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中科微電ZK60G270G:車規(guī)級(jí)MOSFET中低壓場(chǎng)景的性能標(biāo)桿

中科微電半導(dǎo)體 ? 2025-10-27 14:18 ? 次閱讀
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汽車電子的中低壓功率控制領(lǐng)域,從電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)到智能水泵、風(fēng)機(jī)系統(tǒng),對(duì)器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的車規(guī)級(jí)N溝道MOSFET——ZK60G270G,憑借60V耐壓、270A超大電流的精準(zhǔn)參數(shù)設(shè)定,融合先進(jìn)CLIP SGT工藝與TOLL-8L封裝技術(shù),在嚴(yán)苛車規(guī)認(rèn)證與實(shí)際工況驗(yàn)證中表現(xiàn)突出,成為車身域與底盤域功率控制的優(yōu)選方案。

核心參數(shù)解碼:車規(guī)場(chǎng)景的精準(zhǔn)性能適配
ZK60G270G的參數(shù)體系深度契合汽車中低壓系統(tǒng)需求,每一項(xiàng)指標(biāo)均經(jīng)過(guò)車規(guī)級(jí)場(chǎng)景化打磨,實(shí)現(xiàn)了電壓適配、電流承載與能效表現(xiàn)的最優(yōu)平衡:

-寬幅電壓與超大電流的雙重保障:作為N溝道增強(qiáng)型器件,其60V漏源極擊穿電壓(BVdss)為24V車載系統(tǒng)提供充足安全裕量,可輕松抵御拋負(fù)載產(chǎn)生的58V瞬態(tài)高壓沖擊,同時(shí)兼容12V傳統(tǒng)燃油車與48V輕混系統(tǒng)。270A的連續(xù)漏極電流(ID)設(shè)計(jì)堪稱亮點(diǎn),不僅能滿足EPS系統(tǒng)100A以上的持續(xù)運(yùn)行需求,更可耐受1.5倍的瞬時(shí)峰值沖擊,從容應(yīng)對(duì)電機(jī)啟動(dòng)、堵轉(zhuǎn)等重載工況,而±20V的柵源電壓(Vgs)范圍則兼容各類車載驅(qū)動(dòng)IC,避免控制信號(hào)過(guò)壓損壞風(fēng)險(xiǎn)。

-低損耗與驅(qū)動(dòng)靈活性的協(xié)同優(yōu)化:導(dǎo)通電阻(Rds-on)是決定系統(tǒng)能效的核心指標(biāo),ZK60G270G在10V柵壓下典型值僅1mΩ,即使在4.5V低壓驅(qū)動(dòng)時(shí)也僅1.3mΩ,較同類產(chǎn)品降低30%以上。按100A工作電流計(jì)算,其導(dǎo)通損耗僅10W,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)器件的25W,直接減少系統(tǒng)散熱壓力。2.8V的典型閾值電壓(Vth)設(shè)計(jì),既保證了低驅(qū)動(dòng)電壓下的可靠導(dǎo)通,又避免了噪聲干擾導(dǎo)致的誤觸發(fā),為精準(zhǔn)控制提供基礎(chǔ)。

-車規(guī)級(jí)可靠性的參數(shù)支撐:器件通過(guò)100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證,具備出色的抗浪涌能力,可應(yīng)對(duì)電機(jī)反電動(dòng)勢(shì)帶來(lái)的瞬時(shí)能量沖擊。工作結(jié)溫覆蓋-55℃至175℃的極端范圍,在北方極寒地區(qū)的戶外啟動(dòng)與引擎艙高溫環(huán)境下均能穩(wěn)定運(yùn)行,參數(shù)漂移不超過(guò)5%,完全滿足車規(guī)級(jí)寬溫工作要求。

技術(shù)內(nèi)核:CLIP SGT工藝的車規(guī)級(jí)賦能
ZK60G270G的卓越性能源于中科微電在車規(guī)級(jí)工藝上的深度積淀,其采用的CLIP SGT(屏蔽柵溝槽+鋼夾連接)復(fù)合工藝,實(shí)現(xiàn)了可靠性與效能的雙重突破:

-SGT工藝的低損耗基因:屏蔽柵溝槽結(jié)構(gòu)通過(guò)在硅體內(nèi)構(gòu)建介質(zhì)隔離的雙多晶硅層,消除了傳統(tǒng)Trench工藝中的JFET電阻區(qū),使導(dǎo)通電阻顯著降低。這種結(jié)構(gòu)同時(shí)優(yōu)化了柵極電荷(Qg)特性,減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的動(dòng)態(tài)損耗,配合4.5V低壓驅(qū)動(dòng)能力,無(wú)需額外升壓電路即可適配經(jīng)濟(jì)型車載驅(qū)動(dòng)方案,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本。在高頻PWM調(diào)速場(chǎng)景中,該工藝能有效抑制米勒效應(yīng),減少電壓尖峰與振蕩,降低EMC電磁干擾風(fēng)險(xiǎn),無(wú)需復(fù)雜吸收電路即可滿足車載電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)。

-CLIP技術(shù)的可靠性強(qiáng)化:鋼夾(CLIP)連接技術(shù)的引入,將芯片與封裝引腳的連接電阻降低60%,同時(shí)提升了機(jī)械強(qiáng)度,使器件能通過(guò)10-2000Hz的持續(xù)振動(dòng)測(cè)試,完美適配底盤系統(tǒng)的顛簸工況。這種連接方式還優(yōu)化了散熱路徑,配合溝槽結(jié)構(gòu)的高導(dǎo)熱特性,使器件在滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)的結(jié)溫上升速率降低40%,為175℃的高結(jié)溫工作提供堅(jiān)實(shí)保障。

-車規(guī)級(jí)全流程質(zhì)控:從晶圓制造封裝測(cè)試,ZK60G270G全程遵循IATF16949質(zhì)量管理體系,關(guān)鍵工序采用自動(dòng)化設(shè)備確保一致性。每批次產(chǎn)品均抽取3批×77件樣品進(jìn)行AEC-Q101全項(xiàng)測(cè)試,包括1000次-55℃至150℃溫度循環(huán)、1000小時(shí)150℃高溫反偏等37項(xiàng)嚴(yán)苛考核,確保失效率(FIT值)達(dá)到個(gè)位數(shù)水平,MTBF(平均無(wú)故障時(shí)間)超100萬(wàn)小時(shí)。

封裝優(yōu)勢(shì):TOLL-8L的車規(guī)場(chǎng)景適配價(jià)值
TOLL-8L封裝作為專為車規(guī)中大功率場(chǎng)景設(shè)計(jì)的解決方案,為ZK60G270G的實(shí)際應(yīng)用提供了關(guān)鍵支撐,其價(jià)值體現(xiàn)在散熱、空間與可靠性三大維度:

-高效散熱的結(jié)構(gòu)保障:TOLL-8L封裝采用底部大面積裸露散熱焊盤設(shè)計(jì),散熱面積較傳統(tǒng)TO-252封裝增加30%,結(jié)到殼熱阻(RθJC)低至0.18℃/W,可快速將器件熱量傳導(dǎo)至PCB散熱銅層或外部散熱片。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,在150A工作電流下,僅通過(guò)PCB自然散熱即可將結(jié)溫控制在120℃以內(nèi),無(wú)需額外加裝散熱片,既簡(jiǎn)化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu),又降低了成本。

-多引腳布局的性能增益:8引腳設(shè)計(jì)突破了傳統(tǒng)2引腳封裝的局限,通過(guò)源極多引腳分流,有效降低了封裝寄生電感與電阻,使高頻開(kāi)關(guān)時(shí)的信號(hào)完整性提升50%。這種布局便于PCB對(duì)稱布線,配合器件正溫度系數(shù)特性,可實(shí)現(xiàn)多管并聯(lián)時(shí)的自然均流,無(wú)需額外均流電阻,特別適用于EPS等需要大電流冗余設(shè)計(jì)的場(chǎng)景。

-車規(guī)級(jí)的機(jī)械與環(huán)境適應(yīng)性:封裝采用耐高溫PPS材料,通過(guò)高壓蒸煮(PCT)測(cè)試驗(yàn)證,具備優(yōu)異的防潮絕緣性能,在90%濕度環(huán)境下持續(xù)工作1000小時(shí)無(wú)參數(shù)衰減。引腳采用無(wú)鉛電鍍工藝,焊接可靠性高,可耐受-40℃至125℃的溫度沖擊,完全適配汽車電子的復(fù)雜裝配與服役環(huán)境。

場(chǎng)景落地:汽車中低壓系統(tǒng)的功率控制實(shí)踐
憑借“高可靠、低損耗、大電流”的綜合優(yōu)勢(shì),ZK60G270G已在多款車型的中低壓系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用,展現(xiàn)出極強(qiáng)的場(chǎng)景適配能力:

-電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng):在某自主品牌SUV的EPS系統(tǒng)中,ZK60G270G組成的三相全橋驅(qū)動(dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)向電機(jī)0-6000rpm的精準(zhǔn)調(diào)速。270A的電流能力輕松應(yīng)對(duì)原地轉(zhuǎn)向時(shí)的120A峰值負(fù)載,1mΩ低導(dǎo)通電阻使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率從88%提升至94%,轉(zhuǎn)向響應(yīng)速度加快15%,同時(shí)電調(diào)模塊溫升降低18℃,徹底解決了傳統(tǒng)器件高溫性能衰減問(wèn)題。

-智能水泵與風(fēng)機(jī)系統(tǒng):新能源汽車的電子水泵需持續(xù)運(yùn)行保障電池散熱,ZK60G270G的低損耗特性使水泵運(yùn)行功耗降低22%,配合寬溫工作能力,在-30℃冬季啟動(dòng)時(shí)響應(yīng)時(shí)間小于200ms。在發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)機(jī)應(yīng)用中,其高頻開(kāi)關(guān)特性支持1kHz PWM調(diào)速,風(fēng)量控制精度達(dá)±2%,滿足不同工況下的散熱需求。

-車載電源與照明系統(tǒng):在48V輕混車型的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,ZK60G270G作為同步整流管,1.3mΩ的低壓驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻使轉(zhuǎn)換效率提升至96%以上,為車載娛樂(lè)系統(tǒng)與輔助設(shè)備提供穩(wěn)定供電。在矩陣式大燈驅(qū)動(dòng)中,其快速開(kāi)關(guān)特性支持200Hz PWM調(diào)光,燈光過(guò)渡平滑無(wú)頻閃,同時(shí)低損耗設(shè)計(jì)減少了燈控模塊的散熱負(fù)擔(dān)。

市場(chǎng)意義:國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET的突破價(jià)值
長(zhǎng)期以來(lái),汽車中低壓MOSFET市場(chǎng)被英飛凌安森美等國(guó)際品牌主導(dǎo),國(guó)內(nèi)車企面臨“交貨周期長(zhǎng)、成本高、定制響應(yīng)慢”的痛點(diǎn)。中科微電ZK60G270G的推出,精準(zhǔn)填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高電流車規(guī)MOSFET的市場(chǎng)空白,推動(dòng)了中低壓領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

在供應(yīng)鏈與成本層面,依托國(guó)內(nèi)晶圓廠與封裝基地,ZK60G270G的交貨周期從進(jìn)口產(chǎn)品的2-3個(gè)月縮短至15-20天,價(jià)格較同類進(jìn)口產(chǎn)品降低25%-35%。某車企采用該器件替代進(jìn)口型號(hào)后,單臺(tái)車輛的電調(diào)系統(tǒng)成本降低18%,年采購(gòu)成本節(jié)省超800萬(wàn)元,同時(shí)徹底擺脫了國(guó)際供應(yīng)鏈波動(dòng)的影響。

從行業(yè)趨勢(shì)看,隨著汽車電動(dòng)化與智能化升級(jí),24V/48V中低壓系統(tǒng)滲透率持續(xù)提升,對(duì)應(yīng)的車規(guī)MOSFET需求年增長(zhǎng)率達(dá)22%。ZK60G270G憑借AEC-Q101認(rèn)證背書(shū)、成熟的批量供應(yīng)能力與定制化服務(wù),已進(jìn)入多家主流車企的供應(yīng)商名錄,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)MOSFET在中低壓車規(guī)市場(chǎng)的市占率持續(xù)提升。

結(jié)語(yǔ)
中科微電ZK60G270G以60V/270A的精準(zhǔn)參數(shù)、CLIP SGT工藝的技術(shù)賦能與TOLL-8L封裝的場(chǎng)景適配,重新定義了車規(guī)級(jí)中低壓MOSFET的性能標(biāo)準(zhǔn)。它不僅通過(guò)了車規(guī)級(jí)的嚴(yán)苛驗(yàn)證,更在實(shí)際應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了“可靠性、能效性、經(jīng)濟(jì)性”的完美平衡,為汽車車身域與底盤域的功率控制提供了優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)方案。

隨著汽車電子向高集成、高可靠方向發(fā)展,中科微電若能持續(xù)深化寬禁帶材料應(yīng)用與集成化封裝技術(shù),有望在高壓車規(guī)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破。未來(lái),依托本土產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)與技術(shù)創(chuàng)新,國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)MOSFET必將在全球汽車電子市場(chǎng)占據(jù)更核心的地位,為汽車產(chǎn)業(yè)的電動(dòng)化轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

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    ZK100G325P深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場(chǎng)景革新

    中科ZK100G325P作為N溝道功率MOS管,以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù),融合SGT(屏蔽柵晶體管)工藝與高適配封裝,不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點(diǎn),更在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:53 ?630次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK100G</b>325P深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的<b class='flag-5'>中低壓</b>MOS管大功率<b class='flag-5'>場(chǎng)景</b>革新

    中科ZK200G120P:SGT工藝賦能的功率MOS管標(biāo)桿

    中科深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域11年,依托深厚的技術(shù)積淀與項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),推出的ZK200G120P N 溝道MOS管,以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:10 ?41次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK200G</b>120P:SGT工藝賦能的功率MOS管<b class='flag-5'>標(biāo)桿</b>

    中科ZK200G120B:源廠技術(shù)賦能的中低壓MOS管性能標(biāo)桿

    在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車、通信電源等中低壓功率場(chǎng)景中,功率MOS管的性能直接決定系統(tǒng)的能效、可靠性與成本控制。作為國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體源廠的代表性產(chǎn)品,中科
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:32 ?40次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK200G</b>120B:源廠技術(shù)賦能的<b class='flag-5'>中低壓</b>MOS管<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>標(biāo)桿</b>

    中科ZK200G120TP:中高壓MOS管新標(biāo)桿,賦能多領(lǐng)域高效能應(yīng)用

    在工業(yè)電源、新能源汽車輔助系統(tǒng)、光伏逆變器等中高壓功率場(chǎng)景中,MOS管的性能直接決定著系統(tǒng)的能效、可靠性與安全性。中科作為國(guó)內(nèi)資深MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-25 13:56 ?50次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK200G</b>120TP:中高壓MOS管新<b class='flag-5'>標(biāo)桿</b>,賦能多領(lǐng)域高效能應(yīng)用