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Vishay Siliconix eFuse評(píng)估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-11-14 14:05 ? 次閱讀
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Vishay / Siliconix 電子保險(xiǎn)絲評(píng)估板用于評(píng)估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B單通道電子保險(xiǎn)絲負(fù)載開關(guān)。該板可用于AEC-Q100版本的器件。SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B集成了多種控制和保護(hù)特性。該器件具有更高可控性和可靠性,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),并最大限度地減少了外部元件數(shù)量。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Vishay , Siliconix eFuse評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 3 V 至 23 V 操作
  • 編程電流限制范圍SIP32533為150 mA至3.5 A,SIP32434為300 mA至6 A
  • 可編程軟啟動(dòng)輸出電壓轉(zhuǎn)換率和自動(dòng)重試時(shí)間
  • 輸入路徑電流檢測(cè)電阻器,用于電流探測(cè)
  • 板載MOSFET,用于輸出短路測(cè)試
  • 可編程OVP閾值
  • 反向電流阻斷(僅限SIP32433x)

?Vishay Siliconix eFuse評(píng)估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南?


?一、產(chǎn)品概述?

Vishay Siliconix的SIP32433/434系列eFuse評(píng)估板是專用于評(píng)估單通道電子保險(xiǎn)絲負(fù)載開關(guān)的參考設(shè)計(jì)平臺(tái),支持AEC-Q100車規(guī)級(jí)版本(SIPQ前綴)。該系列器件通過集成多重控制與保護(hù)功能,在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少外部元件的同時(shí),顯著提升系統(tǒng)可控性與可靠性,有效保護(hù)電源及下游電路免受過載、短路、電壓浪涌和過大浪涌電流的損害。

? 核心特性: ?

  • ?工作電壓范圍?:3 V至23 V
  • ?可編程電流限制?:
    • SIP32433:150 mA至3.5 A
    • SIP32434:300 mA至6 A
  • ?可編程軟啟動(dòng)?:支持輸出電壓擺率與自動(dòng)重試時(shí)間調(diào)整
  • ?輸入路徑電流檢測(cè)?:內(nèi)置分流電阻便于電流探測(cè)
  • ?輸出短路測(cè)試?:通過板載MOSFET實(shí)現(xiàn)
  • ?反向電流阻斷?:僅SIP32433x系列支持

?二、硬件架構(gòu)詳解?

?1. 接口連接器?

評(píng)估板通過以下關(guān)鍵接口實(shí)現(xiàn)功能配置與測(cè)試:

  • ? J13 (EN) ?:高電平使能及欠壓鎖定輸入,分壓電阻為25 kΩ/4.12 kΩ
  • ?J7/J14?:電源輸入接口與接地端
  • ?J8/J16?:電源輸出接口與接地端

?2. 保護(hù)電路設(shè)計(jì)?

  • ?肖特基二極管D2?:位于器件輸出側(cè),用于鉗位感性負(fù)載突然關(guān)閉時(shí)的負(fù)電壓
  • ?TVS二極管選位?:可在輸入電容位置安裝,提供輸入瞬態(tài)保護(hù)

?3. 電容配置?

  • ?輸入電容?:C1~C6(10 μF/50 V),緊鄰器件布局確保開關(guān)前端電壓穩(wěn)定
  • ?輸出電容?:C7、C8(10 μF/50 V),需選用額定電壓≥35 V的電容

?三、故障處理機(jī)制?

?故障分類?

  • ?可鎖存故障?:過流、過溫、短路
  • ?非鎖存故障?:過壓、欠壓、反向電流

?關(guān)斷響應(yīng)模式?

  • ?鎖定模式?:SIP32433A/434A檢測(cè)到可鎖存故障后保持開關(guān)關(guān)閉,需通過復(fù)位EN或VIN重啟
  • ?自動(dòng)重試模式?:SIP32433B/434B在無(wú)OTP/OVP故障時(shí)自動(dòng)恢復(fù),重試延遲時(shí)間為軟啟動(dòng)時(shí)間的32倍

?四、測(cè)試與驗(yàn)證方法?

?1. 熱插拔測(cè)試?

  • 連接J3至外部5 V電源作為PG偏置源
  • 在J7與J14間熱插拔供電,觀察圖4所示的浪涌電流波形

?2. 電流限制測(cè)試?

  • 緩慢增加負(fù)載電流,開關(guān)在設(shè)定電流限值持續(xù)6 ms后關(guān)閉(參考圖5)

?3. 輸出短路測(cè)試?

  • 通過拉高J12使板載MOSFET短接輸出
  • 典型波形如圖6所示,展示短路保護(hù)響應(yīng)

?4. 自動(dòng)重試測(cè)試?

  • 在輸出短路條件下驗(yàn)證自動(dòng)恢復(fù)功能
  • 圖7展示了短路條件下的自動(dòng)重試時(shí)序

?五、布局設(shè)計(jì)規(guī)范?

  • ?散熱優(yōu)化?:在器件中央裸露焊盤(接地)鋪設(shè)最大面積銅層
  • ?接地互聯(lián)?:所有接地層通過多個(gè)導(dǎo)熱過孔連接
  • ?元件布局?:
    • 電流限制設(shè)置電阻靠近連接引腳
    • 軟啟動(dòng)設(shè)置電容(C9)就近布局
    • EN/UVLO與OVP引腳電阻緊鄰配置
  • ?保護(hù)器件放置?:輸入TVS與輸出肖特基二極管需靠近被保護(hù)引腳,采用短走線降低電感

?六、應(yīng)用場(chǎng)景?


?七、器件選型參考?

型號(hào)關(guān)斷響應(yīng)RDS(ON)最大電流反向阻斷電壓范圍
SIP32433AEVB鎖定78 mΩ3.5 A支持3.3-23 V
SIP32433BEVB自動(dòng)重試78 mΩ3.5 A支持3.3-23 V
SIP32434AEVB鎖定33 mΩ6 A不支持3.3-23 V
SIP32434BEVB自動(dòng)重試33 mΩ6 A不支持3.3-23 V
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