全球金氧半場效電晶體（MOSFET）產(chǎn)能大缺，下半年恐現(xiàn)缺貨潮，ODM／OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價格調(diào)漲。

由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉向高階MOSFET及IGBT相關應用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況，這導致下游系統(tǒng)廠商及ODM／OEM廠轉單至臺廠，各家下半年接單能見度大增，接單供不應求。

尤以大中最直接受惠，先前因8吋低壓MOSFET產(chǎn)能吃緊，導致第2季營收持平至微幅成長，預期在MOSFET缺貨情況短期難改善，公司持續(xù)進行產(chǎn)品組合調(diào)整，爭取營收及獲利極大化，預計8月份有望再次漲價。連帶激勵大中近期股價勁揚，今日創(chuàng)下掛牌以來新高記錄。

業(yè)界預料以目前MOSFET缺貨情況判斷，供給吃緊可能持續(xù)至2019年上半年，主要因市場供給產(chǎn)能有限，而汽車及工業(yè)應用對MOSFET需求上揚，均有利于后市發(fā)展。而大型跨國同業(yè)重新聚焦于更高階、毛利率更高之產(chǎn)品，如汽車及工業(yè)應用的IGBT、碳化矽MOSFET、超接面MOSFET，使得通路商 MOSFET與IGBT的交期已增加至6個月以上。

據(jù)國際電子商情此前報道，金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體IDM廠及IC設計廠均大動作爭搶晶圓代工產(chǎn)能，包括茂矽、漢磊、世界先進、新唐等MOSFET或IGBT訂單滿到年底，第三季已確定漲價，其中6吋晶圓代工價格大漲10-20％，8吋晶圓代工價格亦調(diào)漲5-10％。

此前國內(nèi)廠商 富滿電子 、華冠半導體、芯電元等對電源IC、LED驅動IC、MOSFET等產(chǎn)品進行了調(diào)價，有的漲幅達到了15%-20%。據(jù)稱MOSFET漲幅當屬最大。此外，受行業(yè)利好刺激，***產(chǎn)業(yè)鏈公司股價全線暴漲，代工企業(yè)茂硅年初至今股價漲幅超過3倍，MOSFET廠大中股價月漲幅超過1倍。

外商產(chǎn)能擴張仍遠不足以滿足目前需求，且主要是為了未來車用、工業(yè)用訂單所打造，部分較舊產(chǎn)品線與傳統(tǒng)應用已接獲產(chǎn)品停產(chǎn)通知書，因此，預期中國***的MOSFET供應鏈可透過搶占電腦、筆電等傳統(tǒng)應用之市占率，受惠于近期更加吃緊的產(chǎn)業(yè)需求。

目前全球電動車市場加速成長，對MOSFET需求急迫，在汽車應用領域的銷量超越了計算和數(shù)據(jù)存儲領域，占總體市場的20%以上。預測2018年全球高壓MOSFET芯片市場供需缺口仍達30%的情況，隨著MOSFET價格不斷上調(diào)，相關廠商盈利能力有望進一步提升。