雷卯MBR40H100CDM是一款高電流密度表面貼裝TMBS（溝槽MOS勢壘肖特基）二極管，厚度薄、高結(jié)溫、采用鋁帶做Clip，散熱佳，是一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了肖特基二極管和MOSFET技術(shù)的優(yōu)點，封裝為TO-263M(TO-252AE)。參看下圖。

MBR40H100CDM可以完全替代Vishay威世(V40PWM10)，我們這款對比Vishay有高性價比。

參數(shù)對比列表如下：

Vishay的High Current Density Surface-Mount TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF（高電流密度表面貼裝TMBS（溝槽MOS勢壘肖特基）整流器超低正向電壓降）系列有如下幾款，如有需要需要國產(chǎn)替代可以聯(lián)系雷卯銷售人員。

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MBR40H100CDM性能特點

MBR40H100CDM是一款高性能的整流二極管，其特點主要體現(xiàn)在“高、薄、大、好”幾個方面：

高電流密度

在相同的芯片面積下，TMBS能通過比傳統(tǒng)肖特基二極管大得多的電流。這意味著可以使用更小尺寸的封裝來實現(xiàn)相同的電流等級，非常適合空間受限的現(xiàn)代電子設(shè)備。

厚度薄

本體高度比傳統(tǒng)263的高度減少2/3，非常適合有高度受限的雙面設(shè)計PCB。

高效率與低損耗-低VF

在導(dǎo)通時，其本身的電壓損耗非常低。這直接帶來了：

更高的效率：能量損耗以熱的形式散發(fā)，低VF意味著更少的能量浪費，系統(tǒng)效率更高。

低正向壓降：典型值VF≈0.78V (在20A時)。

低反向漏電流

得益于其獨特的溝槽和MOS屏蔽結(jié)構(gòu)，它在承受反向電壓時的漏電流比傳統(tǒng)肖特基二極管要小，尤其是在高溫下，這一優(yōu)勢更為明顯。

快速開關(guān)性能

像所有肖特基二極管一樣，它是多數(shù)載流子器件，沒有少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，因此開關(guān)速度極快，開關(guān)損耗低。

高可靠性

高結(jié)溫：最高工作結(jié)溫達(dá)+175°C。

優(yōu)勢：允許在更高的環(huán)境溫度下穩(wěn)定工作，抗熱沖擊能力強，可靠性高。

封裝：采用TO-263M封裝，采用鋁帶做Clip，散熱徍，功率密度高便。

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核 心 應(yīng) 用 介 紹

基于以上特點，高電流密度表面貼裝TMBS二極管主要應(yīng)用于需要高效率、高功率密度、小體積的開關(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換電路中，尤其是作為輸出整流器。

AC/DC適配器和電源

角色：通常用在次級側(cè)（輸出側(cè)）進(jìn)行高頻整流，將高頻變壓器輸出的交流電轉(zhuǎn)換為直流電。其低VF和高效率直接決定了適配器的整體效率和體積。

筆記本電腦、顯示器的電源適配器。

服務(wù)器、通信設(shè)備的開關(guān)電源。

電視、游戲機等消費電子產(chǎn)品的內(nèi)置電源。

DC/DC轉(zhuǎn)換器

角色：在同步整流拓?fù)渲杏袝r作為續(xù)流二極管，或在非同步拓?fù)渲凶鳛橹髡鞫O管。其快速開關(guān)特性對于高頻工作的DC/DC轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要。

在通信基礎(chǔ)設(shè)施、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的板上電源中，用于將一種直流電壓（如48V）轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓（如12V，3.3V）。

總而言之，高電流密度表面貼裝TMBS二極管是現(xiàn)代高性能、高功率密度開關(guān)電源中的關(guān)鍵元件。它的主戰(zhàn)場是各種設(shè)備的電源部分，特別是那些你希望它“更小、更涼、更高效”的地方。

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規(guī) 格 書 參 數(shù) 如 下

Leiditech雷卯電子致力于成為電磁兼容解決方案和元器件供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)品牌，供應(yīng)ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，電感等產(chǎn)品。雷卯擁有一支經(jīng)驗豐富的研發(fā)團隊，能夠根據(jù)客戶需求提供個性化定制服務(wù)，為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。