電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項(xiàng)性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上的標(biāo)桿。

在全球 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等高能耗應(yīng)用推動(dòng)能源需求激增的背景下，功率半導(dǎo)體的能效與功率密度已成為技術(shù)升級(jí)的核心瓶頸。而垂直GaN與目前市面上主流的橫向 GaN 器件不同，該技術(shù)采用單芯片 GaN-on-GaN 設(shè)計(jì)，讓電流垂直貫穿芯片本體而非沿表面?zhèn)鲗?dǎo)，這種類似 “建造摩天大樓而非平房” 的創(chuàng)新架構(gòu)，徹底釋放了氮化鎵材料的性能潛力。

其核心優(yōu)勢(shì)源于精密的制造工藝與獨(dú)特的材料特性：在超過 1000℃（接近火山熔巖溫度）的高精度控制熔爐中，原子以每層十億分之一米的精度逐層沉積，實(shí)現(xiàn)晶體的完美均勻性；而氮化鎵本身的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，使鎵原子與氮原子交替堆疊，賦予其遠(yuǎn)超立方硅的獨(dú)特電子與光學(xué)性能。依托紐約錫拉丘茲研發(fā)團(tuán)隊(duì)的深耕，該技術(shù)已斬獲 130 多項(xiàng)全球?qū)＠?，全面覆蓋基礎(chǔ)工藝、器件設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)創(chuàng)新四大核心環(huán)節(jié)。

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，垂直 GaN 器件可輕松應(yīng)對(duì) 1200V 及以上高壓，能量損耗較傳統(tǒng)方案降低近 50%，同時(shí)體積僅為市售橫向 GaN 器件的三分之一。更高的開關(guān)頻率還能將電容器、電感器等無源元件尺寸縮減約一半，實(shí)現(xiàn) “更小體積、更低能耗、更低散熱需求” 的三重突破，為高功率系統(tǒng)的輕量化、緊湊化設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵支撐。

安森美的垂直氮化鎵技術(shù)采用單芯片設(shè)計(jì)，可應(yīng)對(duì)1200V及以上高壓，高頻開關(guān)大電流，能效卓越?；谠摷夹g(shù)構(gòu)建的高端電源系統(tǒng)能降低近50%的能量損耗，同時(shí)因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動(dòng)元件尺寸可縮減約一半。而且，與目前市售的橫向GaN器件相比，垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。

在 AI 數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，隨著算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，部分?jǐn)?shù)據(jù)中心耗電量已超越中小型城市，800V DC-DC 轉(zhuǎn)換器的功率密度與成本控制成為關(guān)鍵。垂直 GaN 技術(shù)通過減少元器件數(shù)量，顯著提升轉(zhuǎn)換器功率密度，大幅優(yōu)化單機(jī)架成本，為 AI 算力擴(kuò)張?zhí)峁└咝茉粗巍?br />
電動(dòng)汽車與充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，該技術(shù)可打造更小、更輕、更高效的車載逆變器，直接提升車輛續(xù)航里程；同時(shí)賦能更快、更緊湊、更穩(wěn)健的充電設(shè)備，破解電動(dòng)汽車 “充電慢、設(shè)備大” 的行業(yè)痛點(diǎn)。

在可再生能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)中，垂直 GaN 的高電壓處理能力與低能耗優(yōu)勢(shì)，可提升太陽能、風(fēng)能逆變器的能量轉(zhuǎn)換效率，為電池變流器和微電網(wǎng)提供快速、高密度的雙向供電，助力清潔能源規(guī)?；瘧?yīng)用。

此外，在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，它能研發(fā)出體積更小、散熱更佳的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與機(jī)器人系統(tǒng)；在航空航天、國(guó)防安全領(lǐng)域，其高可靠性、強(qiáng)穩(wěn)健性與緊湊設(shè)計(jì)的特性，正助力打造下一代高性能裝備。

而目前垂直GaN也已經(jīng)成為行業(yè)的一個(gè)焦點(diǎn)方向。今年7月，廣東致能CEO黎子蘭博士，在瑞典舉辦的全球氮化物半導(dǎo)體頂尖會(huì)議ICNS(國(guó)際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議)上發(fā)表邀請(qǐng)報(bào)告，首次報(bào)道了廣東致能的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。

致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實(shí)現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個(gè)垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長(zhǎng)用硅襯底并在背面制作漏電極，器件實(shí)現(xiàn)了垂直的電極結(jié)構(gòu)布局和極高的散熱能力。