Microchip Technology HV56266運(yùn)算放大器是一款單通道MEMS放大器，帶外部增益設(shè)置電阻器。這款放大器設(shè)計(jì)能夠穩(wěn)定帶動(dòng)最大15pF的電容負(fù)載，閉環(huán)增益范圍為30V/V和90V/V。在10kHz帶寬下的高輸出電壓能力，具有90V/V增益和最小3V/μs壓擺率。該放大器提供有16焊球4mm x 4mm x 1.2mm TFBGA和32引腳5mm x 5mm x 0.9mm VQFN封裝。HV56266放大器具有寬范圍可調(diào)增益的單個(gè)高壓放大器，并符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。該放大器工作在-40 ° C至125 ° C結(jié)溫范圍、4.5V至5.5V低電壓范圍和100V至300V高電源電壓范圍。 HV56266放大器非常適合用于MEMS驅(qū)動(dòng)器、激光束轉(zhuǎn)向和觸覺驅(qū)動(dòng)器。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Microchip Technology HV56266運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 寬可調(diào)增益
• 單個(gè)高壓放大器
• 封裝：
  • 16焊球4mm x 4mm x 1.2mm TFBGA
  • 32引線5mm x 5mm x 0.9mm VQFN
• 最低壓擺率：3V/μs（帶15pF負(fù)載）
• 5mm x 5mm VQFN封裝，用于汽車應(yīng)用
• 4mm x 4mm BGA封裝，用于商業(yè)應(yīng)用
• 符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)

規(guī)范

• 低壓電源范圍：4.5V至5.5V
• 電源電壓范圍：-0.3V至6V
• 100V到300V高電源電壓范圍
• 結(jié)溫范圍：-40°C至+125°C
• -55°C至+165°C存放溫度范圍

應(yīng)用電路圖

框圖

HV56266高電壓運(yùn)算放大器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

摘要

Microchip Technology公司的HV56266是一款單通道+300V高電壓運(yùn)算放大器，專為需要高電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。本文將詳細(xì)介紹該器件的關(guān)鍵特性、電氣參數(shù)、典型應(yīng)用以及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，幫助工程師更好地理解和應(yīng)用這款高性能放大器。

一、產(chǎn)品概述

HV56266是一款具有外部增益設(shè)置電阻的單通道MEMS放大器，采用雙電源供電：

• 低壓5V電源(VDD)
• 高壓100V-300V電源(VPP)

該放大器設(shè)計(jì)用于在30V/V至90V/V的閉環(huán)增益范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，最大可驅(qū)動(dòng)15pF容性負(fù)載，輸出電壓擺幅高達(dá)295V，最小轉(zhuǎn)換速率為3V/μs。

二、關(guān)鍵特性

1. ?電源電壓范圍?：
   • VDD：4.5V至5.5V
   • VPP：100V至300V
2. ?性能參數(shù)?：
   • 最大輸出電壓擺幅：295V
   • 增益帶寬積：900kHz
   • 最小轉(zhuǎn)換速率：3V/μs(15pF負(fù)載時(shí))
   • 閉環(huán)增益范圍：30V/V至90V/V
3. ?封裝選項(xiàng)?：
   • 16-ball 4×4×1.2mm TFBGA(商業(yè)應(yīng)用)
   • 32-lead 5×5×0.9mm VQFN(汽車應(yīng)用)
4. ?工作溫度范圍?：-40°C至+125°C

三、典型應(yīng)用

HV56266特別適合以下應(yīng)用場(chǎng)景：

1. ?MEMS驅(qū)動(dòng)器?：為微機(jī)電系統(tǒng)提供高壓驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2. ?激光束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)?：精確控制激光束的方向和位置
3. ?觸覺反饋驅(qū)動(dòng)器?：為觸覺反饋系統(tǒng)提供高壓驅(qū)動(dòng)
4. 其他需要高壓放大和驅(qū)動(dòng)的精密應(yīng)用

四、設(shè)計(jì)考慮因素

1. ?電源時(shí)序?：
   • 上電順序：地→VDD→VPP→輸入信號(hào)
   • 斷電順序：輸入信號(hào)接地→斷開VPP→斷開VDD→斷開地
2. ?穩(wěn)定性設(shè)計(jì)?：
   • 確保閉環(huán)增益在30V/V至90V/V范圍內(nèi)
   • 負(fù)載電容不超過15pF
   • 總反饋電阻(RF1+RF2)在3MΩ至7MΩ之間
3. ?PCB布局建議?：
   • VDD旁路電容≥1μF(低ESR陶瓷電容)
   • VPP旁路電容≥0.1μF(低ESR陶瓷電容)
   • 所有輸入信號(hào)應(yīng)參考GND引腳
   • HVGND引腳應(yīng)在PCB上連接到GND

五、性能曲線分析

1. ?脈沖響應(yīng)?：
   • 小信號(hào)(0750mV)和大信號(hào)(03.3V)脈沖響應(yīng)表現(xiàn)出良好的線性度和快速建立時(shí)間
   • 上升和下降時(shí)間對(duì)稱，轉(zhuǎn)換速率符合規(guī)格要求
2. ?溫度特性?：
   • IPP電流在-40°C至+125°C范圍內(nèi)保持穩(wěn)定
   • IDD電流隨溫度升高而略有增加
3. ?電源抑制比?：
   • VDD PSRR：約30dB @1kHz
   • VPP PSRR：約35dB @1kHz