chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

jXID_bandaotigu ? 來(lái)源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-07-23 17:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。這將是第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的DRAM芯片。與此同時(shí),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和睿力集成的新CEO上任,據(jù)可靠消息,此位CEO正是兆易創(chuàng)新的董事長(zhǎng)朱一明先生?,F(xiàn)在,存儲(chǔ)器投片、管理者就位,這似乎預(yù)示著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的國(guó)產(chǎn)DRAM正式踏上征程。

國(guó)產(chǎn)DRAM突破

目前,國(guó)內(nèi)DRAM廠商主要有紫光國(guó)芯、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等。紫光國(guó)微旗下的西安紫光國(guó)芯目前最新DDR4芯片已經(jīng)小批量產(chǎn)。福建晉華計(jì)劃于2018年下半年量產(chǎn)。合肥長(zhǎng)鑫的DRAM項(xiàng)目計(jì)劃2018年底量產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)的DRAM進(jìn)度則稍慢,目前2018年內(nèi)NAND FLASH小規(guī)模量產(chǎn)。另外,紫光南京半導(dǎo)體基地也計(jì)劃生產(chǎn)DRAM。

西安紫光國(guó)芯的前身是西安華芯半導(dǎo)體,2015年被紫光集團(tuán)旗下紫光國(guó)芯(現(xiàn)更名紫光國(guó)微)收購(gòu),西安華芯則是浪潮集團(tuán)2009年通過(guò)收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)科技(西安)有限公司而成立,奇夢(mèng)達(dá)原為英飛凌科技存儲(chǔ)器事業(yè)部拆分獨(dú)立而來(lái)。西安紫光國(guó)芯的核心業(yè)務(wù)是存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),自有品牌存儲(chǔ)器產(chǎn)品量產(chǎn)銷(xiāo)售,以及專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)服務(wù)。

福建晉華集成電路由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立,與***聯(lián)華電子開(kāi)展技術(shù)合作,在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線(xiàn),開(kāi)發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)和制程工藝,并開(kāi)展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷(xiāo)售。由臺(tái)聯(lián)電出技術(shù),晉華提供設(shè)備與資金,在晉江生產(chǎn)。主要生產(chǎn)利基型DRAM產(chǎn)品,采用32納米工藝制程。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

合肥長(zhǎng)鑫則是由合肥市政府支持,興建12寸晶圓廠發(fā)展DRAM產(chǎn)品,2018年初位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)的長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目的300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已全部到位,2018年7月投片試產(chǎn),工藝制程為19納米。

按照合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的5年規(guī)劃:2018年1月一廠廠房建設(shè)完成,并開(kāi)始設(shè)備安裝;2018年底量產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品;2019年3季度量產(chǎn)8Gb LPDDR4;2019年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能2萬(wàn)片/月;2020年開(kāi)始規(guī)劃二廠建設(shè);2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也是全球第四家DRAM產(chǎn)品采用20納米以下工藝的廠商。另外三家是目前DRAM存儲(chǔ)的三大巨頭,三星、SK海力士、美光。這三家的DRAM全球市占率超過(guò)95%。

據(jù)預(yù)計(jì),長(zhǎng)鑫12寸存儲(chǔ)器晶圓制造項(xiàng)目投產(chǎn)后,將占據(jù)世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額。然而,無(wú)論是福建晉華的合作共贏,還是紫光對(duì)存儲(chǔ)的布局,以及長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的快速發(fā)展、領(lǐng)先的工藝制程等,不難看出,中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器發(fā)展的決心,當(dāng)然面對(duì)如今的DRAM市場(chǎng)的霸主格局,也必將經(jīng)歷一場(chǎng)虎口奪食的競(jìng)爭(zhēng)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、睿力集成、兆易創(chuàng)新

國(guó)際電子商情注意到,7月16日北京兆易創(chuàng)新公告稱(chēng),朱一明先生辭去公司總經(jīng)理一職,將繼續(xù)擔(dān)任公司董事長(zhǎng)。朱一明先生所負(fù)責(zé)的工作已平穩(wěn)交接,其辭職不會(huì)對(duì)公司的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生重大不利影響。公司聘任何衛(wèi)先生為公司代理總經(jīng)理,任期至第二屆董事會(huì)任期屆滿(mǎn)之日止。

據(jù)可靠消息,此次朱一明辭職兆易創(chuàng)新總經(jīng)理后,將上任合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)及睿力CEO一職,引領(lǐng)合肥長(zhǎng)鑫的DRAM項(xiàng)目持續(xù)發(fā)展。

7月份,在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式投片總結(jié)大會(huì)上,合肥長(zhǎng)鑫董事長(zhǎng)、原睿力CEO王寧國(guó)正式把長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)以及睿力CEO的職位交給朱一明。經(jīng)過(guò)合肥市委、集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)的批準(zhǔn),朱一明將全職擔(dān)任長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、睿力CEO職位,他承諾在合肥長(zhǎng)鑫盈利之前不領(lǐng)一分錢(qián)工資、一分錢(qián)獎(jiǎng)金。

兆易創(chuàng)新曾獲得《電子工程專(zhuān)輯》頒發(fā)的電子成就獎(jiǎng),朱一明(中)親自領(lǐng)獎(jiǎng)。

合肥長(zhǎng)鑫集成電路有限責(zé)任公司由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司出資占比99.75%,合肥產(chǎn)投新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)(有限合作)出資占比0.25%。

睿力集成電路有限公司為長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司100%出資,而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司則由合肥銳捷聚成投資中心(有限合伙)出資占比80.10%,由合肥長(zhǎng)鑫集成電路出資占比19.9%。

去年底,兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司簽署《關(guān)于存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》,約定雙方在安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)合作開(kāi)展工藝制程19nm存儲(chǔ)器的12英寸晶圓存儲(chǔ)器(含DRAM等)研發(fā)項(xiàng)目,項(xiàng)目預(yù)算約為180億元。目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功,即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%。項(xiàng)目預(yù)算達(dá)180億元,兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投將根據(jù)1∶4的比例負(fù)責(zé)籌集,兆易創(chuàng)新負(fù)責(zé)籌集約36億元。

此次,兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)朱一明出任的正是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和睿力集成電路的CEO。有了董事長(zhǎng)坐陣,兆易創(chuàng)新在DRAM上面的動(dòng)作或許將更快。其實(shí)在NOR FLASH方面,兆易創(chuàng)新就與中芯國(guó)際合作,通過(guò)戰(zhàn)略合作穩(wěn)定產(chǎn)能供應(yīng)。相信與合肥長(zhǎng)鑫的合作,也將令兆易創(chuàng)新的DRAM產(chǎn)品發(fā)展得到一定的保障。就在兆易創(chuàng)新與合肥長(zhǎng)鑫達(dá)成合作之前,兆易經(jīng)歷了對(duì)ISSI的收購(gòu)失敗,不過(guò)這并沒(méi)有改變這家國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司發(fā)展存儲(chǔ)的野心。在一另方面也說(shuō)明,國(guó)產(chǎn)DRAM的發(fā)展還是要靠中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈走向自主之路。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2373

    瀏覽量

    188184
  • 存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    4697

    瀏覽量

    89576

原文標(biāo)題:首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)DRAM來(lái)自長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式投片!

文章出處:【微信號(hào):bandaotiguancha,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SRAM與DRAM的結(jié)構(gòu)差異和特性區(qū)別

    在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興
    的頭像 發(fā)表于 12-02 13:50 ?319次閱讀

    DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器的解決方案特點(diǎn)

    在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子),對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件,其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其
    的頭像 發(fā)表于 12-01 13:42 ?71次閱讀

    長(zhǎng)存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相,火力全開(kāi)!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線(xiàn)最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 08:27 ?7743次閱讀
    <b class='flag-5'>長(zhǎng)</b><b class='flag-5'>鑫</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>DDR5/LPDDR5X雙芯亮相,火力全開(kāi)!

    DRAM和SRAM、SDRAM相比有什么特點(diǎn)?

    DRAM利用電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù),由于電容存在漏電現(xiàn)象,必須通過(guò)周期性刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外,DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計(jì),提高了存儲(chǔ)密度,但增加了控制復(fù)雜性。它廣泛用于大容量、低成本
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:49 ?278次閱讀

    PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢(shì)的存儲(chǔ)解決方案

    PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 11-11 11:39 ?378次閱讀

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    CPU、內(nèi)存和加速器,可能改變內(nèi)存池化、共享的架構(gòu)。 國(guó)產(chǎn)化:中國(guó)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域(尤其是DRAM和NAND)投入巨大,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(NAND)
    發(fā)表于 06-24 09:09

    貞光科技代理紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片(DRAM),讓國(guó)產(chǎn)替代更簡(jiǎn)單

    貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車(chē)規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商,現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期,這一合作為推動(dòng)DRAM
    的頭像 發(fā)表于 06-13 15:41 ?1185次閱讀
    貞光科技代理紫光國(guó)芯<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>芯片(<b class='flag-5'>DRAM</b>),讓<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>替代更簡(jiǎn)單

    2025存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速:存儲(chǔ)芯片主要廠商介紹

    全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:01 ?4098次閱讀
    2025<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>化進(jìn)程加速:<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>芯片主要廠商介紹

    存儲(chǔ)DRAM:擴(kuò)張與停產(chǎn)雙重奏

    一季度,SK海力士憑借HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì),終結(jié)三星長(zhǎng)達(dá)四十多年的市場(chǎng)統(tǒng)治地位,以36.7%的市場(chǎng)份額首度登頂全球DRAM市場(chǎng)第一。 ? 當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)大廠轉(zhuǎn)向更多投資HBM、并逐步放棄部分D
    的頭像 發(fā)表于 05-10 00:58 ?8731次閱讀

    HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局,2025年首季DRAM市占排名

    一季度AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動(dòng)對(duì)服務(wù)器DRAM需求,PC和移動(dòng)需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯,此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補(bǔ)庫(kù)存需求的共同影響下,2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期,全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模同比
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?1054次閱讀
    HBM重構(gòu)<b class='flag-5'>DRAM</b>市場(chǎng)格局,2025年首季<b class='flag-5'>DRAM</b>市占排名

    DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說(shuō)

    本文要點(diǎn)提示:? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說(shuō),包括讀寫(xiě)以及存儲(chǔ);? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:45 ?1895次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>基本單元最為通俗易懂的圖文解說(shuō)

    DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

    近日,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是DRAM市場(chǎng)方面,春節(jié)長(zhǎng)假過(guò)后,消費(fèi)者對(duì)于DRAM
    的頭像 發(fā)表于 02-06 14:47 ?842次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    問(wèn)題,2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí),從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò),三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì),但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目標(biāo)是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解,
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1301次閱讀

    Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù),開(kāi)啟低功耗DRAM新篇章

    流與超低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管,標(biāo)志著DRAM技術(shù)的一大進(jìn)步。 2024年12月9日,加州舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上,Kioxia首次公布了這一技術(shù)突破
    的頭像 發(fā)表于 12-24 11:16 ?1195次閱讀

    DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

    本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其器件縮小過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(Dynamic Random Access Memory,簡(jiǎn)稱(chēng)
    的頭像 發(fā)表于 12-17 14:54 ?5236次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的基本構(gòu)造與工作原理