安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低RDS(on) 和低電容，采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、114A連續(xù)漏極電流以及2.45m漏極-源極電阻（10V時(shí)）。安森美NVTFWS002N04XM MOSFET采用3.3mmx3.3mm小尺寸封裝，非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)和同步整流應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 低R DS(on) ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗
• 低電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗
• 占位面積?。?.3mmx3.3mm），設(shè)計(jì)緊湊
• 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
• 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令

瞬態(tài)熱響應(yīng)

封裝樣式

NVTFWS002N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

器件概述

?NVTFWS002N04XM?是安森美半導(dǎo)體推出的40V N溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)的m8FL封裝技術(shù)。該器件在導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)性能和封裝尺寸等方面實(shí)現(xiàn)顯著優(yōu)化，特別適用于高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。

核心特性分析

電氣性能參數(shù)

?最大額定值?

• 漏源電壓(VDSS)：40V
• 柵源電壓(VGS)：±20V
• 連續(xù)漏極電流：114A（TC=25℃）/81A（TC=100℃）
• 脈沖漏極電流：650A（tp=10ms）
• 工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

?關(guān)鍵導(dǎo)通特性?

• 導(dǎo)通電阻：2.1mΩ（典型值）@ VGS=10V, ID=11A
• 柵極閾值電壓：2.5-3.5V
• 正向跨導(dǎo)：59S @ VDS=5V, ID=11A

熱管理性能

• 結(jié)到殼熱阻：2.43℃/W
• 結(jié)到環(huán)境熱阻：47℃/W
• 最大功耗：62W（TC=25℃）

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間：6ns
• 上升時(shí)間：10ns
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：10ns
• 下降時(shí)間：12ns

性能優(yōu)勢(shì)詳解

低導(dǎo)通損耗設(shè)計(jì)

器件采用優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)2.45mΩ最大導(dǎo)通電阻。在114A額定電流下，導(dǎo)通壓降極低，顯著降低功率損耗。圖3展示的RDS(on)隨柵極電壓變化曲線表明，在VGS=10V時(shí)獲得最佳導(dǎo)通性能。

快速開(kāi)關(guān)能力

得益于低柵極電荷（總柵極電荷22nC）和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。圖8的柵極電荷特性顯示，在VGS=10V、ID=11A條件下實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)。

熱穩(wěn)定性表現(xiàn)

圖5顯示的歸一化導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫變化曲線證實(shí)，器件在寬溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能，適合高溫環(huán)境應(yīng)用。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

• 適用于伺服電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• 支持高頻PWM控制，最高開(kāi)關(guān)頻率達(dá)數(shù)百kHz
• 低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)高效率運(yùn)行

電池保護(hù)電路

• 在電池管理系統(tǒng)中用作保護(hù)開(kāi)關(guān)
• 114A連續(xù)電流能力滿足高功率電池組需求
• 快速響應(yīng)特性提供可靠的過(guò)流保護(hù)

同步整流應(yīng)用

• 適合開(kāi)關(guān)電源次級(jí)側(cè)整流
• 低反向恢復(fù)電荷（25nC）減小反向恢復(fù)損耗
• 優(yōu)化的體二極管特性提升整流效率

設(shè)計(jì)要點(diǎn)與建議

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

• 推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓10V以獲得最優(yōu)導(dǎo)通性能
• 柵極電阻選擇需平衡開(kāi)關(guān)速度與EMI性能
• 建議采用推挽式驅(qū)動(dòng)架構(gòu)確?？焖匍_(kāi)關(guān)

散熱考慮

• 在最大功耗應(yīng)用中必須安裝散熱器
• PCB布局應(yīng)提供足夠銅面積幫助散熱
• 建議使用熱導(dǎo)率高的導(dǎo)熱材料

布局優(yōu)化

• 功率回路面積最小化以減少寄生電感
• 柵極驅(qū)動(dòng)走線盡量短且避免與功率線路平行

可靠性保證

器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，符合汽車(chē)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)滿足無(wú)鉛、無(wú)鹵素和RoHS環(huán)保要求，適用于嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境和汽車(chē)電子應(yīng)用。

選型指導(dǎo)

NVTFWS002N04XMTAG為量產(chǎn)型號(hào)，采用WDFN8封裝，支持卷帶包裝（1500顆/卷），便于自動(dòng)化生產(chǎn)。