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拆解永銘低ESR固態(tài)電容——從參數(shù)優(yōu)勢(shì)到實(shí)測(cè)表現(xiàn),如何為電源設(shè)計(jì)“降溫增效”?

上海永銘電子股份有限公司 ? 2025-10-25 11:06 ? 次閱讀
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各位電源工程師,你是否曾在調(diào)試樣機(jī)時(shí),被居高不下的紋波和燙手的電容困擾?尤其在追求高功率密度的今天,電容的ESR和紋波電流能力,已成為決定設(shè)計(jì)成敗的隱形門檻。本文將以永銘VPX/VPT系列為例,進(jìn)行一場(chǎng)深度技術(shù)剖析,看它如何用實(shí)實(shí)在在的數(shù)據(jù)解決這些痛點(diǎn)。

一、問題場(chǎng)景與痛點(diǎn)描述:不只是“發(fā)熱”那么簡(jiǎn)單
以一款典型的65W 2C2A氮化鎵快充為例,其在密閉空間內(nèi)需處理高達(dá)數(shù)百kHz的開關(guān)頻率。若使用普通固態(tài)電容(ESR約40mΩ),其在高頻下的損耗不容小覷。我們?cè)^測(cè)到,在滿載輸出時(shí),此類電容核心溫度可超過85℃,這不僅帶來熱安全風(fēng)險(xiǎn),更會(huì)因高溫導(dǎo)致容值衰減、ESR攀升,長(zhǎng)期可靠性存疑。

二、根本原因技術(shù)分析:ESR是“罪魁禍?zhǔn)住?/strong>
問題的核心在于ESR。損耗功率P_loss = I_rms2 × ESR。當(dāng)開關(guān)頻率升至100kHz,容抗(Xc)急劇減小,ESR成為阻抗的主要部分。以一個(gè)ESR 40mΩ的電容承載2A紋波電流計(jì)算,其單顆損耗就高達(dá)0.16W。在緊湊空間內(nèi),這部分熱量極難散發(fā)。永銘的方案是將ESR降至20mΩ,同等條件下?lián)p耗降至0.08W,發(fā)熱量直接減半,從根源上解決了溫升問題。

三、永銘解決方案與工藝優(yōu)勢(shì):材料與結(jié)構(gòu)的雙重革新
永銘的低ESR并非偶然,而是系統(tǒng)性工程的結(jié)果:

電解質(zhì)創(chuàng)新:采用專利的高電導(dǎo)率聚合物,離子電導(dǎo)率提升超30%,確保了高頻下極低的離子遷移阻抗。

陽極箔優(yōu)化:通過電化學(xué)刻蝕形成隧道狀孔洞結(jié)構(gòu),使得有效表面積最大化,提升了電荷的瞬時(shí)吞吐能力。

低內(nèi)阻構(gòu)建:從鋁殼、膠塞到導(dǎo)針的全鏈路低阻設(shè)計(jì),減少了不必要的寄生電阻和電感。

  1. 數(shù)據(jù)驗(yàn)證與可靠性說明:用數(shù)據(jù)說話
    我們對(duì)比測(cè)試了永銘VPX 25V100μF規(guī)格的固態(tài)電容在回流焊前后的測(cè)試數(shù)據(jù),ESR變化率整體控制在。其ESR值增幅僅為15.1%。證明產(chǎn)品卓越的熱穩(wěn)定性與工藝可靠性,能夠確保在SMT貼片后依然保持穩(wěn)定的電氣性能。

序號(hào)

100uF 25v 6.3*5.8 VPX 回流焊前

CAP

DF(%)

ESR(Ω)

LC(uA)

80~120

≤0.08

≤0.040

≤5

1

103.686

0.0149

0.0152

1.030

2

105.442

0.0142

0.0157

0.580

3

105.282

0.0145

0.0161

1.220

4

104.886

0.0149

0.0161

0.610

5

105.378

0.0153

0.0168

1.600

6

104.190

0.0152

0.0151

0.800

7

103.815

0.0144

0.0164

1.120

8

104.121

0.0153

0.0148

1.060

9

105.011

0.0149

0.0161

1.230

10

104.572

0.0142

0.0166

0.770

最大值:

105.442

0.0153

0.0168

1.600

最小值:

103.686

0.0142

0.0148

0.580

平均值:

104.638

0.0148

0.0159

1.002

序號(hào)

100uF 25v 6.3*5.8 VPX 回流焊后

CAP

DF(%)

ESR(Ω)

LC(uA)

80~120

≤0.08

≤0.040

≤10

1

103.331

0.0162

0.0176

2.640

2

104.989

0.0157

0.0184

1.290

3

104.920

0.0152

0.0186

2.090

4

104.498

0.0160

0.0182

2.150

5

105.011

0.0159

0.0192

2.250

6

103.731

0.0158

0.0170

3.050

7

103.415

0.0158

0.0189

2.730

8

103.599

0.0154

0.0173

2.840

9

104.611

0.0158

0.0186

2.370

10

104.081

0.0151

0.0192

1.880

最大值:

105.011

0.0162

0.0192

3.050

最小值:

103.331

0.0151

0.0170

1.290

平均值:

104.219

0.0157

0.0183

2.329

【實(shí)際案例】如倍思65W氮化鎵快充中采用了永銘VPX系列,其高效的散熱和穩(wěn)定的輸出,正是這些性能參數(shù)在終端產(chǎn)品上的完美體現(xiàn)。

wKgZPGj8Pj2AQMVMAACiHSkYzzE920.png倍思65W氮化鎵快充wKgZO2j8Pj6AHPcDAAYGz9vLMgY024.png充電頭網(wǎng)拆解

五、推薦型號(hào)

系列

溫度壽命

額定電壓

(浪涌電壓)(V)

標(biāo)稱容量

(μF)

產(chǎn)品尺寸

φD*L(mm)

LC

(μA,2min)

ESR(mΩ100kHz)

同行標(biāo)準(zhǔn)ESR(mΩ100kHz)

VPX

105℃

2000H

25(28.8)

100

6.3*5.8

25.0

20

40

25(28.8)

220

55.0

20

40

25(28.8)

270

67.5

20

40

35(41)

100

35.0

30

60

35(41)

120

42.0

30

60

35(41)

150

52.5

30

60

VPT

125℃ 2000H

25(28.8)

100

6.3*5.8

25.0

20

40

25(28.8)

220

55.0

20

40

25(28.8)

270

67.5

20

40

35(41)

100

35.0

30

60

35(41)

120

42.0

30

60

35(41)

150

52.5

30

60

六、結(jié)語
對(duì)于追求極致性能的工程師而言,一個(gè)電容的ESR值,可能就是整個(gè)系統(tǒng)性能的勝負(fù)手。永銘電子深諳此道,其“電容應(yīng)用,有困難找永銘”的定位,正是基于解決深度技術(shù)問題的能力。通過提供ESR低至20mΩ的頂尖產(chǎn)品,永銘正穩(wěn)步實(shí)現(xiàn)其“取代國際同行,成為頭部品牌”的產(chǎn)品目標(biāo),為國內(nèi)電源設(shè)計(jì)師提供更優(yōu)、更可靠的國產(chǎn)化芯片組件解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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