威兆半導體推出的VS1602GMH是一款面向 100V 中壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-263 封裝，憑借 1.9mΩ 極致低導通電阻與 170A 大電流承載能力，適用于中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值1.9mΩ，中壓場景下傳導損耗近乎極致；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結(jié)溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：170A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為113A；
    • 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：42A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為32A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：680A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 極致低導通電阻：1.9mΩ 低阻設(shè)計，大幅降低中壓大電流場景下的傳導損耗，顯著提升系統(tǒng)能效；
• VeriMOS? II 技術(shù)：實現(xiàn)快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，兼顧功率密度與可靠性；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試與 100% Rg 測試，單脈沖雪崩能量達 464mJ，感性負載開關(guān)場景下抗沖擊能力優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-263 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 8000pcs / 卷，適配大電流散熱需求的高密度電路板設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在 100V 級降壓 / 升壓拓撲中作為主開關(guān)管，極致低阻大幅降低傳導損耗；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)：為工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的中壓電源分配環(huán)節(jié)提供高效開關(guān)控制；
  • 大功率負載開關(guān)：支持超大電流負載的通斷管理，適用于高功率設(shè)備的電源控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）