Microchip Technology MIC4607A三相MOSFET驅動器為1nF容性負載提供快速 (35ns) 傳播延遲時間和20ns上升/下降時間。MIC4607A TTL輸入可以是獨立的高側和低側信號,也可以是內部生成高低驅動的單路PWM輸入。高側和低側輸出可確保在任一模式下不會重疊。MIC4607A具有過流保護(帶消隱時間插入)和高壓內部二極管(為高側柵極驅動自舉電容器充電)。高速、低功耗電平轉換器為高側輸出提供干凈的電平轉換。MIC4607A的堅固工作特性使其輸出不受電池故障、低于地線的HS振鈴或高速電壓轉換時HS回轉的影響。低側和高側驅動器均提供欠壓保護。
數據手冊:*附件:Microchip Technology MIC4607A三相MOSFET驅動器數據手冊.pdf
Microchip MIC4607A采用28引腳4mm x 5mm VQFN封裝,帶可濕性側翼,濕度靈敏性等級為1級。該設備的工作結溫范圍為-40°C至+125°C。
特性
- 柵極驅動電源電壓高達16V
- 增強過流保護,增加消隱時間
- 驅動高側和低側N溝道MOSFET,具有獨立輸入或單PWM信號
- TTL輸入閾值
- 片上引導程序二極管
- 35ns 快速傳播時間
- 直通保護
- 驅動1000 pF的負載,上升和下降時間為20 ns
- 低功耗
- 電源欠壓保護
- -40 °C至+125 °C結溫范圍
- 符合AEC-Q100和AEC-Q006標準
典型應用電路
封裝類型
功能圖
輸入邏輯模塊
?MIC4607A三相MOSFET驅動器技術解析與應用指南?
?一、產品概述?
MIC4607A是Microchip Technology推出的一款85V三相MOSFET驅動器,專為三相橋式拓撲設計,集成自適應死區(qū)時間控制、防直通保護和過流保護功能。其核心特性包括:
- ?高壓支持?:85V耐壓,適用于工業(yè)電機驅動、汽車BLDC電機等高壓場景。
- ?高速驅動?:35ns傳播延遲,20ns上升/下降時間(驅動1nF負載),支持高頻開關應用。
- ?靈活輸入?:提供兩種版本(MIC4607A-1獨立TTL輸入,MIC4607A-2單PWM輸入),適配不同控制邏輯。
- ?保護機制?:過流保護(帶消隱時間)、欠壓鎖定(UVLO)、溫度范圍-40°C至+125°C,符合AEC-Q100車規(guī)認證。
?二、關鍵功能解析?
- ?自適應死區(qū)時間控制?
- 通過監(jiān)測開關節(jié)點電壓(xHS)和柵極驅動輸出(xHO/xLO),動態(tài)調整高低側MOSFET的導通間隔,避免直通電流。典型死區(qū)時間<20ns(見圖4-1時序圖)。
- 支持非重疊(MIC4607A-1)和重疊輸入模式(MIC4607A-2),適應不同PWM策略。
- ? 過流保護(OCP) ?
- ?自舉電路設計?
- 內置高壓二極管(VDD至xHB),簡化外部自舉電容(CB)充電路徑。推薦CB≥0.1μF(X5R/X7R材質),電壓需滿足VIN + VDD。
?三、典型應用電路?
? 1. 三相電機驅動(圖7-1) ?
- ?拓撲結構?:6個N溝道MOSFET組成三相逆變橋,驅動BLDC電機。
- ?關鍵設計?:
? 2. 工業(yè)逆變器(圖7-4) ?
- 支持能量回饋模式,適用于光伏逆變器或電池充電場景。
- 柵極電阻(RG)選擇需平衡開關速度與EMI,典型值2-10Ω。
?四、設計注意事項?
- ?熱管理?
- 總功耗計算:Ptotal = Pdriver(柵極驅動損耗)+ Pbootstrap(自舉二極管損耗)+ Pquiescent(靜態(tài)功耗)。
- 示例:驅動Qg=30nC的MOSFET,VDD=12V,fSW=20kHz時,單路驅動損耗約7.2mW。
- ?PCB布局優(yōu)化?
- 高低側驅動回路需最短化,優(yōu)先使用地平面。
- 自舉電容(CB)與xHB/xHS引腳距離<5mm,避免長走線引入寄生電感。
- ?故障調試?
- FLT/引腳無響應時,檢查ILIM+/-是否短路至VSS(禁用OCP時需短接)。
- 輸出異常振鈴可通過增加柵極電阻或優(yōu)化HS鉗位電路解決。
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