STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET設計用于中/高壓MOSFET，具有非常低的單位面積R DS(on) 。該器件采用創(chuàng)新的超級結MDmesh M9技術，具有多漏極制造工藝，可實現(xiàn)增強型器件結構。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

STM STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET具有低導通電阻和較低的柵極電荷值。得益于以上特性，STP65N045M9特別適合用于需要出色功率密度和出色效率的應用。

特性

• 在硅基器件中具有出色的單位面積RDS(on)
• 較高的VDSS額定值
• 更高dv/dt能力
• 出色的開關性能
• 易于驅動
• 100%經雪崩測試

典型應用

?STP65N045M9功率MOSFET技術解析與應用指南?

一、器件核心技術特性

?1.1 關鍵電氣參數(shù)?

• ?耐壓能力?：650V Drain-source breakdown voltage (V(BR)DSS)，適用高壓開關場景
• ?導通阻抗?：典型值39mΩ，最大值45mΩ @ VGS=10V, ID=28A
• ?電流規(guī)格?：連續(xù)漏電流55A @ TC=25°C，降額至35A @ TC=100°C
• ?柵極特性?：閾值電壓3.2-4.2V，總柵極電荷80nC

?1.2 MDmesh M9技術優(yōu)勢?
采用超結技術制造，在硅基器件中實現(xiàn)單位面積最低RDS(on)，具備：

• 增強的dv/dt耐受能力（120V/ns）
• 優(yōu)化的柵極電荷特性
• 100%雪崩測試保障

二、動態(tài)性能深度分析

?2.1 開關特性?

• ?開通過程?：
  • 電流延遲時間(td(i))：32ns
  • 電流上升時間(tr(i))：23ns
  • 電壓下降時間(tf(v))：37ns
  • 導通交叉時間(tc(on))：42ns
• ?關斷過程?：
  • 電壓延遲時間(td(v))：78ns
  • 電壓上升時間(tr(v))：3.5ns
  • 電流下降時間(tf(i))：10ns

?2.2 電容特性?

• 輸入電容(Ciss)：4610pF @ VDS=400V
• 輸出電容(Coss)：76pF @ VDS=400V
• 米勒電容(Crss)：885pF @ VDS=400V

三、熱管理與可靠性設計

?3.1 散熱參數(shù)?

• 結殼熱阻(RthJC)：0.51°C/W
• 結環(huán)熱阻(RthJA)：62.5°C/W
• 最大功耗：245W @ TC=25°C

?3.2 溫度特性曲線?

• RDS(on)溫度系數(shù)：正溫度特性，150°C時約為室溫值的2倍
• VGS(th)負溫度系數(shù)：隨溫度升高而降低

四、關鍵應用設計要點

?4.1 柵極驅動設計?

• 推薦驅動電壓：10-15V
• 柵極電阻選擇：基于開關速度與EMI需求平衡
• 驅動電流需求：根據(jù)Qg=80nC與開關頻率計算

?2.2 雪崩能量耐受?

• 單脈沖雪崩能量(EAS)：775mJ @ TJ=25°C
• 重復雪崩電流(IAR)：6A

?4.3 體二極管特性?

• 正向壓降：1.5V @ ISD=55A
• 反向恢復時間：288ns @ TJ=25°C
• 反向恢復電荷：4μC @ TJ=25°C

五、實際應用場景

?5.1 適用拓撲?

• 開關電源（PFC、LLC諧振變換器）
• 電機驅動（工業(yè)電機、電動車控制器）
• 太陽能逆變器
• UPS不間斷電源

?5.2 布局建議?

• 功率回路最小化寄生電感
• 柵極驅動路徑與功率路徑隔離
• 充分散熱設計確保結溫<125°C

六、選型對比優(yōu)勢

在與同類650V MOSFET的對比中，STP65N045M9展現(xiàn)出：

• 更優(yōu)的FOM（RDS(on)×Qg）
• 增強的dv/dt魯棒性
• TO-220封裝便于安裝與散熱

七、設計檢查清單

1. ?電壓應力?：工作VDS留有余量，考慮開關尖峰
2. ?電流能力?：根據(jù)實際溫升條件降額使用
3. ?驅動強度?：確保柵極充分快速充放電
4. ?熱設計?：核算最大功耗下的結溫升高
5. ?保護電路?：過流、過溫、雪崩能量保護