STMicroelectronics STEVAL-CTM012V1評估板為基于STSPIN32F0601Q BLDC控制器的三相逆變器提供參考設計。STSPIN32F0601Q內置600V三半橋柵極驅動器和Arm? Arm? Cortex?-M0 STM32微控制器。下部和上部驅動部分還集成了高壓自舉二極管,以及防交叉?zhèn)鲗А⑺绤^(qū)時間和UVLO保護。這些特性可防止電源開關在低效率或危險條件下運行。低側和高側部分之間的匹配延遲可確保無周期失真。STEVAL-CTM012V1評估板的逆變器功率級還設有六個STD8N60DM2 N溝道MDmesh? MOSFET。
數(shù)據手冊:*附件:STMicroelectronics STEVAL-CTM012V1評估板數(shù)據手冊.pdf
STMicroelectronics STEVAL-CTM012V1評估板支持1分流和2+1分流檢測拓撲。通過安裝一組跳線,可以輕松設置分流拓撲。
該評估板還可配置為實現(xiàn)無傳感器磁場定向控制 (FOC)。這樣即可驅動永磁同步電機 (PMSM) 和無刷直流 (BLDC) 電機,以涵蓋各種應用,例如冰箱壓縮機、泵、風扇和工業(yè)電器。
STEVAL-CTM012V1評估板兼容各種輸入電壓。該評估板的功率級設有VIPER122高壓轉換器,可產生應用所需的+15V和+3.3V電源電壓。
特性
- 緊湊型解決方案,尺寸僅為7.5cm x 11.2cm
- 由即用型硬件和固件制造的完整系統(tǒng)解決方案
- 適合由主電源供電的各種應用,額定功率高達250W
- 冰箱壓縮機
- 泵和風扇
- 工業(yè)設備
- 高逆變器效率:>97.0%(3000rpm時)
電路板布局(頂部)

電路板布局(底部)

STEVAL-CTM012V1評估板技術解析與應用指南
一、產品概述
STEVAL-CTM012V1評估板是一款基于STSPIN32F0601Q控制器和STD8N60DM2 MOSFET的高效250W壓縮機解決方案。該評估板集成了完整的硬件和固件系統(tǒng),為電機控制應用提供即用型解決方案。
? 核心組成要素: ?
- 主控制器:STSPIN32F0601Q(集成STM32 MCU的三相600V柵極驅動器)
- 功率器件:STD8N60DM2 MOSFET(600V,8A額定電流)
- 配套固件:X-CUBE-MCSDK電機控制軟件開發(fā)套件
- 專用固件示例:STSW-CTM011壓縮機電機固件
二、技術特性詳解
1. 性能參數(shù)
- ?功率等級?:支持最高250W應用
- ?效率表現(xiàn)?:
- 變頻器效率:>96.5%(3000rpm條件下)
- COP效率:>1.94(3000rpm條件下)
- ?尺寸優(yōu)勢?:緊湊設計,僅7.5×11.2cm
2. 系統(tǒng)架構
? 電源供應設計: ?
采用VIPER122的反激式配置,生成應用所需的+15V和+3.3V供電電壓,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
? 逆變器功率級: ?
基于STD8N60DM2 MOSFET構建,具備600V耐壓和8A電流承載能力。
3. 傳感拓撲支持
評估板支持靈活的電流檢測配置:
- ?單分流解決方案?:默認配置模式
- ?雙分流解決方案?:通過跳線設置實現(xiàn)
支持單分流或二加一分流拓撲的無傳感器磁場定向控制(FOC)
三、硬件設計要點
1. 功率電路設計
? MOSFET驅動保護: ?
- 柵極串聯(lián)電阻(10Ω)限制開關速度
- BAT46ZFILM二極管提供柵極放電路徑
- 510Ω電阻確保柵極穩(wěn)定偏置
? 緩沖電路配置: ?
在MOSFET的漏源極間配置0.1μF/630V CBB61電容,有效抑制電壓尖峰。
2. 信號調理電路
? 電流檢測網絡: ?
- 采用0.1Ω采樣電阻(SR3)
- TSV912ID運算放大器進行信號放大
- RC濾波網絡(100pF+1kΩ)抑制高頻噪聲
? ADC輸入保護: ?
各相電壓檢測通道配置33pF/20pF電容組成低通濾波器,確保采樣精度。
四、軟件開發(fā)生態(tài)
1. 開發(fā)工具鏈
2. 控制算法實現(xiàn)
支持永磁同步電機(PMSM)和無刷直流電機(BLDC)的無傳感器FOC控制,覆蓋廣泛的工業(yè)應用需求。
五、應用場景分析
1. 主要目標市場
- ?家用電器?:冰箱壓縮機驅動
- ?工業(yè)設備?:水泵和風機控制
- ?工業(yè)儀器?:各類工業(yè)電器設備
2. 設計優(yōu)勢
- ?寬輸入電壓范圍?:適配不同電網標準
- ?高集成度?:減少外圍元件數(shù)量
- ?靈活性?:支持多種檢測拓撲和控制策略
六、設計建議與注意事項
1. PCB布局指導
- 功率路徑應保持短而寬,減少寄生電感
- 信號地與功率地合理分離
- 去耦電容就近放置于芯片供電引腳
2. 熱管理考量
基于STD8N60DM2 MOSFET的550mΩ典型導通電阻,在滿載條件下需確保足夠的散熱措施。
3. EMI優(yōu)化策略
- 合理選擇開關頻率平衡效率與EMI
- 使用推薦的濾波元件參數(shù)
- 遵循官方提供的布局建議
-
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