電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列，并已經(jīng)開始提供符合AEC-Q101標準的預生產(chǎn)產(chǎn)品系列樣品，包括高壓CoolGaN汽車晶體管和雙向開關。

英飛凌氮化鎵業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“我們的100V氮化鎵汽車晶體管解決方案以及即將擴展到高壓范圍的產(chǎn)品組合是開發(fā)汽車應用節(jié)能可靠功率晶體管的一個重要里程碑?！?br />
英飛凌這款 100V G1 系列晶體管采用增強型設計，典型導通電阻低至 3.3mΩ，封裝在 3x5mm 的 PQFN 緊湊結構中，可在 - 40°C 至 + 150°C 環(huán)境穩(wěn)定工作。其高頻特性能將開關損耗降低 70% 以上，在 48V/12V 混合架構的區(qū)域控制單元、主 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，可使磁性元件體積縮減 30% 以上。

在區(qū)域控制單元與主 DC-DC 轉(zhuǎn)換器場景，48V/12V 混合架構中GaN 的高頻特性可減小電感、電容體積，提升轉(zhuǎn)換效率。

同時這款100V GaN FET也能夠應用于 ADAS、激光雷達、線控轉(zhuǎn)向等系統(tǒng)的高效供電，以及車載音頻放大器等。英飛凌表示，隨著汽車平臺從傳統(tǒng)的12V架構過渡到先進的48V系統(tǒng)，特別是在軟件定義汽車中，氮化鎵技術發(fā)揮著關鍵作用。它不僅提高了系統(tǒng)效率和性能，還實現(xiàn)了線控轉(zhuǎn)向和實時底盤控制等創(chuàng)新功能，有助于提高駕駛舒適性和精確控性。

英飛凌同步推出預生產(chǎn)型高壓 CoolGaN 晶體管和雙向開關，為車載充電器（OBC）和牽引逆變器的高壓應用鋪路。其 650V G5 系列已應用于消費電子和數(shù)據(jù)中心，未來有望向汽車高壓領域延伸。

目前GaN在汽車領域的應用已經(jīng)成為趨勢，英諾賽科已經(jīng)推出了多款車規(guī)級GaN產(chǎn)品。包括40V 的 INN040FQ045A-Q 采用 3x4mm FCQFN 封裝，導通電阻 4.5mΩ，通過 16 項嚴苛可靠性測試，適配高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器與電機驅(qū)動器；100V 的 INN100W135A-Q 則采用 2.13x1.63mm 超小封裝，開關速度較硅器件提升 13 倍，成為 L2+/L3 級自動駕駛激光雷達的核心器件。

Tier1廠商也在近幾年陸續(xù)推出基于GaN的OBC模塊產(chǎn)品，匯川聯(lián)合動力推出的6.6kW GaN 車載二合一電源，采用GaN功率器件，該產(chǎn)品采用了業(yè)內(nèi)先進的PFC變頻調(diào)制技術、動態(tài)母線控制技術、雙有源變換器調(diào)制技術，實現(xiàn)了整機96%的滿載效率，功率密度達到4.8kW/L，整機重量降低20%；

聯(lián)合電子首發(fā)的超級氮化鎵車載充電機，以 “GaN+SiC” 組合實現(xiàn) 6.8kW/L 功率密度，磁件體積縮減 60%；浩思動力則將 GaN 芯片集成于增程器發(fā)電系統(tǒng)，使整體效率提升 2%，電控體積縮減 30%；陽光電動力推出的二合一OBC，采用GaN器件以及單級拓撲架構，實現(xiàn)6.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率，整機重量可減輕25%以上。

英飛凌收購 GaN Systems 后，整合了電壓型和電流型驅(qū)動技術，形成覆蓋 40V 至 700V 的完整產(chǎn)品線。同時，在車規(guī)級產(chǎn)品上，英飛凌也得益于GaN Sysyems此前的積累，也終于正式入局車規(guī)級GaN FET產(chǎn)品。未來通過硅、SiC、GaN的技術組合，英飛凌將能夠在汽車領域提供從高壓到低壓的全鏈路產(chǎn)品組合。