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電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-05-03 15:29 ? 次閱讀
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珠聯(lián)璧合,SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊
——BASiC基本股份賦能電力電子新未來

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珠聯(lián)璧合,雙龍出擊

——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動板重塑電力電子行業(yè)價值

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機:13266663313

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

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引言:能源革命的“效率之戰(zhàn)”

全球“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動下,電力電子行業(yè)正經(jīng)歷一場從“粗放式能耗”到“精細(xì)化能效”的深刻變革。傳統(tǒng)硅基器件受限于材料特性,在高溫、高頻場景中效率瓶頸凸顯。碳化硅(SiC)技術(shù)憑借寬禁帶特性,成為破局關(guān)鍵——但僅憑單一器件升級難以釋放其全部潛力。BASIC Semiconductor基本股份創(chuàng)新推出“SiC功率模塊+SiC專用驅(qū)動板”協(xié)同方案,以“雙龍出擊”之勢,直擊系統(tǒng)級能效痛點,開啟電力電子高效時代。

碳化硅技術(shù)的革新浪潮

在“雙碳”戰(zhàn)略與能源轉(zhuǎn)型的驅(qū)動下,電力電子行業(yè)正迎來高效率、高功率密度的技術(shù)革命。碳化硅(SiC)器件憑借其高頻、高溫、低損耗的先天優(yōu)勢,成為新能源、工業(yè)電源、電動汽車等領(lǐng)域的核心推動力。然而,SiC器件的性能潛力需要與匹配的驅(qū)動技術(shù)協(xié)同釋放。BASiC半導(dǎo)體SiC功率模塊與SiC驅(qū)動強強聯(lián)合,推出“SiC功率模塊+SiC專用驅(qū)動板”雙龍組合,為行業(yè)提供全棧解決方案,開啟高效能電力電子系統(tǒng)的新篇章。

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雙劍合璧:BASiC基本股份 SiC模塊與SiC驅(qū)動板的協(xié)同優(yōu)勢

1. BASiC基本股份 SiC功率模塊:性能卓越,定義行業(yè)標(biāo)桿

B2M/B3M系列產(chǎn)品:基于6英寸晶圓平臺,覆蓋650V至1700V電壓等級,導(dǎo)通電阻低至11m,開關(guān)損耗降低30%-70%,支持175℃高溫穩(wěn)定運行,并通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證,滿足光伏逆變器、充電樁、新能源汽車等嚴(yán)苛場景需求。

工業(yè)模塊創(chuàng)新:Pcore?系列模塊采用Si3N4 AMB陶瓷基板與高溫焊料工藝,集成低損耗SiC SBD,功率密度提升30%,支持Press-Fit壓接與焊接工藝,適配高頻DCDC、儲能變流器(PCS)、高端工業(yè)電焊機等高功率應(yīng)用。

2. 基本股份2CD0210T12x0驅(qū)動板:精準(zhǔn)驅(qū)動,保駕護航

專為SiC定制:支持1200V SiC MOSFET,集成米勒鉗位功能,有效抑制開關(guān)瞬態(tài)串?dāng)_;雙通道設(shè)計,峰值電流10A,可驅(qū)動中大功率模塊。

高可靠保護:原副邊欠壓保護、寬壓輸入(16-30V)適配復(fù)雜電源環(huán)境,絕緣耐壓與靜電防護滿足工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn),確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行。

緊湊高效:雙通道緊湊型設(shè)計,簡化PCB布局,降低系統(tǒng)復(fù)雜度,助力客戶快速實現(xiàn)高可靠性方案落地。

珠聯(lián)璧合,1+1>2的技術(shù)突破

場景化性能提升

電力電子行業(yè):BASiC工業(yè)SiC模塊搭配基本股份SiC驅(qū)動板,為電力電子提供低損耗、高功率密度解決方案,全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

數(shù)據(jù)印證優(yōu)勢

BASiC SiC功率模塊在18V驅(qū)動下,開關(guān)損耗(Etotal)較國際競品降低30%,搭配基本股份SiC功率模塊驅(qū)動板后,系統(tǒng)整體效率提升2%-5%。

BASiC功率模塊驅(qū)動板的寬壓輸入(2CD0210T12C0)支持光伏系統(tǒng)波動電壓,適配BASiC模塊的高溫穩(wěn)定性(175℃),確保戶外環(huán)境長期可靠運行。

市場前景:雙龍出擊,領(lǐng)跑SiC生態(tài)

隨著全球SiC市場規(guī)模年均增長超30%,BASiC基本功率模塊和驅(qū)動的技術(shù)融合將加速國產(chǎn)替代進程:

技術(shù)自主:從芯片設(shè)計、模塊封裝到驅(qū)動方案,全鏈路國產(chǎn)化突破,降低供應(yīng)鏈風(fēng)險。

成本優(yōu)化:B3M系列芯片面積較B2M減少30%,驅(qū)動板集成設(shè)計降低外圍元件成本,助力客戶降本增效。

生態(tài)共建:BASiC基本股份提供電力電子仿真、熱設(shè)計支持與定制化服務(wù),縮短客戶研發(fā)周期,搶占市場先機。

結(jié)語:賦能未來,共贏綠色能源時代

BASiC基本股份的“SiC模塊+驅(qū)動”組合,不僅是技術(shù)的珠聯(lián)璧合,更是對電力電子行業(yè)需求的深度響應(yīng)。在新能源革命與智能制造的雙重浪潮下,這一雙龍組合將以更高效率、更強可靠性、更優(yōu)性價比,助力客戶攻克技術(shù)壁壘,共同書寫綠色能源的未來篇章!

即刻行動,開啟高效能電力電子新時代!
聯(lián)系傾佳電子楊茜,獲取專屬解決方案→

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機:13266663313

創(chuàng)新驅(qū)動能效,協(xié)同定義未來!

審核編輯 黃宇

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