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DRV8350R 102V max 三相智能柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

科技綠洲 ? 2025-10-16 10:26 ? 次閱讀
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DRV835x 系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動器,適用于三相無刷直流 (BLDC電機(jī)應(yīng)用。這些應(yīng)用包括 BLDC 電機(jī)的磁場定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制。這些器件型號提供可選的集成電流分流放大器以支持不同的電機(jī)控制方案,以及用于為柵極驅(qū)動器或外部控制器供電的降壓穩(wěn)壓器。

DRV835x 使用智能柵極驅(qū)動 (SGD) 架構(gòu)來減少 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時間以防止擊穿情況,通過 MOSFET 壓擺率控制靈活地降低電磁干擾 (EMI),并通過 V 防止柵極短路情況GS的顯示器。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵導(dǎo)通事件
*附件:drv8350r.pdf

支持各種PWM控制模式(6x、3x、1x和獨立),以便與外部控制器進(jìn)行簡單接口。這些模式可以減少控制器對電機(jī)驅(qū)動器PWM控制信號所需的輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式,用于使用內(nèi)部模塊換向表對 BLDC 電機(jī)進(jìn)行簡單的傳感器梯形控制。

特性

  • 9 至 100V,三重半橋柵極驅(qū)動器
    • 可選集成降壓穩(wěn)壓器
    • 可選三重低側(cè)電流分流放大器
  • 智能門驅(qū)動架構(gòu)
    • 可調(diào)節(jié)壓擺率控制,實現(xiàn) EMI 性能
    • VGS的握手和最小死區(qū)時間插入,以防止擊穿
    • 50 mA 至 1 A 峰值源電流
    • 100mA 至 2A 峰值灌電流
    • 通過強(qiáng)下拉緩解 dV/dt
  • 集成柵極驅(qū)動器電源
  • 集成LM5008A降壓穩(wěn)壓器
    • 6 至 95V 工作電壓范圍
    • 2.5 至 75V、350 mA 輸出能力
  • 集成三電流分流放大器
    • 可調(diào)增益 (5、10、20、40 V/V)
    • 雙向或單向支持
  • 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
    • 支持 120° 傳感器作
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式(V 時為 20 μA 虛擬機(jī) = 48-V)
  • 集成保護(hù)功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 柵極驅(qū)動電源欠壓 (GDUV)
    • MOSFET VDS過流保護(hù) (OCP)
    • MOSFET 擊穿預(yù)防
    • 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)
    • 熱警告和關(guān)斷 (OTW/OTSD
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

?1. 核心特性?

  • ?電壓范圍?
    • ? 柵極驅(qū)動電源(VM) ?:9-75V
    • ? MOSFET漏極檢測(VDRAIN) ?:7-100V
  • ?集成功能?
    • 三重半橋柵極驅(qū)動器
    • 可選集成降壓穩(wěn)壓器(DRV8350R/DRV8353R,350mA輸出)
    • 可選三重低側(cè)電流檢測放大器(DRV8353/DRV8353R,增益5/10/20/40 V/V)
  • ?智能柵極驅(qū)動架構(gòu)?
    • 可調(diào)壓擺率控制(50mA-1A源電流,100mA-2A灌電流)
    • 防直通死區(qū)時間插入
    • dV/dt寄生導(dǎo)通抑制
  • ?保護(hù)機(jī)制?
    • 欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動故障(GDF)
    • MOSFET VDS過流保護(hù)(OCP)、熱警告/關(guān)斷(OTW/OTSD)
    • 故障指示引腳(nFAULT)

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

?參數(shù)??規(guī)格?
?工作溫度?-40°C至125°C
?峰值電流?10A(需散熱支持)
?導(dǎo)通電阻?150mΩ(典型值,25°C)
?封裝選項?WQFN(32/40引腳)、VQFN(48引腳)
?PWM控制模式?6x/3x/1x/獨立半橋控制

?3. 典型應(yīng)用?


?4. 功能模式?

  • ?6x PWM模式?:獨立控制高/低側(cè)MOSFET,支持高阻態(tài)。
  • ?3x PWM模式?:簡化控制邏輯,INHx控制開關(guān),INLx使能高阻態(tài)。
  • ?1x PWM模式?:單PWM輸入+霍爾傳感器實現(xiàn)BLDC六步換向。
  • ?獨立模式?:高/低側(cè)完全獨立控制(適用于螺線管等負(fù)載)。

?5. 保護(hù)功能?

  • ?實時監(jiān)測?:通過nFAULT引腳輸出故障狀態(tài)。
  • ?多重策略?:
    • VDS過流支持4種處理模式(鎖存關(guān)閉/自動重試/僅報告/禁用)
    • 熱警告(140°C預(yù)警)與關(guān)斷(175°C觸發(fā))
    • 柵極短路檢測(VGS握手)

?6. 設(shè)計資源?

  • ?布局建議?:
    • VM引腳需并聯(lián)0.1μF陶瓷電容+10μF電解電容。
    • 電荷泵需47nF X7R電容(CPH-CPL間)。
  • ?熱管理?:推薦使用帶散熱焊盤的HTSSOP封裝。
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