來源：深圳市興萬聯(lián)電子有限公司投稿 作者：蔡友華

很多同事、同行、客戶都曾問到：DDR與SODDR有什么區(qū)別？LPDDR SOCAMM2又是什么？今天，我來為大家整理一份簡明的資料，進行一次系統(tǒng)性科普。如有錯漏，歡迎指正交流！

01 什么是DDR?

DDR全稱：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器)，中文俗稱“內(nèi)存”。自1997年第1代問世以來，已發(fā)展至第5代DDR5，走過二十多年歷程。

目前，JEDEC 國際固態(tài)技術(shù)協(xié)會已于2023年啟動 DDR6 規(guī)范討論，預(yù)計最快2026年發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)，下一代高速計算即將開啟。

02 DDR內(nèi)存是用來做什么的? 電腦沒有它行嗎?

簡單說：DDR 是 CPU 的“臨時工作臺”。CPU處理速度極快，CPU運算過程中產(chǎn)生的大量待處理數(shù)據(jù)，但傳統(tǒng)機械硬盤、SSD等外存讀寫速度較慢，沒法跟上CPU的節(jié)奏。而 DDR 內(nèi)存具備高速讀寫能力，可暫存操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和實時數(shù)據(jù)，讓 CPU 快速存取，減少等待時間，保障計算流程的高效與連續(xù)。沒有 DDR內(nèi)存，電腦將無法正常運行---它雖不長期存儲數(shù)據(jù)，卻是系統(tǒng)流暢運行的“關(guān)鍵橋梁”。

而DDR根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用又分DDR UDIMM、DDR R/LRDIMM、DDR CUDIMM、DDR MRDIMM 、DDR SODIMM、LPDDR CAMM2、LPDDR5 SOCAMM2等多種規(guī)格，下面我將逐一解析。

DDR UDIMM：DDR Unbuffered Dual In-Line Memory Module，中文名無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組。因無緩沖設(shè)計，數(shù)據(jù)信號直接在內(nèi)存顆粒與內(nèi)存控制器之間傳輸，延遲低、成本低，主要應(yīng)用于臺式機、消費類設(shè)備中。

DDR RDIMM：DDR Registered Dual In-Line Memory Module，中文名帶緩沖雙列直插式內(nèi)存模組。是一種面向服務(wù)器的高性能內(nèi)存類型，通過板載寄存器和時鐘驅(qū)動芯片提升信號穩(wěn)定性及內(nèi)存容量。Registered內(nèi)存本身有兩種工作模式，即 Registered模式(寄存器模式)和Buffered(緩沖器模式)模式。DDR LRDIMM(DDR Load-Reduced DIMM)是一種專為服務(wù)器設(shè)計的內(nèi)存技術(shù)，通過優(yōu)化電氣負載和功耗，提升內(nèi)存容量和效率。

DDR CUDIMM：DDR Clocked Unbuffered DIMM，即時鐘無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組，它是在傳統(tǒng)的無緩沖 UDIMM 內(nèi)存的基礎(chǔ)上增加了一個時鐘驅(qū)動器(CKD)，用來接收來自內(nèi)存控制器的時鐘信號，恢復(fù)其幅度和保真度后，再傳遞給內(nèi)存顆粒。這樣可以減少時鐘信號在傳輸過程中的衰減和失真，增強信號的完整性和穩(wěn)定性。CUDIMM主要應(yīng)用于對個人電腦內(nèi)存有更高要求DIY玩家，用于超頻使用。

DDR MRDIMM：DDR Multiplexed Rank DIMM ，是一種通過地址線復(fù)用技術(shù)提升帶寬的內(nèi)存模組，主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心和AI服務(wù)器，支持更高容量和帶寬需求。MRDIMM通過復(fù)用地址線在不同Rank間切換，減少物理引腳需求，理論上可將兩條DDR5內(nèi)存合并為DDR5-9600規(guī)格，目標(biāo)實現(xiàn)DDR5-17600帶寬。

DDR SODIMM：DDR Small Outline DIMM(小型雙列直插內(nèi)存模組)，專為空間受限設(shè)備設(shè)計的緊湊型內(nèi)存，體積比標(biāo)準(zhǔn)DIMM小約50%，引腳更密集，例如筆記本電腦。

LPDDR CAMM2：Low Power Double Data Rate Compression Attached Memory Module 2，中文全稱是低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器壓縮附著式內(nèi)存模組。后綴多了個“2”，主要是DDR CAMM技術(shù)最原始是由DELL提出并應(yīng)用，后推薦到JEDEC協(xié)會定義標(biāo)準(zhǔn)并推廣，為區(qū)別DELL的 DDR CAMM，故在后面增加了后綴“2”，可以理解為CAMM技術(shù)的第二代。

LPDDR SOCAMM2：Low Power Double Data Rate Small Outline Compression Attached Memory Module 2，中文全稱是低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器小型壓縮附著式內(nèi)存模組。SOCAMM2 是由 英偉達聯(lián)合三星、SK海力士和美光科技 共同開發(fā)的新型內(nèi)存技術(shù)，旨在應(yīng)對人工智能(AI)服務(wù)器對高帶寬、低功耗的迫切需求。

接下來我們通過表格形式，對各種DDR的內(nèi)存卡與連接器的規(guī)格、形狀、應(yīng)用等進行匯總與對比：

部分圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，僅供學(xué)習(xí)參考用。

通過上面詳細的講解、比較，相信大家已經(jīng)對DDR有了基本的認(rèn)識，下面我們再比較一下各種DDR連接器規(guī)格參數(shù)(只列舉目前最新的第五代各種DDR規(guī)格)：

最后我們比較一下最常用的DDR1到DDR5、SODDR1到SODDR5內(nèi)存條之間的區(qū)別。

下表為DDR1~DDR5內(nèi)存條：

備注：

1.圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，僅供學(xué)習(xí)參考用。

2.DDR1到DDR5，每一代內(nèi)存卡的防呆開口位置均不一樣。

3.DDR1到DDR4，UDIMM、RDIMM連接器是一樣的，沒做區(qū)分;到了DDR5，UDIMM與RDIMM連接器做了區(qū)分，防呆開口位置不一樣。

下表為SODDR1~SODDR5內(nèi)存條：

備注：

1.圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，僅供學(xué)習(xí)參考用。

2.SODDR1到SODDR5，每一代內(nèi)存卡的防呆開口位置均不一樣。

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審核編輯 黃宇