威兆半導(dǎo)體推出的VS6662GS是一款面向 60V 低壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值6.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值9.5mΩ，低壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)13A，\(T=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為10A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：52A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：兼顧快速開關(guān)與低開關(guān)損耗，提升低壓場景能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 25mJ，感性負(fù)載開關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 60V 級低壓小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的中功率負(fù)載開關(guān)；
  • 小型電源管理系統(tǒng)的功率開關(guān)。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊為準(zhǔn)。）