DRV8231A器件是一款集成電機(jī)驅(qū)動器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動來提高效率。

IPROPI引腳上的內(nèi)部電流鏡架構(gòu)實(shí)現(xiàn)電流檢測和調(diào)節(jié)。這消除了對大型功率分流電阻器的需求，從而節(jié)省了電路板面積并降低了系統(tǒng)成本。IPROPI 電流檢測輸出允許微控制器檢測電機(jī)失速或負(fù)載條件的變化。外部基準(zhǔn)電壓引腳VREF確定啟動和停止事件期間的電流調(diào)節(jié)閾值，無需微控制器的交互。
*附件：drv8231a.pdf

低功耗睡眠模式通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。內(nèi)部保護(hù)功能包括電源欠壓鎖定、輸出過流和器件過熱。

該DRV8231A是引腳對引腳、可擴(kuò)展 R 器件系列的一部分 DS（開） 以及電源電壓選項，以最小的設(shè)計更改支持各種負(fù)載和電源軌。有關(guān)該系列中設(shè)備的信息，請參見第 5 節(jié)。在 ti.com 上查看有刷電機(jī)驅(qū)動器的完整產(chǎn)品組合。

特性

• N 溝道 H 橋有刷直流電機(jī)驅(qū)動器
• 4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍
• 引腳到引腳，R DS（開） 、電壓和電流檢測/調(diào)節(jié)變體（外部分流電阻器和集成電流鏡）
  • DRV8870：6.5V 至 45V，565mΩ，分流器
  • DRV8251：4.5V 至 48V，450mΩ，分流
  • DRV8251A：4.5V 至 48V，450mΩ，鏡像
  • DRV8231：4.5V 至 33V，600mΩ，分流器
  • DRV8231A：4.5V 至 33V，600mΩ，鏡像
• 高輸出電流能力：3.7A 峰值
• PWM控制接口
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 集成 IPROPI 電流檢測，用于失速檢測和電流調(diào)節(jié)
• 低功耗睡眠模式
  • <1μA（V時） 虛擬機(jī) = 24伏，T J = 25°C
• 小封裝和占地面積
  • 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 WSON，2.0 × 2.0 mm
  • 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 HSOP，4.9 × 6.0 mm
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 自動重試過流保護(hù) （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （TSD）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

DRV8231A是德州儀器（TI）推出的集成電流檢測與調(diào)節(jié)功能的3.7A有刷直流電機(jī)驅(qū)動器，核心特性包括：

• ?寬電壓范圍?：4.5V至33V工作電壓，兼容12V/24V系統(tǒng)。
• ?高集成度?：內(nèi)置N溝道H橋驅(qū)動，支持3.7A峰值電流，集成電荷泵（支持100%占空比）。
• ?電流檢測?：通過內(nèi)部電流鏡像（IPROPI引腳）實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流反饋，無需外部檢流電阻。
• ?低功耗?：睡眠模式電流<1μA（典型值）。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?驅(qū)動能力?：3.7A峰值輸出電流，600mΩ RDS(on)（高/低側(cè)MOSFET）。
• ?控制接口?：支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入，PWM頻率最高200kHz。
• ?保護(hù)功能?：
  • 電源欠壓鎖定（UVLO）
  • 自動重試過流保護(hù)（OCP）
  • 熱關(guān)斷（TSD，170°C典型值）
• ?封裝選項?：8引腳HSOP（4.9×6.0mm）或WSON（2.0×2.0mm）帶散熱焊盤。

?3. 應(yīng)用場景?

• ?家電?：洗衣機(jī)、咖啡機(jī)、吸塵器
• ?醫(yī)療設(shè)備?：呼吸機(jī)、手術(shù)器械
• ?工業(yè)?：ATM機(jī)、電動病床、健身器材
• ?繼電器驅(qū)動?：單/雙線圈鎖存繼電器

?4. 功能模塊?

• ?H橋控制?：支持正向、反向、制動（低側(cè)慢衰減）和滑行（高阻）模式。
• ?電流調(diào)節(jié)?：通過VREF引腳設(shè)置限流閾值（ITRIP = VREF / (RIPROPI × 1500μA/A)）。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • OCP響應(yīng)時間1.5μs，自動重試周期3ms。
  • TSD滯后40°C，防止頻繁觸發(fā)。

?5. 設(shè)計要點(diǎn)?

• ?布局建議?：
  • 功率回路最小化，散熱焊盤連接多層地平面。
  • RIPROPI電阻推薦1.5kΩ（典型值）。
• ?熱管理?：
  • HSOP封裝RθJA低至42.8°C/W（4層板設(shè)計）。
  • 瞬態(tài)熱阻抗ZθJA隨脈沖時間縮短顯著降低。

?6. 典型應(yīng)用電路?

• ?電機(jī)驅(qū)動?：VM接12V-24V，IPROPI引腳接RIPROPI電阻（1.5kΩ）至MCU ADC。
• ?堵轉(zhuǎn)檢測?：通過IPROPI電壓監(jiān)控負(fù)載電流變化。
• ?繼電器驅(qū)動?：OUTx直接驅(qū)動線圈，利用體二極管續(xù)流。