基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天,我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
文件下載:onsemi MMUN2231L NPN雙極數(shù)字晶體管.pdf
產(chǎn)品概述
這一系列數(shù)字晶體管屬于NPN晶體管,內(nèi)置了單片偏置電阻網(wǎng)絡(luò)(BRT)。它的設(shè)計(jì)初衷是替代單個(gè)晶體管及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。BRT將一個(gè)晶體管與由兩個(gè)電阻(串聯(lián)基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻)組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)集成在一個(gè)器件中,這種集成方式不僅能降低系統(tǒng)成本,還能節(jié)省電路板空間。
引腳連接

產(chǎn)品特性
簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
將偏置電阻集成到晶體管中,減少了外部元件的使用,使電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔,降低了設(shè)計(jì)難度和復(fù)雜度。
節(jié)省電路板空間
集成化的設(shè)計(jì)減少了元件數(shù)量,從而減少了電路板上的占位面積,有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的電路布局。
降低元件數(shù)量
減少了分立元件的使用,降低了元件采購(gòu)、庫(kù)存管理和組裝的成本,同時(shí)也提高了電路的可靠性。
汽車及其他應(yīng)用適用
帶有NSV前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認(rèn)證,具備PPAP能力。
環(huán)保合規(guī)
這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 額定值 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | VCBO | 50 | Vdc |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 50 | Vdc |
| 集電極連續(xù)電流 | Ic | 100 | mAdc |
| 輸入正向電壓 | VIN/(fwd) | 12 | Vdc |
| 輸入反向電壓 | VIN(rev) | 10 | Vdc |
需要注意的是,超過最大額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
熱特性
不同封裝的產(chǎn)品熱特性有所不同,以常見的SC - 59(MUN2231)和SOT - 23(MMUN2231L)封裝為例:
- SC - 59(MUN2231):在TA = 25°C時(shí),總器件耗散功率為230 - 338mW,熱阻(結(jié)到環(huán)境)為540 - 370°C/W,結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55°C到 + 150°C。
- SOT - 23(MMUN2231L):TA = 25°C時(shí),總器件耗散功率為246 - 400mW,熱阻(結(jié)到環(huán)境)為508 - 311°C/W,結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍同樣為 - 55°C到 + 150°C。
電氣特性
| 特性 | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 截止特性 | |||||
| 集電極 - 基極截止電流(VcB = 50V,IE = 0) | ICBO | 100 | nAdc | ||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流(VcE = 50V,lg = 0) | ICEO | 500 | nAdc | ||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流(VEB = 6.0V,lc = 0) | EBO | 2.3 | mAdc | ||
| 集電極 - 基極擊穿電壓(lc = 10μA,IE = 0) | V(BR)CBO | 50 | Vdc | ||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(lc = 2.0mA,lg = 0) | V(BR)CEO | 50 | Vdc | ||
| 導(dǎo)通特性 | |||||
| 直流電流增益(lc = 5.0mA,VcE = 10V) | hFE | 8.0 | 15 | ||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(lc = 10mA,lg = 5.0mA) | VCE(sat) | 0.25 | Vdc | ||
| 輸入電壓(關(guān))(VcE = 5.0V,lc = 100μA) | Vi(off) | 1.2 | 0.5 | Vdc | |
| 輸入電壓(開)(VcE = 0.3V,Ic = 20mA) | Vion) | 2.0 | 1.7 | Vdc | |
| 輸出電壓(開)(Vcc = 5.0V,VB = 2.5V,RL = 1.0kΩ) | VoL | 0.2 | Vdc | ||
| 輸出電壓(關(guān))(Vcc = 5.0V,VB = 0.25V,R = 1.0kΩ) | VoH | 4.9 | - | - | Vdc |
| 輸入電阻 | R1 | 1.5 | 2.2 | 2.9 | kΩ |
| 電阻比 | R1/R2 | 0.8 | 1.0 | 1.2 |
這些電氣特性是在TA = 25°C的條件下測(cè)量的,實(shí)際應(yīng)用中可能會(huì)因工作條件的不同而有所變化。
產(chǎn)品封裝與訂購(gòu)信息
封裝形式
該系列產(chǎn)品提供多種封裝形式,如SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75、SOT - 723和SOT - 1123等,不同的封裝適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景和電路板布局要求。
訂購(gòu)信息
| 器件 | 零件標(biāo)記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|
| MUN2231T1G | 8H | SC - 59(無(wú)鉛) | 3000/卷帶和卷盤 |
| MMUN2231LT1G,NSVMMUN2231LT1G* | A8H | SOT - 23(無(wú)鉛) | 3000/卷帶和卷盤 |
| MUN5231T1G | 8H | SC - 70/SOT - 323(無(wú)鉛) | 3000/卷帶和卷盤 |
| DTC123EET1G | 8H | SC - 75(無(wú)鉛) | 3000/卷帶和卷盤 |
| DTC123EM3T5G,NSVDTC123EM3T5G | 8H | SOT - 723(無(wú)鉛) | 8000/卷帶和卷盤 |
| NSBC123EF3T5G | E(180°)** | SOT - 1123(無(wú)鉛) | 8000/卷帶和卷盤 |
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,如VCE(sat)與IC的關(guān)系、直流電流增益、輸出電容、輸出電流與輸入電壓的關(guān)系等。這些曲線有助于工程師更好地了解產(chǎn)品在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和參數(shù)調(diào)整。
機(jī)械尺寸與安裝信息
文檔詳細(xì)給出了不同封裝的機(jī)械尺寸和安裝信息,包括SC - 70(SOT - 323)、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封裝的尺寸圖和公差要求。同時(shí),還提供了推薦的焊接和安裝技術(shù)參考手冊(cè),幫助工程師正確地進(jìn)行產(chǎn)品的安裝和焊接。
總結(jié)
ON Semiconductor的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3系列數(shù)字晶體管以其集成化的設(shè)計(jì)、豐富的特性和多樣的封裝形式,為電子工程師提供了一種高性能、低成本、節(jié)省空間的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)具體的電路需求和設(shè)計(jì)要求,選擇合適的產(chǎn)品和封裝形式,同時(shí)要注意產(chǎn)品的最大額定值和工作條件,以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這些產(chǎn)品時(shí),有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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