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富士通公司研發(fā)可增加電流和電壓的晶體結(jié)構(gòu),輸出功率增加三倍。

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-24 15:40 ? 次閱讀
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近日,日本富士通有限公司和富士通實驗室有限公司宣布,他們在氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)中開發(fā)出一種可以增加電流和電壓的晶體結(jié)構(gòu),有效地將微波頻帶中發(fā)射器用晶體管的輸出功率增加三倍。

GaN HEMT技術(shù)可以作為天氣雷達(dá)等設(shè)備的功率放大器-通過將新技術(shù)應(yīng)用于該地區(qū),預(yù)計雷達(dá)的觀測范圍將擴大2.3倍,從而能夠及早發(fā)現(xiàn)積雨云可能發(fā)展成暴雨的云。

為了擴大雷達(dá)等設(shè)備的觀測范圍,必須增加功率放大器中使用的晶體管的輸出功率。然而,對于傳統(tǒng)技術(shù),施加高電壓可能容易損壞晶體管的晶體。因此,技術(shù)上難以同時增加電流和電壓,這是實現(xiàn)高輸出功率GaN HEMT所需的。

富士通和富士通實驗室現(xiàn)已開發(fā)出一種晶體結(jié)構(gòu),通過將施加的電壓分散到晶體管來改善工作電壓,防止晶體損壞。該技術(shù)使富士通能夠使用氮化銦鋁(InAlGaN)阻擋層實現(xiàn)GaN HEMT的每毫米柵極寬度19.9瓦的記錄功率密度。

發(fā)展背景

除了近年來在長距離無線電波應(yīng)用(如雷達(dá)和無線通信)中廣泛使用的高頻功率放大器之外,GaN HEMT還有望用于天氣雷達(dá),以準(zhǔn)確地觀察局部暴雨,以及用于第五代移動通信5G)的毫米波段無線通信。通過增加用于發(fā)射機的高頻GaN HEMT功率放大器的輸出功率,可以擴展用于雷達(dá)和無線通信的微波和毫米波波段的微波傳播。這允許擴展雷達(dá)觀測范圍以及更長距離和更高容量的通信。

自21世紀(jì)初以來,富士通實驗室一直在進行GaN HEMT的研究,目前提供用于各種領(lǐng)域的鋁鎵氮(AlGaN)HEMT。最近,它一直在研究銦鋁鎵氮(InAlGaN)HEMT作為新一代GaN HEMT技術(shù),當(dāng)高密度電子變得可用時,它能夠?qū)崿F(xiàn)高電流操作。因此,富士通和富士通實驗室已經(jīng)開發(fā)出一種同時實現(xiàn)高電流和高電壓的晶體結(jié)構(gòu)。

存在問題

為了提高晶體管的輸出功率,必須實現(xiàn)高電流和高電壓操作。正在研究用于下一代GaN HEMT的InAlGaN HEMT,這將有助于增加電流,因為InAlGaN HEMT可以增加晶體管內(nèi)的電子密度。然而,當(dāng)施加高電壓時,過量的電壓集中在電子供給層的一部分上,損壞晶體管內(nèi)的晶體。因此,這些晶體管存在一個嚴(yán)重的問題,即它們的工作電壓無法增加(下圖)。

圖1:晶體損傷的機理和新的晶體結(jié)構(gòu)。

新開發(fā)的技術(shù)

富士通和富士通實驗室開發(fā)了一種晶體管,通過在電子供給層和電子溝道層之間插入高阻AlGaN間隔層,可以提供高電流和高電壓。

對于傳統(tǒng)的InAlGaN HEMT,柵極和漏極之間的所有施加電壓都施加到電子供給層,并且在電子供給層中產(chǎn)生許多具有高動能的電子。這些隨后猛烈撞擊包含晶體結(jié)構(gòu)的原子,造成損害。由于這種現(xiàn)象,晶體管的最大工作電壓受到限制。

通過插入新開發(fā)的高電阻AlGaN間隔層,晶體管內(nèi)的電壓可以分散在電子供給層和AlGaN間隔層兩者上。通過降低電壓濃度,可以抑制晶體內(nèi)電子動能的增加,并且可以防止對電子供給層的損壞,從而提高高達(dá)100V的工作電壓。如果源電極和柵電極之間的距離為1cm,這將對應(yīng)于超過300,000V。

圖2:新型GaN HEMT晶體管結(jié)構(gòu)以及輸出功率與傳統(tǒng)技術(shù)的比較。

試驗效果

除了富士通和富士通實驗室將這種新的AlGaN間隔層插入InAlGaN HEMT以實現(xiàn)高電流和高電壓工作外,通過應(yīng)用富士通于2017年開發(fā)的單晶金剛石襯底鍵合技術(shù),晶體管內(nèi)的發(fā)熱可以是通過金剛石基板有效散發(fā),實現(xiàn)穩(wěn)定的操作。當(dāng)在實際測試中測量具有這種晶體結(jié)構(gòu)的GaN HEMT時,它們實現(xiàn)了19.9W / mm柵極寬度的記錄輸出功率(比常規(guī)AlGaN / GaN HEMT的輸出功率高三倍)。

未來計劃

富士通和富士通實驗室將對使用該技術(shù)的GaN HEMT功率放大器的耐熱性和輸出性能進行評估,目標(biāo)是將高輸出功率、高頻GaN HEMT功率放大器商業(yè)化,用于雷達(dá)系統(tǒng)等應(yīng)用(包括天氣雷達(dá))和2020財年的5G無線通信系統(tǒng)。

資金來源

該研究得到了日本國防部采購、技術(shù)和后勤局(ATLA)設(shè)立的創(chuàng)新科技安全項目的部分支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:氮化鎵|日本富士通公司采用AlGaN間隔層和InAlGaN阻擋層,將GaN HEMT的輸出功率提高到19.9W / mm柵寬

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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