STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設計用于中/高壓MOSFET，具有單位區(qū)域極低的RDS(on) 和快速恢復二極管。該器件采用創(chuàng)新的超結MDmesh DM9技術，提供多漏極制造工藝，從而實現器件結構的增強。

數據手冊：*附件：STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET數據手冊.pdf

STM STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET具有非常低的恢復充電/電荷（Q rr ）、時間（t rr ）和RDS(on) ?？焖匍_關超級結功率MOSFET量身定制的這些特性使其非常適用于最苛刻的高效橋式拓撲和ZVS相移轉換器。

特性

• 快速恢復體二極管
• 在硅基快速恢復器件中，每區(qū)域的RDS(on) 優(yōu)異
• 低柵極充電/電荷、輸入電容和電阻
• 100%經雪崩測試
• 極高dv/dt耐受性

典型應用

?STP60N043DM9功率MOSFET技術解析與應用指南?

一、產品核心特性概述

STP60N043DM9是STMicroelectronics采用最新MDmesh DM9技術開發(fā)的N溝道功率MOSFET，具有突破性的性能參數組合：

• ?額定電壓?：600V Drain-Source擊穿電壓
• ?導通電阻?：38mΩ典型值（43mΩ最大值）
• ?連續(xù)電流?：56A（TC=25℃）/35A（TC=100℃）
• ?封裝形式?：TO-220標準功率封裝

二、關鍵電氣參數深度分析

2.1 靜態(tài)特性

?絕對最大額定值?：

• 門極-源極電壓(VGS): ±30V
• 最大功耗(PTOT): 245W（TC=25℃）
• 工作結溫范圍(TJ): -55℃至150℃

?導通特性?：

• 門極閾值電壓(VGS(th)): 3.5-4.5V
• 靜態(tài)導通電阻(RDS(on)):
  • 典型值38mΩ @ VGS=10V, ID=28A
  • 最大值43mΩ

2.2 動態(tài)性能

?開關特性?（VDD=400V, ID=28A, RG=4.7Ω條件下）：

• 開通延遲時間(td(on)): 75ns
• 開通上升時間(tr): 3.5ns
• 關斷延遲時間(td(off)): 34ns
• 關斷下降時間(tf): 48ns

?柵極電荷參數?：

• 總柵極電荷(Qg): 78.6nC
• 柵源電荷(Qgs): 29nC
• 柵漏電荷(Qgd): 20nC

三、技術優(yōu)勢解析

3.1 MDmesh DM9技術創(chuàng)新

該器件基于超級結MDmesh DM9技術，在多漏極制造工藝的支持下實現：

• ? 單位面積最低RDS(on) ?：在硅基快速恢復器件中表現優(yōu)異
• ?快速恢復體二極管?：具備極低的恢復電荷(Qrr)、恢復時間(trr)
• ?增強型器件結構?：優(yōu)化了功率密度和開關性能

3.2 關鍵性能亮點

• ?高dv/dt耐受性?：1300V/ns，確保在惡劣開關環(huán)境下的可靠性
• ?100%雪崩測試?：提供完整的單脈沖雪崩能量(EAS)775mJ
• ?低輸入電容?：Ciss=4675pF，減少驅動電路負擔

四、應用場景指導

4.1 優(yōu)選應用領域

1. ?高效橋式拓撲?：得益于快速恢復特性，特別適合全橋、半橋結構
2. ?ZVS相移轉換器?：低Qg和優(yōu)化的開關特性提升零電壓開關性能
3. ?LLC諧振轉換器?：低導通損耗和優(yōu)良的開關特性

4.2 設計考量要點

?熱管理設計?：

• 結-殼熱阻(RthJC): 0.51℃/W
• 結-環(huán)境熱阻(RthJA): 62.5℃/W
• 建議配合適當散熱器使用，確保結溫不超過150℃

?驅動電路設計?：

• 推薦驅動電壓10-15V，確保充分導通
• 考慮柵極電阻對開關速度的影響，合理選擇RG值

五、數據手冊關鍵圖表解讀

5.1 安全工作區(qū)(SOA)

• 單脈沖操作下支持高電流瞬態(tài)
• 受限于最大結溫，需結合熱阻參數計算

5.2 溫度特性曲線

• RDS(on)與溫度正相關，高溫環(huán)境下需降額使用
• VGS(th)具有負溫度系數，高溫下需確保足夠的驅動電壓

六、可靠性驗證與測試標準

該器件經過嚴格的生產測試流程：

• 100%雪崩能量測試
• 完整的靜態(tài)和動態(tài)參數測試
• 溫度特性驗證（-55℃至150℃）

七、選型對比建議

當設計600V級功率系統(tǒng)時，STP60N043DM9在以下場景具有明顯優(yōu)勢：

• 需要快速開關性能的高頻應用
• 對效率要求嚴格的電源設計
• 空間受限但需要高功率密度的場合