Vishay新推出的24 V XClampR? 瞬態(tài)電壓抑制器的性能達到業(yè)界先進水平 ? 雙向器件高功耗和高脈沖電流結合高度溫度穩(wěn)定性適用于汽車、通信和工業(yè)應用 ? 賓夕法尼亞、MALVERN
2022-07-01 10:12:23
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Vishay宣布推出業(yè)內(nèi)首款完全采用防海水的IP68密封，可在水下使用的新型金屬陶瓷板電位計---P13SM,P13SM采用不銹鋼軸和套筒，是針對需要把電位計浸到30米(100英尺)的深海鹽水里進行電氣參
2011-07-21 09:04:201754 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出免費的在線工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進行測試和優(yōu)化。
2012-04-10 09:32:33843 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:301180 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302757 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出免費的在線工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進行測試和優(yōu)化。
2012-04-05 15:06:54876 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?。與前一代產(chǎn)品和在相同占位內(nèi)具有近似導通電阻的競爭模擬開關相比，這些器件在關閉
2019-03-08 15:06:392742 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
Vishay宣布，推出經(jīng)過AEC-Q200認證、業(yè)界先進的采用混合繞線技術、標準封裝尺寸的新型充電電阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:341107 
V Hyperfast恢復整流器---12?A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3 和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復性能達到業(yè)界先進水平，提高中頻逆變器和軟硬開關或諧振電路的效率。 ? Visha
2022-10-11 13:51:481071 
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
0.47m?，飽和電流的范圍介于15.5A～120A，在頻率至5MHz范圍內(nèi)其損耗相當?shù)汀? Vishay此次推出的這四款器件具有5.6μH、6.8μH、8.2μH及10μH的電感值，容差為±20%。已獲
2018-10-24 11:33:47
MIS1011 是最先進的130萬像素，數(shù)字CMOS圖像傳感器,兼容AR0130，特別在低照時要比APTINA的AR0130還要清晰。
2015-08-27 13:09:49
今年二月23日，Nordic在官網(wǎng)宣布，nRF52832進入批量生產(chǎn)。并且說是最先進的藍牙智能單芯片SOC。讓我們看看有什么地方突破的。1.首款通過Bluetooth v4.2認證。通過了
2016-03-15 14:01:57
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅
2010-05-06 08:55:20
的生產(chǎn)成本也更低，因此價格更低，性能高于 p 溝道 MOSFET。在P溝道MOSFET中，源極連接到正電壓，當柵極上的電壓低于某個閾值（Vgs 0）時，F(xiàn)ET導通。這意味著，如果您想使用 P 溝道
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶咨詢關于MOS管的時候，總會被問到一個問題：怎么選擇合適的MOS管？關于這一個問題，昨天針對這個問題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
更高的攝影相結合。我們相信，我們高性能的OV14810在這方面的發(fā)展有很大發(fā)展?jié)摿??！啊 ?gt;>OmniVision新的14.6百萬像素高清傳感器采用最先進的1.4微米OmniBSITM像素
2018-11-14 16:40:29
安捷倫科技公司推出業(yè)界最先進的固定配置邏輯分析儀
2019-09-29 10:20:17
ARM推出具備先進安全特性的全新實時處理器，面向無人駕駛、醫(yī)療和工業(yè)機器人領域。ARMCortex-R52旨在幫助系統(tǒng)實現(xiàn)功能安全，滿足汽車和工業(yè)市場中最嚴格的安全標準ISO 26262 ASIL
2016-10-08 17:10:36
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要
2021-04-09 09:20:10
2023年2月27日，中國上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司，正式推出業(yè)界首顆5MP DSI－2技術全性能升級Pro系列安防應用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級的清晰畫質，既是
2023-02-28 09:24:04
擴展了旗下 16 納米 (nm)Virtex? UltraScale+? 產(chǎn)品系列。VU19P擁有 350 億個晶體管，有史以來單顆芯片最高邏輯密度和最大I/O 數(shù)量，用以支持未來最先進 ASIC 和 SoC 技術的仿真與原型設計，同時，也將廣泛支持測試測量、計算、網(wǎng)絡、航空航天和國防等相關應用。
2020-11-02 08:34:50
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay 推出業(yè)界最小尺寸的超高精度Bulk Metal® Z箔卷型表面貼裝電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型 VSMP0603 超高精度Bulk Metal&r
2008-08-18 10:04:09653 Vishay推出具有兩百萬次循環(huán)壽命的高可靠性面板電位計P30L
Vishay推出升級版本的P30L緊湊型面板電位計，將其循環(huán)壽命比原來增加了一倍，達到額定功率下使用2百萬次，而升
2009-11-04 15:24:25620 Vishay推出業(yè)界最薄的表面貼裝瞬間電壓抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb®
2009-11-19 09:57:35532 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 在40-nm工藝節(jié)點實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件
引言?? Altera于2008年第二季度推出Stratix? IV和HardCopy? IV器件系列標志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一40-
2010-02-04 11:08:331656 
Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:061076 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(
2010-05-08 16:14:23937 日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經(jīng)通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:291027 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 Vishay宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141737 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 高效能類比與混合訊號IC領導廠商芯科實驗室(Silicon Laboratories)宣布推出業(yè)界最先進的車用調諧器IC系列--Si476x，該系列晶片采用先進的訊號處理技術提供最高的射頻(RF)效能，能夠降低汽
2011-11-25 10:01:361757 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 內(nèi)小蜂窩基站技術領導者Mindspeed科技有限公司(納斯達克股票市場代碼：MSPD)日前宣布：為雙模并發(fā)3G和長期演進計劃（LTE）運營推出最先進的系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案。
2012-02-22 11:47:301700 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業(yè)界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421517 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態(tài)電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:582187 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x
2013-12-05 10:30:051119 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。
2013-12-20 09:10:031623 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:511504 voicor batmod最先進的電池充電器
2016-06-02 15:41:0939 轉換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171295 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個Vishay Siliconix模擬開關產(chǎn)品升級到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時的硅技術
2016-09-02 09:15:073874 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:002471 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出世界上最先進的6軸運動傳感器，全面支持智能手機、平板電腦和數(shù)碼相機的光學圖像穩(wěn)定系統(tǒng)（image stabilization）。
2018-07-02 11:50:006115 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:011015 Allegro近日推出公司最先進的變速箱速度傳感器系列產(chǎn)品A19520、A19530和A19570。
2019-01-23 14:07:594428 高通宣布推出第二代5G調制解調器驍龍X55，采用7納米工藝，號稱迄今最先進的調制解調器，目前已有30多款5G手機在研發(fā)，預計今年年底前問世。
2019-02-21 15:19:245352 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新系列小型徑向引線高壓單層瓷片電容器---RoedersteinHVCC系列。Vishay
2019-05-16 09:22:534750 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 非對稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高DC/DC開關模式電源效率的需求。
2020-12-15 16:09:502090 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 N 溝道器件實現(xiàn)高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:214033 中國目前最先進的國產(chǎn)芯片是哪個呢？
2023-05-29 09:44:2221528 mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場效應晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導電性質、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495 場效應管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應管是一種常見的半導體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關等應用。場效應管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:1714757 p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？ 區(qū)分p溝道和n溝道的關鍵在于材料的雜質摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質能夠改變材料的導電性質，從而使其成為p溝道或n溝道。 首先，讓我們來了
2023-11-23 09:13:426066 場效應晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據(jù)導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515366 
日前，Vishay光電子產(chǎn)品部宣布推出全新全集成接近傳感器，旨在提高消費類電子應用的效率和性能。這款新傳感器采用了先進的技術，實現(xiàn)了多項性能提升，使其成為空間受限、電池供電應用的理想選擇。
2024-02-01 14:00:371115 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 簡單、更可靠和優(yōu)化的電路設計。為了實現(xiàn)特定應用的最佳性能，設計工程師需要在選擇P溝道功率MOSFET時在RDS(on)和Qg之間做出權衡。
2024-04-07 18:29:212815 
/ --英業(yè)達（TPE：2356）是一家全球領先的高性能服務器制造商，總部位于臺灣, 其即將推出的?P8000IG6 服務器可快速、靈活地擴展數(shù)據(jù)中心的容量，從而輕松處理最先進的人工智能和高性能計算?(HPC) 工作負載。 隨著新的人工智能技術的普及，對數(shù)據(jù)中心的需求也在快速
2024-04-08 16:28:531183 最新款iPhone、Watch和AirPods，最大的亮點估計在人工智能。所以庫克稱iPhone16是最先進的iPhone。 庫克表示。iPhone 16 系列是我們打造的最先進的 iPhone。得益于
2024-09-10 11:47:221539 中科微電深耕功率器件領域，針對P溝道器件的應用痛點，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標準。
2025-11-06 14:35:45244 
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設計用于高效電源開關應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53433 
Vishay / Siliconix 電子保險絲評估板用于評估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B單通道電子保險絲負載開關。該板可用于AEC-Q100版本
2025-11-14 14:05:58366 作為電子工程師，我們在設計電路時，常常需要精心挑選合適的電子元件，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。今天，我要和大家分享一款來自安森美半導體（onsemi）的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z，深入探討它的特性、參數(shù)以及應用場景。
2025-11-28 15:13:25312
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