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如何以高精度、高效率和高保護的方式驅動 SiC MOSFET 和 IGBT

海闊天空的專欄 ? 來源:Kenton Williston ? 作者:Kenton Williston ? 2025-10-01 15:13 ? 次閱讀
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作者:Kenton Williston

投稿人:DigiKey 北美編輯

在電動汽車 (EV)、可再生能源以及工業(yè)自動化需求的推動下,電源系統(tǒng)持續(xù)迭代升級。在此背景下,設計人員要在效率、性能與安全性之間取得平衡,面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。雖然絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 等高壓元器件的集成是實現(xiàn)這種平衡的關鍵一步,但這些器件需要能夠提供精確控制、快速切換和強大保護機制的柵極驅動器。

本文探討了與驅動現(xiàn)代電源系統(tǒng)相關的挑戰(zhàn),重點介紹了半橋拓撲。然后,介紹了 [Infineon Technologies] 的柵極驅動器和評估板,這些產(chǎn)品可以幫助克服這些挑戰(zhàn)。

現(xiàn)代半橋拓撲的設計挑戰(zhàn)

隨著行業(yè)朝著更高的開關頻率、更高的電壓和采用寬帶隙 (WBG) 半導體的方向發(fā)展,電源系統(tǒng)面臨著日益嚴峻的挑戰(zhàn)。雖然這些進步提高了效率,但也對柵極驅動器提出了更高的要求。

為說明不斷升級的技術需求,我們以半橋拓撲為例,它在諸多應用里已成為標準配置。半橋電路在電動汽車 DC-DC 車載充電器和電機驅動系統(tǒng)中扮演著舉足輕重的角色。該電路支持雙向功率流,這在正常電機運轉(正向功率流)與再生制動(反向功率流)時都不可或缺。在新型電動汽車平臺向 800V 架構轉變的進程中,對可靠隔離和保護機制的需求愈發(fā)迫切,同時還需維持開關精度。

在可再生能源系統(tǒng)中,半橋設計是實現(xiàn)電網(wǎng)集成所必需的三相逆變器的基礎。SiC MOSFET 和 IGBT 采用的較高開關頻率提升了能源轉換效率,卻也加劇了高壓側與低壓側開關的共模電壓問題,進而引發(fā)嚴重的電磁干擾 (EMI),這不僅影響系統(tǒng)整體性能,還可能導致違反相關監(jiān)管標準。

工業(yè)電機驅動器面臨更多挑戰(zhàn),其中,維持分相電容器布置間直流總線電壓的平衡便是一大難題。此外,當前設計朝著更緊湊、更高功率密度的方向發(fā)展,這無疑加劇了熱管理的復雜性,同時也使電氣噪聲問題愈發(fā)突出。

在所有這些應用中,設計人員急需適配的柵極驅動器解決方案,不僅要具備精準控制、快速開關的能力,還需擁有全面的保護功能,同時,還能在高壓與低壓電路間構建起可靠的隔離屏障。

專為 IGBT 和 MOSFET 打造的雙通道柵極驅動器

Infineon Technologies 的 [EiceDRIVER 2ED314xMC12L]系列(圖 1)采用專門用于控制 IGBT 和 MOSFET 的雙通道設計,來應對這些挑戰(zhàn)。該系列所有產(chǎn)品都設有帶死區(qū)時間控制 (DTC) 的獨立工作通道,這使得 2ED314xMC12L 器件既能充當雙通道低壓側驅動器,也能作為雙通道高壓側驅動器,或是半橋柵極驅動器。

Infineon 2ED314xMC12L 系列示意圖(點擊放大)圖 1:2ED314xMC12L 系列設有帶 DTC 的獨立工作通道,允許器件作為雙通道低壓側驅動器、雙通道高壓側驅動器或半橋柵極驅動器運行。(圖片來源:Infineon Technologies)

在半橋配置中,雙通道架構使得單個柵極驅動器 IC 能夠高效地控制高壓側和低壓側開關。這種高度集成的設計極大地簡化了印刷電路板 (PCB) 的布局,減少了元件的使用數(shù)量,同時支持通道間的匹配時序特性,這對于維持適當?shù)?DTC 和防止擊穿情況至關重要。

2ED314xMC12L 系列的一個主要優(yōu)勢是通過無芯變壓器技術實現(xiàn)電流隔離。這種方法可以實現(xiàn)快速信號傳輸,并且具有極強的抗電磁干擾能力,這在電動汽車等電噪聲環(huán)境中至關重要。

隔離能力通過 UL 1577 標準認證,可承受 6.84 kVRMS 電壓持續(xù) 1 秒,以及 5.7 kVRMS 電壓持續(xù) 1 分鐘。在可再生能源系統(tǒng)等應用中,這種強大的隔離水平對于防范高壓瞬變極為關鍵,在這類應用中,并網(wǎng)逆變器必須能夠耐受公用事業(yè)級電壓浪涌。

高輸出、高精度開關

2ED314xMC12L 系列在多項相關基準測試中表現(xiàn)出色,首當其沖的是其具備 6.5 A 的峰值輸出電流。這一高輸出特性對 SiC MOSFET 尤為有利,因為 SiC MOSFET 需要強柵極驅動信號才能實現(xiàn)高效開關。

另一個關鍵特性是 39 ns 的傳播延遲,這使得精確的時序控制成為可能。對于工業(yè)自動化等應用來說,這是一個重要的考量因素,因為在這些應用中,電機速度和扭矩控制依賴于高精度開關。

極為嚴格的部件間傳播延遲偏移,最大僅為 8 ns,這意味著在使用多個驅動器 IC 時,比如在三相電機驅動器中,各部件之間的時序差異能降至最低。更為嚴苛的通道間傳播延遲偏移(最大為 5 ns),則有助于避免每個半橋的開關之間出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

最后,額定超過 200 kV/μs 的共模瞬變抗擾度 (CMTI) 有助于防止因電壓瞬變而導致的誤觸發(fā)。以可再生能源應用為例,如此高的瞬態(tài)抗擾度可確保設備在電網(wǎng)波動以及功率流突然變化時仍能穩(wěn)定運行。

確保穩(wěn)定運行的可靠性

2ED314xMC12L 系列具有多種保護功能,可確保在要求苛刻的電源應用中可靠運行。每項功能均專為解決高壓開關環(huán)境中可能出現(xiàn)的特定可靠性問題而設計。

主動關斷和短路箝位屬于必要的保護手段。在兩個電源開關堆疊于直流總線電壓之間的半橋配置中,這些機制能夠防范擊穿電流。如果兩個開關同時導通,由此引發(fā)的短路狀況極有可能損壞元器件,甚至導致系統(tǒng)停機。

另一個值得關注的特性是欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,該功能會創(chuàng)建一個磁滯“死區(qū)”,即便電壓出現(xiàn)微小波動,系統(tǒng)狀態(tài)也能維持穩(wěn)定,避免在閾值附近產(chǎn)生振蕩。例如,在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,UVLO 可在部分多云的天氣條件下提供穩(wěn)定運行,避免不必要的中斷。一些型號提供 8.5 V 至 9.3 V 之間的 UVLO,而其他版本則提供 12.5 V 至 13.6 V 之間的保護。

該系列產(chǎn)品還提供帶有使能引腳的型號,這為緊急關斷場景增添了一層額外的控制手段。在這些型號中,每個數(shù)字輸入引腳都包含一個下拉電阻,確保當引腳出現(xiàn)脫焊或斷開的情況時,引腳會默認進入安全狀態(tài),通道隨即被禁用。這一功能在要求高可靠性的應用中尤其重要,因為即使發(fā)生意外故障也必須維持系統(tǒng)完整性。

對于優(yōu)先考慮較低電流消耗和簡化控制的應用,可提供具有禁用引腳的型號。這些型號能讓柵極驅動器在默認狀態(tài)下保持激活,以此降低待機功耗,同時簡化系統(tǒng)設計。

[2ED3140MC12L] 是可用選項的一個示例,它提供 8.5 V 到 9.3 V 之間的磁滯 UVLO 和一個禁用引腳。相比之下,[2ED3146MC12L] 提供 12.5 V 至 13.6 V 之間的 UVLO 和一個使能引腳。

高效可靠的封裝

該系列產(chǎn)品采用 PG-DSO-14-71 封裝(圖 2)。這種表面貼裝封裝尺寸為 10.3 x 7.5 mm,對于高功率雙通道驅動器來說,尺寸非常緊湊。在電動汽車應用中,該封裝可節(jié)省寶貴的動力總成空間。

Infineon 2ED314xMC12L 系列圖片圖 2:2ED314xMC12L 系列采用緊湊型 PG-DSO-14-71 封裝。(圖片來源:Infineon Technologies)

盡管尺寸小,但所有型號都提供了足夠的間距以確保安全運行:8 mm 輸入到輸出和 3.3 mm 通道到通道爬電距離和間隙距離。這些尺寸既符合隔離方面的要求,又能維持在空間有限的設計中所必需的緊湊外形規(guī)格。

使用評估板快速入門

為了簡化測試和開發(fā),Infineon Technologies 提供了 [EVAL-2ED3146MC12L] 評估板(圖 3)。這款半橋板的設計初衷,是為了展示 2ED3146MC12L 隔離式柵極驅動器 IC 的各項功能。

Infineon EVAL-2ED3146MC12L 評估板圖片圖 3:EVAL-2ED3146MC12L 評估板提供半橋設置來評估 2ED3146MC12L。(圖片來源:Infineon Technologies)

除了柵極驅動器外,這款評估板還包括兩個 Infineon Technologies [IMZA120R020M1HXKSA1] CoolSiC 溝槽型 MOSFET,以及一個 Infineon Technologies [2EP130R]變壓器驅動器 IC,用于板載電源。這些元器件專門為評估而設置,同時也是實際設計中切實可行的選擇。

SiC MOSFET 的漏源電壓額定值為 1,200 V,與 2ED314xMC12L 驅動 600 V 至 2,300 V 功率器件的能力完全契合。2ED314xMC12L 的 35 V 絕對最大輸出電源電壓可以輕松滿足這些 MOSFET 的 18 V 柵極驅動電壓要求。MOSFET 在 25°C 時的導通電阻低至 19 mΩ,能夠最大限度地降低導通損耗。

這些 MOSFET 在 +25°C 時的功率耗散能力為 375 W,工作溫度范圍為 -55°C 到 +175°C,完全滿足高性能電力電子應用的要求。柵極驅動器具備 39 ns 的快速傳播延遲,以及 >200 kV/μs 的 CMTI,這使得其能夠實現(xiàn)高效的高頻開關操作,并且在 MOSFET 的整個工作溫度范圍內,都能維持可靠穩(wěn)定的運行。

2EP130R 變壓器驅動器擁有 50 kHz 至 695 kHz 的寬開關頻率范圍,與 2ED3146MC12L 的快速傳播延遲協(xié)同工作,成為了柵極驅動器的有力補充。該變壓器驅動器具備高精度的占空比調整能力(可在 10% 至 50% 之間調節(jié)),與柵極驅動器精確的時序特性相得益彰,這一組合對于在半橋配置中維持最佳的死區(qū)時間而言至關重要。

總結

Infineon Technologies 的 EiceDRIVER 2ED314xMC12L 系列產(chǎn)品,在效率、性能以及安全功能方面實現(xiàn)了良好的平衡,充分滿足了電動汽車、可再生能源以及工業(yè)自動化等領域中高壓應用的需求。該系列產(chǎn)品采用緊湊的 PG-DSO-14-71 封裝形式,能夠適應空間有限的設計方案,而 EVAL-2ED3146MC12L-SiC 評估板則有助于實現(xiàn)快速測試。

審核編輯 黃宇

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