威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,基于 FastMOS II 技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借超低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于中壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理系統(tǒng)等大電流領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):100V,適配中壓供電場景;
- 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值5mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值6.9mΩ,中壓場景下傳導(dǎo)損耗極低;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):
- 結(jié)溫約束(\(T_c=25^\circ\text{C}\)):90A;\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為57A;
- 環(huán)境溫約束(\(T_a=25^\circ\text{C}\)):22A;\(T_a=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為17A;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):300A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。
二、核心特性
- 增強(qiáng)型工作模式:適配常規(guī)中壓功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞?a target="_blank">開關(guān)控制需求;
- FastMOS II 技術(shù):實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率,提升系統(tǒng)功率密度;
- 超低導(dǎo)通電阻:5~6.9mΩ 低阻設(shè)計(jì),大幅降低中壓大電流場景下的傳導(dǎo)損耗;
- 高可靠性設(shè)計(jì):通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 36mJ(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),感性負(fù)載開關(guān)場景下穩(wěn)定性優(yōu)異;
- 環(huán)保合規(guī):符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),采用無鉛引腳鍍層且滿足無鹵要求,適配綠色電子制造需求。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 100 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 420 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\),結(jié)溫約束) | \(I_D\) | \(T_c=25^\circ\text{C}\): 90;\(T_c=100^\circ\text{C}\): 57 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\),環(huán)境溫約束) | \(I_{DSM}\) | \(T_a=25^\circ\text{C}\): 22;\(T_a=70^\circ\text{C}\): 17 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 300 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 36 | mJ |
| 最大功耗(結(jié)溫約束) | \(P_D\) | \(T_c=25^\circ\text{C}\): 74;\(T_c=100^\circ\text{C}\): 20 | W |
| 最大功耗(環(huán)境溫約束) | \(P_{DSM}\) | \(T_a=25^\circ\text{C}\): 4.2;\(T_a=70^\circ\text{C}\): 2.7 | W |
| 結(jié) - 殼熱阻(Typ/Max) | \(R_{thJC}\) | 1.7 / 2 | ℃/W |
| 結(jié) - 環(huán)境熱阻(Typ/Max) | \(R_{thJA}\) | 30 / 36 | ℃/W |
| 工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍 | \(T_{STG、T_J}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:PDFN5060X 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配高密度、高功率密度的電路板設(shè)計(jì);
- 典型應(yīng)用:
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管LT10N02SI資料說明
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