SiC MOSFET的驅動設計要求及應用
本課程概述了碳化硅(SiC)材料的特點以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能，描敘了一些SiC MOSFET的應用領域包括太陽能和電動汽車。 詳細討論了SiC MOSFET的驅動設計要求，以及簡單介紹了幾款TI SiC MOSFET驅動產品。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
9431瀏覽量
229722 -
太陽能
+關注
關注
37文章
3599瀏覽量
118606 -
SiC
+關注
關注
32文章
3525瀏覽量
68191
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
SiC碳化硅MOSFET時代的驅動供電解決方案：基本BTP1521P電源芯片
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSF
SiC MOSFET并聯運行實現靜態(tài)均流的基本要求和注意事項
通過并聯SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯運行實現靜態(tài)均流
國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSF
SiC MOSFET驅動電路設計的關鍵點
柵極驅動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅動電壓的
電力電子新未來：珠聯璧合，基本半導體SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊
傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOS
SiC MOSFET驅動電路設計注意事項
柵極驅動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC
SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優(yōu)化設計
0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
發(fā)表于 04-23 11:25
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應用
，測試過程中對測量系統(tǒng)的寄生參數提出了更高要求，寄生電感、電容等因素可能影響測試精度，需加以優(yōu)化和控制。
測試實例
被測器件：CREE C3M0075120K SiC MOSFET
測試點位：
發(fā)表于 04-08 16:00
溝槽型SiC MOSFET的結構和應用
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結構、特性、制造工藝、應用及其技術挑戰(zhàn)。
SiC MOSFET的參數特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數特
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅
發(fā)表于 01-22 10:43
SiC MOSFET如何選擇柵極驅動器
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業(yè)占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）
工商網監(jiān)
評論