在有機單晶電學性能表征領域，四探針測量技術因能有效規(guī)接觸電阻干擾、精準捕捉材料本征電學特性而成為關鍵方法，Xfilm 埃利四探針方阻儀作為該領域常用的專業(yè)測量設備，可為相關研究提供可靠的基礎檢測支持。

本文基于四端自然粘附接觸（NAC）技術，進一步優(yōu)化有機單晶四探針測量方案，以α-(BEDT-TTF)?I?為研究對象，通過四探針測量觀測到陡峭的金屬- 絕緣體轉變溫度依賴性，且以光刻工藝保證四探針電極圖案精度，解決傳統方法在四探針測量中的局限性。

四端自然粘附接觸（NAC）由聚對二甲苯薄膜與表面制備的精細多端電極圖案組成。制備流程：

基底準備：清洗玻璃“制備基底”，浸泡光刻膠剝離液（便于后續(xù)NAC 剝離）。

薄膜蒸鍍：在制備基底上蒸鍍900nm 厚聚對二甲苯薄膜（選聚對二甲苯原因：硬度高，剝離時Au 電極不破裂；表面可光刻；氣相成膜 conformal；化學穩(wěn)定、機械柔性）。

電極制備：真空蒸鍍30nm 厚 Au 薄膜，通過標準光刻+ 蝕刻工藝形成四探針電極圖案。

NAC 剝離：用膠帶加固聚對二甲苯薄膜邊緣，從制備基底上小心剝離，得到NAC。

樣品組裝與四探針測量參數調整

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NAC結構（左）和樣品（右）的示意圖

將α-(BEDT-TTF)?I?單晶（通過電化學法生長，尺寸數百微米）預先粘附于PDMS 涂層 Neoplim 薄膜表面，使用含四軸微臺與數字顯微鏡的自制夾具，實現NAC 與晶體的精準對準，依靠自然粘附固定，若存在氣泡則通過真空抽排消除。四探針測量系統采用低溫恒溫器與溫度控制器，設定目標溫度、等待時間及溫度容差（ΔT），待溫度偏差<ΔT 后執(zhí)行四探針測量，單次測量溫度精度達0.07-0.09 K。

四探針電阻-溫度關系

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α-(BEDT-TTF)?I?四端電阻的溫度依賴性

四探針測量結果顯示，α-(BEDT-TTF)?I?在約140 K處出現清晰金屬- 絕緣體轉變：140 K 以上電阻隨溫度降低而減小，呈現金屬性溫度依賴性；140 K 以下電阻隨溫度降低而增大，表現為絕緣性，與已有研究一致。兩次測量循環(huán)中，電阻數據無明顯退化，證明NAC 在低溫四探針測量中的穩(wěn)定性。

接觸電阻分析與四探針測量優(yōu)勢

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在使用NAC 對α-(BEDT-TTF)?I?進行通道長度修正后，觀察到的接觸電阻的溫度依賴性（接觸電阻是通過從雙端電阻中減去四端電阻得出的）

通過對比二端與四端電阻（結合溝道長度校正），提取接觸電阻分量：在金屬- 絕緣體相變溫度（T_MI）以上，接觸電阻主導總電阻且溫度依賴性弱；T_MI以下，體電阻因快速增大成為主導。若僅采用二端測量，會因接觸電阻掩蓋體電阻的本征金屬性（如140 K 以上體電阻的金屬特性），而四探針測量可有效排除接觸電阻干擾，獲取晶體真實電學性能。

NAC 在四探針測量中的普適性

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NAC 因薄且靈活，可粘附于塊狀至薄片形態(tài)的有機晶體（需足夠鏡面表面積）。對塊狀β-(BEDT-TTF)?PF?的四探針測量顯示，其在 295 K 左右的金屬 - 絕緣體轉變特性可被準確捕捉，進一步驗證該技術在寬尺寸范圍有機單晶四探針測量中的適用性。

綜上，本文提出的四端自然粘附接觸技術（NAC），為有機單晶四探針電學測量提供有效解決方案：

該方法依靠自然粘附避免熱/ 化學損傷，且低溫下穩(wěn)定。

有效排除接觸電阻干擾，為有機單晶電學性能研究提供新路徑。

適用尺寸范圍廣，涵蓋薄片微晶體至塊狀有機晶體，可實現數百微米級晶體的多端電學接觸。

Xfilm埃利四探針方阻儀

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Xfilm埃利四探針方阻儀用于測量薄層電阻（方阻）或電導，可以對樣品進行快速、自動的掃描，獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

超高測量范圍，測量1mΩ~100MΩ

高精密測量，動態(tài)重復性可達0.2%

全自動多點掃描，多種預設方案亦可自定義調節(jié)

快速材料表征，可自動執(zhí)行校正因子計算

基于四探針法的Xfilm埃利四探針方阻儀，憑借智能化與高精度的電阻測量優(yōu)勢，助力有機單晶電學性能表征，推動多領域的材料檢測技術升級。

#四探針#薄層電導測量#方阻測量#表面電阻測量

原文參考：《Effective Method for Multi-Probe Electrical Measurementsof Organic Single Crystals: Four-Terminal Natural Adhesion Contact》