2025年9月24日 — 9月26日，作為電力電子和能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的國際盛會，2025 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會）于9月24日至26日在上海新國際博覽中心盛大舉辦。這場展會匯聚了全球電力能源領(lǐng)域的眾多優(yōu)質(zhì)企業(yè)，集中展示前沿技術(shù)成果，成為行業(yè)交流與創(chuàng)新成果展示的重要平臺。

東芝憑借在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，持續(xù)為電力能源行業(yè)提供高效可靠的解決方案。與以往不同的是，在此次展會上，東芝與基本半導(dǎo)體通過聯(lián)合展臺，共同展示了雙方在碳化硅領(lǐng)域深度合作的最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入多項創(chuàng)新成果與嶄新思路。接下來，讓我們一同走進東芝展區(qū)，近距離了解一下本屆展會的亮點產(chǎn)品吧！

聚焦車載核心產(chǎn)品

打造智慧出行“芯”生態(tài)

東芝展示了一系列專為車載應(yīng)用開發(fā)的高性能功率器件及模塊，助力汽車電子創(chuàng)新發(fā)展。

東芝展示的內(nèi)置碳化硅芯片的HPD模塊采用六并聯(lián)設(shè)計，具備1200V/650A高性能規(guī)格，不僅導(dǎo)通電阻低、散熱性能優(yōu)異，還有助于客戶快速評估芯片性能，大幅縮短開發(fā)周期。東芝碳化硅芯片SSC塑封模塊內(nèi)置4并聯(lián)東芝碳化硅芯片的半橋模塊，單模塊尺寸為69mm×49.2mm×22mm，有助于實現(xiàn)逆變器系統(tǒng)的小型化。

東芝為車載應(yīng)用提供廣泛的低壓MOSFET，可用于12V至48V電池系統(tǒng)。未來，東芝還計劃將產(chǎn)品擴展至96V高壓系統(tǒng)，以滿足下一代汽車電子對更高電壓平臺的需求。而東芝的車載光耦產(chǎn)品線包含多達18款不同輸出類型的產(chǎn)品，均符合AEC-Q101和IATF 16949認證標準。

東芝RC-IGBT采用內(nèi)置FRD（快恢復(fù)二極管）結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)正、反向雙向?qū)芰?，大幅提升了功率密度，有助于推動逆變器系統(tǒng)的小型化設(shè)計。同時，東芝碳化硅芯片集成嵌入式SBD（肖特基勢壘二極管），使反向電流流經(jīng)內(nèi)部SBD通道而非本體二極管，有效規(guī)避了因碳化硅疊層缺陷帶來的可靠性問題，顯著穩(wěn)定了MOSFET的導(dǎo)通電阻，進一步確保了器件的高可靠性和長期運行穩(wěn)定性。

xEV電動汽車主驅(qū)變流器芯片

此外，東芝還展示了包括150mm碳化硅晶圓、功率器件及驅(qū)動芯片等系列展品，為車載應(yīng)用提供全面的解決方案。

創(chuàng)新工業(yè)解決方案

驅(qū)動產(chǎn)業(yè)智能化“芯”變革

東芝此次展出的300mm晶圓，其面積達到8英寸（200mm）晶圓的2.25倍，可大幅提升硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，進一步增強生產(chǎn)規(guī)模與效益。隨著東芝第二條基于12英寸（300mm）晶圓的產(chǎn)線正式投入運營，公司整體產(chǎn)能預(yù)計將提升至原來的3.5倍，為工業(yè)智能化發(fā)展提供更強大的半導(dǎo)體支持與保障。

東芝采用DSC封裝技術(shù)的MOSFET產(chǎn)品，可大幅提升功率密度，有效優(yōu)化系統(tǒng)空間布局與能效表現(xiàn)。DSC封裝產(chǎn)品內(nèi)置1200V RC-IGBT，憑借高度集成的結(jié)構(gòu)設(shè)計，不僅提升了系統(tǒng)可靠性，還有助于降低整體集成復(fù)雜度與成本，為高效緊湊的功率系統(tǒng)設(shè)計提供有力支持。

東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品采用創(chuàng)新設(shè)計，在同一芯片上集成SBD以替代傳統(tǒng)體二極管，顯著降低二極管導(dǎo)通壓降，提升系統(tǒng)整體可靠性。產(chǎn)品涵蓋1200V與750V電壓等級，提供多樣封裝形式和導(dǎo)通電阻選項，可靈活適配不同應(yīng)用場景。

此外，東芝還展出了工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊，具備低雜感損耗特性，滿足工業(yè)設(shè)備對高電壓、大電流的嚴苛需求。為完善系統(tǒng)支持，東芝還提供了配套的功率器件驅(qū)動解決方案，助力客戶實現(xiàn)更高效率與更優(yōu)成本控制的功率系統(tǒng)設(shè)計。

憑借東芝先進的碳化硅MOSFET、IGBT芯片、功率模塊設(shè)計和封測技術(shù)，基本半導(dǎo)體與其聯(lián)合開發(fā)了Pcore2 E2B、Pcore2 L3工業(yè)級全碳化硅功率模塊及Pcore6 E3B混碳功率模塊等產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用了雙方的SiC MOSFET和東芝的RC-IGBT芯片技術(shù)，而模塊封裝方面采用高可靠的氮化硅陶瓷（Si3N4）基板、Press-Fit壓接工藝，銅底板散熱結(jié)構(gòu)等技術(shù)，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、雜散電感、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可應(yīng)用于APF、PCS、DC/DC變換器、大功率充電樁、固態(tài)斷路器、矩陣變換器和電池功化成等領(lǐng)域應(yīng)用。

攜手東芝明星產(chǎn)品

釋放展會亮點“芯”活力

在獨立展區(qū)，東芝展示了一系列先進的產(chǎn)品和解決方案。

東芝的碳化硅MOSFET單管和碳化硅MOSFET模塊已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、光伏以及可再生能源領(lǐng)域，為系統(tǒng)實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換、穩(wěn)定運行和低能耗提供了堅實可靠的技術(shù)支持。

東芝壓接式IEGT作為變流器核心器件，能夠完美匹配市場對大功率，高性能的電力傳輸需求。東芝與第三方合作共同開發(fā)的壓接組件方案，基于半橋拓撲的子單元，并采用兩顆ST2000GXH32（4.5kV／2KA／內(nèi)置二極管的壓接式封裝）IEGT，能夠幫助新客戶進行雙脈沖測試，使其快速掌握東芝器件特性，有效縮短開發(fā)周期。

東芝提供了用于驅(qū)動工業(yè)電機驅(qū)動器等功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中使用的SiC MOSFET模塊的柵極驅(qū)動電路。它可以通過使用外部緩沖MOSFET，以大電流驅(qū)動SiC MOSFET模塊。

東芝展示的SCiB電池是負極使用鈦酸鋰（LTO）的鋰離子動力電池。它實現(xiàn)了高安全、長壽命、耐低溫、大倍率、高功率等性能，顯著降低了電池更換頻率與整體維護成本，適用于對使用壽命與運行功率有嚴苛要求的應(yīng)用場景。

此外，東芝的VPP虛擬電廠，利用AI技術(shù)準確預(yù)測可再生能源發(fā)電量與電力市場價格，通過精準控制，達到可再生能源與電網(wǎng)系統(tǒng)的和諧共生。同時，實現(xiàn)用戶利益最大化。

東芝以豐富的展品和前沿的技術(shù)，充分展現(xiàn)了在電力能源領(lǐng)域的硬實力與創(chuàng)新力。這場展會不僅是東芝展示自身的舞臺，更是與行業(yè)伙伴共話發(fā)展、碰撞思想的契機。相信通過此次展會，東芝能與更多伙伴攜手，在電力能源的廣闊天地中，繼續(xù)開拓創(chuàng)新，為行業(yè)進步貢獻更多力量。

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