探索NXH80B120MNQ0SNG雙升壓電源模塊：高效與可靠的完美結(jié)合

在電源模塊的選擇上，電子工程師們總是在追求更高的效率、更好的可靠性以及更廣泛的適用性。今天，我們就來深入了解一款備受關(guān)注的電源模塊——NXH80B120MNQ0SNG，看看它能為我們的設(shè)計帶來哪些驚喜。

文件下載：onsemi NXH80B120MNQ0全碳化硅MOSFET模塊.pdf

模塊概述

NXH80B120MNQ0SNG是一款集成了雙升壓級的電源模塊。其內(nèi)部采用了碳化硅（SiC）MOSFET和SiC二極管，這種組合顯著降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，為工程師實現(xiàn)高效、可靠的電源設(shè)計提供了有力支持。該模塊適用于太陽能逆變器和不間斷電源等典型應(yīng)用場景。

原理圖

模塊特性

性能卓越的器件

• SiC MOSFET：耐壓達1200V，導(dǎo)通電阻低至80mΩ，具備出色的開關(guān)性能。
• SiC二極管：具有低反向恢復(fù)特性和快速開關(guān)速度，能有效減少開關(guān)損耗。
• 旁路和反并聯(lián)二極管：耐壓高達1600V，為電路提供了額外的保護。

優(yōu)化的設(shè)計

• 低電感布局：減少了電磁干擾（EMI），提高了模塊的穩(wěn)定性。
• 可焊接引腳：方便進行電路板組裝。
• 熱敏電阻：可實時監(jiān)測模塊溫度，確保工作在安全范圍內(nèi)。

環(huán)保合規(guī)

該模塊符合無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR）的環(huán)保標準，并且滿足RoHS指令要求。

關(guān)鍵參數(shù)分析

絕對最大額定值

推薦工作范圍

模塊的推薦工作結(jié)溫范圍為 -40°C 至（TJMAX - 25）°C。超出此范圍可能會影響器件的可靠性和性能。

電氣特性

BOOST MOSFET特性

• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在不同的測試條件下，其阻值有所變化。例如，在VGs = 20 V，Io = 20 A，TJ = 25°C時，典型值為80mΩ；而在TJ = 150°C時，典型值變?yōu)?14mΩ。
• 開關(guān)損耗：在不同的溫度和電流條件下，開關(guān)損耗也會有所不同。如在TJ = 25°C，VDs = 700V，VGs = 20V，-5V，ID = 30A，RG = 4.7Ω時，導(dǎo)通開關(guān)損耗（Eon）典型值為166mJ，關(guān)斷開關(guān)損耗（Eoff）典型值為49.2mJ。

BOOST DIODE特性

• 反向恢復(fù)特性：在TJ = 25°C，VDs = 700V，VGs = 20V，-5V，ID = 30A，RG = 4.7Ω時，反向恢復(fù)時間（trr）為12ns，反向恢復(fù)電荷（Qrr）為159nC。

熱敏電阻特性

熱敏電阻的標稱電阻在不同溫度下有不同的值，如在25°C時為22kΩ，在100°C時為1486Ω。其B值（B(25/50)）為3950K，公差為±3%。

典型特性曲線

文檔中提供了豐富的典型特性曲線，包括MOSFET的導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性，BOOST二極管和旁路二極管的正向特性，以及MOSFET和BOOST二極管的開關(guān)特性等。這些曲線可以幫助工程師更好地理解模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進行更精確的設(shè)計。

機械結(jié)構(gòu)與安裝

封裝尺寸

模塊采用Q0BOOST - Case 180AJ封裝，文檔詳細給出了其機械尺寸和引腳位置信息，方便工程師進行電路板布局設(shè)計。

推薦安裝模式

文檔還提供了推薦的安裝模式和安裝孔細節(jié)，確保模塊能夠正確安裝并發(fā)揮最佳性能。

總結(jié)與思考

NXH80B120MNQ0SNG電源模塊憑借其高效的SiC器件、優(yōu)化的設(shè)計和豐富的特性，為電子工程師在太陽能逆變器和不間斷電源等應(yīng)用中提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，仔細考慮模塊的各項參數(shù)和特性，合理選擇工作條件，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時，通過對典型特性曲線的分析，可以進一步優(yōu)化設(shè)計，提高系統(tǒng)的性能。大家在使用這款模塊的過程中，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的設(shè)計經(jīng)驗?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享交流。