安森美MMBD150xA小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管的最大重復(fù)反向電壓 (V RRM ) 為200V，平均整流正向電流 (I F(AV) ) 為200mA。這些器件采用SOT-23或SOT-23-3封裝。安森美MMBD150xA適用于一般用途，適合用于諸多應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi MMBD150xA小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 高速開(kāi)關(guān)電路
• 信號(hào)處理
• 電壓鉗位和保護(hù)
• 電平轉(zhuǎn)換
• RF電路中的混頻器和檢波器
• 通用整流
• 邏輯門實(shí)現(xiàn)
• 脈沖整形

連接圖

onsemi MMBD150xA系列小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

引言

MMBD1501A/1503A/1504A/1505A系列是安森美半導(dǎo)體推出的高性能小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管，采用SOT-23封裝，在高速開(kāi)關(guān)、整流和保護(hù)電路中具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。本文基于數(shù)據(jù)手冊(cè)深入分析其關(guān)鍵技術(shù)特性、電氣參數(shù)及典型應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

一、產(chǎn)品概述與核心特性

?產(chǎn)品系列覆蓋?：MMBD1501A、MMBD1503A、MMBD1504A、MMBD1505A四款型號(hào)，均采用緊湊型SOT-23封裝，滿足空間受限應(yīng)用需求。

?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)?：

• 高反向耐壓：最高200V的重復(fù)反向電壓
• 低正向壓降：在10mA電流下典型值為720mV
• 快速開(kāi)關(guān)特性：總電容最大4.0pF@VR=0V, f=1.0MHz
• 寬溫度范圍：工作結(jié)溫-55℃至+150℃

二、極限參數(shù)與安全工作區(qū)

2.1 絕對(duì)最大額定值

?重要設(shè)計(jì)提示?：

• 所有參數(shù)基于最大結(jié)溫150℃
• 持續(xù)工作條件下超出限制可能導(dǎo)致器件損壞
• 脈沖或低占空比應(yīng)用需咨詢廠家

2.2 熱特性參數(shù)

三、電氣特性深度解析

3.1 靜態(tài)特性參數(shù)

?反向特性?：

• 擊穿電壓(VR)：200V最小值@IR=5.0mA
• 反向電流(IR)：1.0nA最大值@VR=125V, TA=25℃
• 高溫反向特性：3.0mA@VR=125V, TA=150℃

?正向特性?：
在不同正向電流下的正向電壓典型表現(xiàn)：

• 1mA：620-720mV
• 10mA：720-830mV
• 50mA：800-890mV
• 100mA：830-930mV
• 200mA：0.87-1.10V
• 300mA：0.90-1.15V

3.2 動(dòng)態(tài)特性

?結(jié)電容?：

• 總電容(CT)：最大4.0pF@VR=0V, f=1.0MHz

?溫度特性?：
基于圖表數(shù)據(jù)顯示，隨著環(huán)境溫度升高，器件的平均整流電流能力顯著下降，在高溫環(huán)境下需特別注意降額設(shè)計(jì)。

四、典型工作特性分析

4.1 伏安特性曲線特征

從數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的典型特性曲線可以看出：

• ?反向特性?：在130-205V范圍內(nèi)，反向電流呈指數(shù)增長(zhǎng)趨勢(shì)
• ?正向特性?：在0.1-800mA寬電流范圍內(nèi)展現(xiàn)優(yōu)良的線性度
• ?電容特性?：反向電壓在0-15V范圍內(nèi)，總電容隨電壓增加而減小

4.2 功率降額曲線

SOT-23封裝的功率降額曲線顯示，隨著平均溫度升高，最大允許功耗線性下降。

五、封裝與引腳配置

5.1 封裝形式

提供兩種SOT-23封裝選項(xiàng)：

• SOT-23 (TO-236) CASE 318-08
• SOT-23 CASE 318BM

5.2 引腳連接定義

不同型號(hào)的引腳配置：

• MMBD1501A：三引腳配置，具體連接見(jiàn)數(shù)據(jù)手冊(cè)
• MMBD1503A：引腳1和2為陽(yáng)極，引腳3為陰極
• MMBD1504A/1505A：各具特色的連接方式

六、應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

6.1 高速開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

?關(guān)鍵考慮因素?：

• 利用低結(jié)電容特性(最大4.0pF)實(shí)現(xiàn)高頻應(yīng)用
• 考慮正向壓降對(duì)系統(tǒng)效率的影響
• 確保工作在最大額定參數(shù)范圍內(nèi)

?熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：

• 基于熱阻357℃/W計(jì)算溫升
• 在高溫環(huán)境下按降額曲線調(diào)整工作參數(shù)
• PCB布局時(shí)提供足夠散熱面積

6.2 保護(hù)電路應(yīng)用

?優(yōu)勢(shì)特性利用?：

• 高反向耐壓(200V)適合浪涌保護(hù)
• 快速響應(yīng)特性用于ESD保護(hù)
• 低漏電流確保待機(jī)功耗優(yōu)化

6.3 可靠性設(shè)計(jì)建議

1. ?余量設(shè)計(jì)?：工作參數(shù)保留20%以上安全余量
2. ?溫度監(jiān)控?：高溫環(huán)境增加溫度檢測(cè)保護(hù)
3. ?瞬態(tài)保護(hù)?：對(duì)可能出現(xiàn)的電壓尖峰提供額外保護(hù)