 位置2-3:低電平禁用
- 或通過TP5接入外部控制信號
- 通過JP2跳線選擇ON引腳狀態(tài):
3.2 電流限制設(shè)置
- ?JP3跳線配置?:
- 位置1-2:2A電流限制
- 位置2-3:0.5A電流限制
- ?故障指示?:
- 過流時FLT引腳(TP6)會拉低
- JP1配置FLT上拉電阻(默認(rèn)10kΩ)
四、PCB設(shè)計要點(diǎn)
4.1 布局特點(diǎn)
- ?雙層PCB設(shè)計?:優(yōu)化大電流路徑
- ?寬銅箔走線?:頂層和底層均使用厚銅降低阻抗
- ?測試點(diǎn)布局?:關(guān)鍵信號均提供SMT測試點(diǎn)
4.2 熱管理
- ?主要熱源?:TPS22950L IC
- ?散熱設(shè)計?:
- 充分利用IC底部的散熱焊盤
- 必要時可添加外部散熱片
- 避免長時間滿負(fù)載工作
五、典型應(yīng)用
- ?電源序列控制?:用于多電壓系統(tǒng)的上電順序管理
- ?負(fù)載保護(hù)電路?:防止下游電路過流損壞
- ?電源域隔離?:動態(tài)切斷未使用模塊的供電
- ?熱插拔保護(hù)?:限制插入設(shè)備的浪涌電流
六、設(shè)計注意事項(xiàng)
- ?輸入/輸出電容?:
- 必須使用低ESR陶瓷電容
- 推薦值:輸入≥10μF,輸出≥1μF
- ?電流限制選擇?:
- 根據(jù)負(fù)載特性合理設(shè)置限流值
- 過低的限流可能導(dǎo)致誤觸發(fā)
- ?布局建議?:
- 保持大電流路徑短而寬
- 敏感信號遠(yuǎn)離高頻開關(guān)節(jié)點(diǎn)
-
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