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?DRV8303三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-17 14:36 ? 次閱讀
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該DRV8303是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件提供三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。該器件支持高達(dá) 1.7A 的源極電流和 2.3A 的峰值電流能力。該DRV8303可采用6V至60V范圍寬的單個(gè)電源供電。它采用自舉柵極驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)和涓流充電電路,支持 100% 占空比。當(dāng)高側(cè)或低側(cè) MOSFET 切換時(shí),DRV8303使用自動(dòng)手搖,以防止電流射穿。高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的集成 VDS 檢測(cè)用于保護(hù)外部功率級(jí)免受過(guò)流情況的影響。
*附件:drv8303.pdf

該DRV8303包括兩個(gè)電流分流放大器,用于精確的電流測(cè)量。這些放大器支持雙向電流檢測(cè),并提供高達(dá) 3 V 的可調(diào)輸出失調(diào)。

串行外設(shè)接口 (SPI) 提供詳細(xì)的故障報(bào)告和靈活的參數(shù)設(shè)置,例如電流分流放大器的增益選項(xiàng)和柵極驅(qū)動(dòng)器的壓擺率控制。

特性

  • 6V 至 60V 工作電源電壓范圍
  • 1.7A 源極和 2.3A 灌極驅(qū)動(dòng)電流能力
  • 壓擺率控制,降低 EMI
  • 支持 100% 占空比的自舉柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 6 或 3 種 PWM 輸入模式
  • 雙通道集成電流分流放大器,具有可調(diào)增益和失調(diào)
  • 3.3V 和 5V 接口支持
  • 串行外設(shè)接口 (SPI)
  • 保護(hù)特點(diǎn):
    • 編程死區(qū)時(shí)間控制 (DTC)
    • 可編程過(guò)流保護(hù) (OCP)
    • PVDD 和 GVDD 欠壓鎖定 (UVLO)
    • GVDD 過(guò)壓鎖定 (OVLO)
    • 過(guò)熱警告/關(guān)斷 (OTW/OTS)
    • 通過(guò)nFAULT、nOCTW和SPI寄存器報(bào)告

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

?1. 核心特性?

  • ?電源與驅(qū)動(dòng)?:
    • 工作電壓范圍:6V至60V,集成1.7A源電流/2.3A灌電流的柵極驅(qū)動(dòng)能力。
    • 支持100%占空比的自舉架構(gòu),內(nèi)置電荷泵。
    • 3種PWM輸入模式(6-PWM/3-PWM),可編程死區(qū)時(shí)間(50ns-500ns)。
  • ?電流檢測(cè)?:
    • 雙集成電流分流放大器,支持雙向檢測(cè),增益可調(diào)(10/20/40/80 V/V)。
    • 輸出偏置電壓可編程(最高3V),支持DC校準(zhǔn)模式。
  • ?保護(hù)功能?:
    • VDS過(guò)流保護(hù)(OCP)、欠壓鎖定(UVLO)、過(guò)熱警告/關(guān)斷(OTW/OTS)。
    • 故障報(bào)告通過(guò)nFAULT、nOCTW引腳及SPI寄存器。

?2. 關(guān)鍵模塊?

  • ?柵極驅(qū)動(dòng)?:
    • 三組半橋驅(qū)動(dòng),自動(dòng)握手防直通,支持外部MOSFET的VDS實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。
    • 可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電流(1.7A/0.7A/0.25A)和開(kāi)關(guān)斜率控制(EMI優(yōu)化)。
  • ?SPI接口?:
    • 16位數(shù)據(jù)幀(讀寫(xiě)位+地址+數(shù)據(jù)),支持靈活的參數(shù)配置(如OCP閾值、放大器增益)。
  • ?保護(hù)機(jī)制?:
    • 4種過(guò)流模式(限流/鎖存關(guān)斷/僅報(bào)告/禁用),GVDD過(guò)壓保護(hù)(>16V觸發(fā))。

?3. 電氣參數(shù)?

  • ?電源特性?:
    • 靜態(tài)電流:待機(jī)模式1μA(LDO關(guān)閉),工作模式15mA(100nC柵極電荷)。
    • 熱阻:結(jié)至環(huán)境30.3°C/W(TSSOP封裝)。
  • ?時(shí)序特性?:
    • 傳播延遲:45ns(輸入至柵極輸出),死區(qū)時(shí)間匹配誤差<5ns。

?4. 典型應(yīng)用?

  • ?場(chǎng)景?:
  • ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?:
    • ?布局?:GVDD/PVDD需就近放置低ESR電容(如2.2μF陶瓷電容)。
    • ?保護(hù)設(shè)置?:根據(jù)MOSFET的RDS(on)計(jì)算OCP閾值(如0.123V對(duì)應(yīng)26A@4.7mΩ)。

?5. 封裝與配置?

  • ?封裝?:48引腳HTSSOP(12.5mm×6.1mm),帶裸露焊盤(pán)散熱。
  • ?寄存器配置?:
    • 控制寄存器1:設(shè)置柵極電流、PWM模式、OCP響應(yīng)方式。
    • 控制寄存器2:配置放大器增益、DC校準(zhǔn)通道、OCTW報(bào)告模式。

?總結(jié)?:DRV8303是一款高集成度三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,適用于需精確電流檢測(cè)和強(qiáng)保護(hù)功能的場(chǎng)合,其SPI可編程性及多重保護(hù)機(jī)制顯著簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

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