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基于偏置電阻晶體管(BRT)的數字晶體管系列MUN2231等產品解析

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-02 15:46 ? 次閱讀
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基于偏置電阻晶體管(BRT)的數字晶體管系列MUN2231等產品解析

在電子電路設計中,晶體管的合理選擇和應用對于電路性能起著關鍵作用。今天,我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數字晶體管。

文件下載:onsemi MMUN2231L NPN雙極數字晶體管.pdf

產品概述

這一系列數字晶體管屬于NPN晶體管,內置了單片偏置電阻網絡(BRT)。它的設計初衷是替代單個晶體管及其外部電阻偏置網絡。BRT將一個晶體管與由兩個電阻(串聯(lián)基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻)組成的單片偏置網絡集成在一個器件中,這種集成方式不僅能降低系統(tǒng)成本,還能節(jié)省電路板空間。

引腳連接

產品特性

簡化電路設計

將偏置電阻集成到晶體管中,減少了外部元件的使用,使電路設計更加簡潔,降低了設計難度和復雜度。

節(jié)省電路板空間

集成化的設計減少了元件數量,從而減少了電路板上的占位面積,有助于實現更緊湊的電路布局。

降低元件數量

減少了分立元件的使用,降低了元件采購、庫存管理和組裝的成本,同時也提高了電路的可靠性。

汽車及其他應用適用

帶有NSV前綴的產品適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應用,并且通過了AEC - Q101認證,具備PPAP能力。

環(huán)保合規(guī)

這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合RoHS標準,滿足環(huán)保要求。

產品參數

最大額定值

額定值 符號 最大值 單位
集電極 - 基極電壓 VCBO 50 Vdc
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCEO 50 Vdc
集電極連續(xù)電流 Ic 100 mAdc
輸入正向電壓 VIN/(fwd) 12 Vdc
輸入反向電壓 VIN(rev) 10 Vdc

需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

熱特性

不同封裝的產品熱特性有所不同,以常見的SC - 59(MUN2231)和SOT - 23(MMUN2231L)封裝為例:

  • SC - 59(MUN2231):在TA = 25°C時,總器件耗散功率為230 - 338mW,熱阻(結到環(huán)境)為540 - 370°C/W,結和存儲溫度范圍為 - 55°C到 + 150°C。
  • SOT - 23(MMUN2231L):TA = 25°C時,總器件耗散功率為246 - 400mW,熱阻(結到環(huán)境)為508 - 311°C/W,結和存儲溫度范圍同樣為 - 55°C到 + 150°C。

電氣特性

特性 符號 最小值 典型值 最大值 單位
截止特性
集電極 - 基極截止電流(VcB = 50V,IE = 0) ICBO 100 nAdc
集電極 - 發(fā)射極截止電流(VcE = 50V,lg = 0) ICEO 500 nAdc
發(fā)射極 - 基極截止電流(VEB = 6.0V,lc = 0) EBO 2.3 mAdc
集電極 - 基極擊穿電壓(lc = 10μA,IE = 0) V(BR)CBO 50 Vdc
集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(lc = 2.0mA,lg = 0) V(BR)CEO 50 Vdc
導通特性
直流電流增益(lc = 5.0mA,VcE = 10V) hFE 8.0 15
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(lc = 10mA,lg = 5.0mA) VCE(sat) 0.25 Vdc
輸入電壓(關)(VcE = 5.0V,lc = 100μA) Vi(off) 1.2 0.5 Vdc
輸入電壓(開)(VcE = 0.3V,Ic = 20mA) Vion) 2.0 1.7 Vdc
輸出電壓(開)(Vcc = 5.0V,VB = 2.5V,RL = 1.0kΩ) VoL 0.2 Vdc
輸出電壓(關)(Vcc = 5.0V,VB = 0.25V,R = 1.0kΩ) VoH 4.9 - - Vdc
輸入電阻 R1 1.5 2.2 2.9
電阻比 R1/R2 0.8 1.0 1.2

這些電氣特性是在TA = 25°C的條件下測量的,實際應用中可能會因工作條件的不同而有所變化。

產品封裝與訂購信息

封裝形式

該系列產品提供多種封裝形式,如SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75、SOT - 723和SOT - 1123等,不同的封裝適用于不同的應用場景和電路板布局要求。

訂購信息

器件 零件標記 封裝 包裝
MUN2231T1G 8H SC - 59(無鉛) 3000/卷帶和卷盤
MMUN2231LT1G,NSVMMUN2231LT1G* A8H SOT - 23(無鉛) 3000/卷帶和卷盤
MUN5231T1G 8H SC - 70/SOT - 323(無鉛) 3000/卷帶和卷盤
DTC123EET1G 8H SC - 75(無鉛) 3000/卷帶和卷盤
DTC123EM3T5G,NSVDTC123EM3T5G 8H SOT - 723(無鉛) 8000/卷帶和卷盤
NSBC123EF3T5G E(180°)** SOT - 1123(無鉛) 8000/卷帶和卷盤

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,如VCE(sat)與IC的關系、直流電流增益、輸出電容、輸出電流與輸入電壓的關系等。這些曲線有助于工程師更好地了解產品在不同工作條件下的性能表現,從而進行合理的電路設計和參數調整。

機械尺寸與安裝信息

文檔詳細給出了不同封裝的機械尺寸和安裝信息,包括SC - 70(SOT - 323)、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封裝的尺寸圖和公差要求。同時,還提供了推薦的焊接和安裝技術參考手冊,幫助工程師正確地進行產品的安裝和焊接。

總結

ON Semiconductor的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3系列數字晶體管以其集成化的設計、豐富的特性和多樣的封裝形式,為電子工程師提供了一種高性能、低成本、節(jié)省空間的解決方案。在實際應用中,工程師可以根據具體的電路需求和設計要求,選擇合適的產品和封裝形式,同時要注意產品的最大額定值和工作條件,以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這些產品時,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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