威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向 30V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 TO-252 封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值4.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值5.8mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)70A，\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為50A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：280A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)，無需額外電平轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)；
• 低導(dǎo)通電阻 + 高可靠性：4.8~5.8mΩ 阻性表現(xiàn)降低傳導(dǎo)損耗，且通過 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 200mJ，感性負(fù)載開關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配中功率密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)低壓中功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子的中功率負(fù)載開關(guān)；
  • 同步整流回路。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）