chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

CoWoS產(chǎn)能狂飆的背后:異質(zhì)集成芯片的“最終測(cè)試”新范式

芯片出廠的“最后一公里” ? 來源:芯片出廠的“最后一公里 ? 作者:芯片出廠的“最后 ? 2025-12-11 16:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

前言: 當(dāng)臺(tái)積電、日月光等企業(yè)頭宣布加速擴(kuò)張CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能,當(dāng)資本市場(chǎng)以半導(dǎo)體設(shè)備股的上漲予以回應(yīng),一個(gè)明確的信號(hào)正在釋放:異質(zhì)集成(Heterogeneous Integration)的時(shí)代已全面加速。然而,在這場(chǎng)以“封裝”為名的產(chǎn)能競(jìng)賽背后,一個(gè)更深刻、更棘手的挑戰(zhàn)正浮出水面:我們?nèi)绾未_認(rèn),那些通過數(shù)萬根微米級(jí)凸點(diǎn)(bump)和硅中介層(interposer)精密“焊接”在一起的不同芯粒(Chiplet),能夠作為一個(gè)整體,可靠地工作數(shù)年之久? CoWoS將制造復(fù)雜度從晶圓前道推向了封裝后道,也從根本上顛覆了芯片“最終測(cè)試”的定義與范式。在這里,一場(chǎng)關(guān)于“系統(tǒng)級(jí)可靠性”的終極考核,正決定著這些昂貴“微系統(tǒng)”的真正價(jià)值。

一、 趨勢(shì)洞察:從“芯片測(cè)試”到“微系統(tǒng)認(rèn)證”的范式遷移
CoWoS產(chǎn)能的超預(yù)期需求,直接由GPU、ASIC等高性能計(jì)算芯片驅(qū)動(dòng)。這些芯片將計(jì)算芯粒、高帶寬內(nèi)存(HBM)、I/O芯粒等異構(gòu)單元集成于單一封裝體內(nèi),實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍。這一制造革命,使得傳統(tǒng)的半導(dǎo)體測(cè)試金字塔——從晶圓測(cè)試(CP)到最終測(cè)試(FT)——出現(xiàn)了關(guān)鍵的“斷層”。

封裝不再是制造流程的終點(diǎn),而是創(chuàng)造了一個(gè)全新的、更復(fù)雜的測(cè)試對(duì)象。測(cè)試的目標(biāo),從驗(yàn)證單個(gè)裸片(Die)的電性功能,躍升為認(rèn)證這個(gè)由多個(gè)裸片、中介層、基板構(gòu)成的 “微系統(tǒng)” 的整體行為。這包括:各單元間的電氣互連是否完美無缺?在協(xié)同全速運(yùn)行時(shí),電源噪聲和熱量能否被有效管理?系統(tǒng)級(jí)的功能與長(zhǎng)期可靠性是否達(dá)標(biāo)?因此,系統(tǒng)級(jí)測(cè)試(System Level Test, SLT) 不再是一個(gè)可選項(xiàng)或補(bǔ)充項(xiàng),而是成為決定CoWoS芯片能否出廠、能否贏得數(shù)據(jù)中心客戶信任的強(qiáng)制性最終關(guān)卡。這標(biāo)志著一場(chǎng)從“部件檢查”到“整車路試”的范式遷移。

二、 技術(shù)挑戰(zhàn):異質(zhì)集成“微系統(tǒng)”的四大考核難題
對(duì)CoWoS這類異質(zhì)集成芯片進(jìn)行終極考核,面臨前所未有的復(fù)雜性,集中體現(xiàn)在四個(gè)相互關(guān)聯(lián)的維度:

三維互連的“隱匿缺陷”篩查
芯粒間通過數(shù)以萬計(jì)的微凸點(diǎn)連接,任何微小的空洞、虛焊或電遷移,都可能在高負(fù)載下引發(fā)間歇性故障。這些缺陷在靜態(tài)或低速測(cè)試中難以暴露。挑戰(zhàn)在于設(shè)計(jì)高頻、高覆蓋率的互連測(cè)試向量,能夠在封裝后有限的可訪問性下,精確診斷出個(gè)別失效的互連通道或潛在弱連接,這需要與設(shè)計(jì)階段協(xié)同規(guī)劃的可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)作為基礎(chǔ)。

系統(tǒng)級(jí)的“功耗-熱-性能”協(xié)同驗(yàn)證
計(jì)算芯粒與HBM在協(xié)同工作時(shí),會(huì)產(chǎn)生瞬間的極高功耗峰值,導(dǎo)致復(fù)雜的電源噪聲和局部熱點(diǎn)。測(cè)試必須模擬最嚴(yán)苛的真實(shí)工作負(fù)載(如AI訓(xùn)練中的矩陣運(yùn)算),同時(shí)監(jiān)測(cè)整個(gè)封裝體的電壓穩(wěn)定性、電流紋波、熱分布以及由此引發(fā)的時(shí)鐘抖動(dòng)和性能波動(dòng)。單一芯片的測(cè)試環(huán)境無法復(fù)現(xiàn)這種多芯片耦合的“系統(tǒng)級(jí)工作態(tài)”。

異構(gòu)單元的“協(xié)同啟動(dòng)”與燒錄
CoWoS芯片在首次上電前,需要為一個(gè)包含CPU、GPU、HBM控制器等在內(nèi)的“多核系統(tǒng)”進(jìn)行初始化配置。燒錄流程必須能夠并行或有序地為不同架構(gòu)、不同指令集的芯粒,載入正確的固件、微碼、訓(xùn)練參數(shù)和安全密鑰。這不僅要求燒錄設(shè)備支持多協(xié)議,更需要一個(gè)頂層的“配置管理引擎”,確保所有組件能協(xié)調(diào)一致地啟動(dòng),避免因配置沖突導(dǎo)致系統(tǒng)“死鎖”。

封裝后診斷與可追溯性的物理限制
一旦芯片被密封在封裝體內(nèi),傳統(tǒng)的物理探針診斷手段幾乎失效。當(dāng)SLT測(cè)試失敗時(shí),如何快速、低成本地定位故障是位于某個(gè)芯粒、互連還是中介層?這要求測(cè)試系統(tǒng)能提供極其豐富的數(shù)字診斷日志和性能遙測(cè)數(shù)據(jù),并與前道晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)、封裝工藝數(shù)據(jù)進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析,構(gòu)建覆蓋芯片全生命周期的“數(shù)字孿生”,以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的根因分析。

解決方案:構(gòu)建面向“微系統(tǒng)”的智能認(rèn)證體系
應(yīng)對(duì)上述挑戰(zhàn),需要構(gòu)建一套全新的、貫穿設(shè)計(jì)、制造與測(cè)試的智能認(rèn)證體系,其核心支柱如下:

設(shè)計(jì)-測(cè)試協(xié)同(DfT for SI/PI):推動(dòng)在芯片與封裝設(shè)計(jì)階段,就將系統(tǒng)級(jí)的信號(hào)完整性(SI)和電源完整性(PI) 可測(cè)試性納入規(guī)劃。例如,在互連網(wǎng)絡(luò)中植入監(jiān)測(cè)電路,為關(guān)鍵電源網(wǎng)絡(luò)提供可觀測(cè)的測(cè)試點(diǎn),從而在最終測(cè)試時(shí)能夠“看見”封裝內(nèi)部的狀態(tài)。

基于仿真的復(fù)合驗(yàn)證平臺(tái):建立一個(gè)結(jié)合 “電-熱-力”多物理場(chǎng)仿真 的測(cè)試環(huán)境。在SLT階段,不僅運(yùn)行軟件工作負(fù)載,更能根據(jù)仿真預(yù)測(cè)的“最壞情況場(chǎng)景”,動(dòng)態(tài)調(diào)整測(cè)試向量的電壓、頻率和負(fù)載模式,主動(dòng)激發(fā)并捕捉潛在的系統(tǒng)級(jí)邊際失效。

高吞吐、多協(xié)議的協(xié)同配置與燒錄站:開發(fā)新一代燒錄解決方案,它應(yīng)能理解整個(gè)CoWoS芯片的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),像“交響樂指揮”一樣,同步管理流向不同芯粒的數(shù)據(jù)流,并確保配置的原子性和一致性。同時(shí),將每一次燒錄操作與芯片的最終序列號(hào)、生產(chǎn)批次深度綁定,形成不可篡改的“系統(tǒng)出生證明”。

數(shù)據(jù)閉環(huán)與智能診斷:將SLT過程中采集的海量功耗、性能、溫度數(shù)據(jù),與CP測(cè)試數(shù)據(jù)、封裝工藝參數(shù)進(jìn)行大數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)分析。利用機(jī)器學(xué)習(xí)算法,建立良率預(yù)測(cè)模型和早期失效預(yù)警系統(tǒng),將測(cè)試從“事后篩選”部分轉(zhuǎn)變?yōu)?“過程質(zhì)量監(jiān)控與優(yōu)化” 的前瞻性工具。

結(jié)語:
CoWoS產(chǎn)能的狂飆,標(biāo)志著半導(dǎo)體性能競(jìng)賽的主場(chǎng),正從前道制程工藝逐步轉(zhuǎn)向后道系統(tǒng)集成能力。而這場(chǎng)競(jìng)賽的終極裁判,正是那個(gè)能夠確保這些復(fù)雜“微系統(tǒng)”在現(xiàn)實(shí)世界中萬無一失的 “最終測(cè)試”新范式。

在您看來,推動(dòng)CoWoS等異質(zhì)集成技術(shù)大規(guī)模落地的最大測(cè)試瓶頸是什么?是高昂的系統(tǒng)級(jí)測(cè)試成本、缺乏統(tǒng)一的互連測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),還是故障定位與分析的極端困難? 歡迎在評(píng)論區(qū)分享您的專業(yè)見解與實(shí)踐挑戰(zhàn)。當(dāng)芯片的“大腦”、“內(nèi)存”與“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”被封裝進(jìn)同一個(gè)“顱腔”,我們需要的,是一套能夠透視其協(xié)同生命力的全新“體檢”標(biāo)準(zhǔn)。在這一前沿領(lǐng)域,與具備從芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)全面驗(yàn)證視野、并擁有深度數(shù)據(jù)整合能力的伙伴合作,正從可選項(xiàng)變?yōu)榇_保投資回報(bào)與產(chǎn)品成功的必選項(xiàng)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9208

    瀏覽量

    148297
  • 芯片測(cè)試
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    168

    瀏覽量

    21114
  • 燒錄
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    309

    瀏覽量

    37025
  • CoWoS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    169

    瀏覽量

    11475
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是:CoWoS封裝散熱

    摘要:由于半導(dǎo)體行業(yè)體系龐大,理論知識(shí)繁雜,我們將通過多個(gè)期次和專題進(jìn)行全面整理講解。本專題主要從AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是:CoWoS封裝散熱進(jìn)行講解,讓大家更準(zhǔn)確和全面的認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體地整個(gè)行業(yè)體系
    的頭像 發(fā)表于 12-24 09:21 ?588次閱讀
    AI<b class='flag-5'>芯片</b>發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是:<b class='flag-5'>CoWoS</b>封裝散熱

    CoWoS產(chǎn)能狂飆下的隱憂:當(dāng)封裝“量變”遭遇檢測(cè)“質(zhì)控”瓶頸

    先進(jìn)封裝競(jìng)賽中,CoWoS 產(chǎn)能與封測(cè)低毛利的反差,凸顯檢測(cè)測(cè)試的關(guān)鍵地位。2.5D/3D 技術(shù)帶來三維缺陷風(fēng)險(xiǎn),傳統(tǒng)檢測(cè)失效,面臨光學(xué)透視量化、電性隔離定位及效率成本博弈三大挑戰(zhàn)。解決方案在于構(gòu)建
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:34 ?281次閱讀

    HBM量?jī)r(jià)齊飛,UFS加速普及:存儲(chǔ)狂飆下的“最后質(zhì)檢”攻堅(jiān)戰(zhàn)

    HBM 量?jī)r(jià)齊飛、UFS 4.1 普及推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)狂飆,卻凸顯燒錄與測(cè)試這一 “最后質(zhì)檢” 難題。高端存儲(chǔ)性能競(jìng)賽(HBM4 帶寬 2TB/s、UFS 4.1 讀寫 4.2GB/s)與產(chǎn)能成本博弈
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:15 ?351次閱讀

    高算力低功耗背后的半導(dǎo)體革新

    臺(tái)積電在其2025年的技術(shù)研討會(huì)上,其聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官張曉強(qiáng)揭曉了CoWoS技術(shù)的新發(fā)展。非常值得關(guān)注的就是名為“明日CoWoS”的技術(shù),讓3D堆疊能力再上一個(gè)臺(tái)階。首次亮相的“集成電壓調(diào)節(jié)器
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:44 ?608次閱讀

    臺(tái)積電CoWoS技術(shù)的基本原理

    隨著高性能計(jì)算(HPC)、人工智能(AI)和大數(shù)據(jù)分析的快速發(fā)展,諸如CoWoS芯片-晶圓-基板)等先進(jìn)封裝技術(shù)對(duì)于提升計(jì)算性能和效率的重要性日益凸顯。
    的頭像 發(fā)表于 11-11 17:03 ?2648次閱讀
    臺(tái)積電<b class='flag-5'>CoWoS</b>技術(shù)的基本原理

    臺(tái)積電CoWoS平臺(tái)微通道芯片封裝液冷技術(shù)的演進(jìn)路線

    臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù),特別是CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)平臺(tái)上的微通道芯片液冷技術(shù)路線,是其應(yīng)對(duì)高性能計(jì)算和AI芯片高熱流密度挑戰(zhàn)的關(guān)鍵策略。本報(bào)告將基于臺(tái)積電相關(guān)的研究成果和已發(fā)表文獻(xiàn),深
    的頭像 發(fā)表于 11-10 16:21 ?2703次閱讀
    臺(tái)積電<b class='flag-5'>CoWoS</b>平臺(tái)微通道<b class='flag-5'>芯片</b>封裝液冷技術(shù)的演進(jìn)路線

    【2025九峰山論壇】破局摩爾定律:異質(zhì)異構(gòu)集成如何撬動(dòng)新賽道?

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷演進(jìn)的歷程中,異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)正逐漸成為推動(dòng)行業(yè)突破現(xiàn)有瓶頸、邁向全新發(fā)展階段的關(guān)鍵力量。在這樣的產(chǎn)業(yè)變革背景下,九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)于武漢光谷盛大召開,吸引了來自美國
    的頭像 發(fā)表于 09-30 15:58 ?1484次閱讀
    【2025九峰山論壇】破局摩爾定律:<b class='flag-5'>異質(zhì)</b>異構(gòu)<b class='flag-5'>集成</b>如何撬動(dòng)新賽道?

    CoWoP能否挑戰(zhàn)CoWoS的霸主地位

    在半導(dǎo)體行業(yè)追逐更高算力、更低成本的賽道上,先進(jìn)封裝技術(shù)成了關(guān)鍵突破口。過去幾年,臺(tái)積電的CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)技術(shù)憑借對(duì)AI芯片需求的精準(zhǔn)適配,成了先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 09-03 13:59 ?2898次閱讀
    CoWoP能否挑戰(zhàn)<b class='flag-5'>CoWoS</b>的霸主地位

    普萊信成立TCB實(shí)驗(yàn)室,提供CoWoS、HBM、CPO、oDSP等從打樣到量產(chǎn)的支持

    封裝: 如CoWoS-S、CoWoS-L封裝等; 二、3D封裝: 如HBM的多層DRAM芯片堆疊鍵合; 三、光電共封(CPO)、oDSP和光模塊相關(guān)封裝: 如PIC(光子芯片)/EIC
    的頭像 發(fā)表于 08-07 08:58 ?1048次閱讀
    普萊信成立TCB實(shí)驗(yàn)室,提供<b class='flag-5'>CoWoS</b>、HBM、CPO、oDSP等從打樣到量產(chǎn)的支持

    北京君正如何實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)芯片范式跨越

    北京君正的自主內(nèi)核設(shè)計(jì),通過底層技術(shù)創(chuàng)新與商業(yè)化驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)芯片從“技術(shù)跟隨”到“自主引領(lǐng)”的范式跨越。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 13:47 ?1443次閱讀

    新能源車產(chǎn)線必備!汽車電子組裝測(cè)試線憑啥讓產(chǎn)能翻倍?

    新能源車市場(chǎng)滲透率狂飆到35%,但有個(gè)“致命傷”讓車企頭疼:電子部件檢測(cè)效率太低! 某造車新勢(shì)力高管曾吐槽:“沒有這條‘超級(jí)產(chǎn)線’,我們的交付周期至少拖后6個(gè)月!”而汽車電子組裝測(cè)試線,卻讓某車企的產(chǎn)能直接翻倍!
    的頭像 發(fā)表于 04-08 13:10 ?1246次閱讀
    新能源車產(chǎn)線必備!汽車電子組裝<b class='flag-5'>測(cè)試</b>線憑啥讓<b class='flag-5'>產(chǎn)能</b>翻倍?

    國產(chǎn)AI芯片破局:國產(chǎn)TCB設(shè)備首次完成CoWoS封裝工藝測(cè)試

    ,高端GPU的國產(chǎn)化制造成為中國AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵挑戰(zhàn),尤其是CoWoS先進(jìn)封裝制程的自主化尤為緊迫,目前中國大陸產(chǎn)能極少,且完全依賴進(jìn)口設(shè)備,這一瓶頸嚴(yán)重制約著國產(chǎn)AI發(fā)展進(jìn)程。在此背景下,普萊信智能開發(fā)的Loong系列TCB設(shè)備,通過與客戶的緊密合
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:09 ?1757次閱讀
    國產(chǎn)AI<b class='flag-5'>芯片</b>破局:國產(chǎn)TCB設(shè)備首次完成<b class='flag-5'>CoWoS</b>封裝工藝<b class='flag-5'>測(cè)試</b>

    最新議程出爐! | 2025異質(zhì)異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會(huì)(HIPC 2025)

    異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會(huì)(浙江寧波)點(diǎn)此報(bào)名添加文末微信,加先進(jìn)封裝群會(huì)議議程會(huì)議基本信息會(huì)議名稱:2025勢(shì)銀異質(zhì)異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會(huì)指導(dǎo)單位:鎮(zhèn)海區(qū)人民政府(擬)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 09:41 ?1320次閱讀
    最新議程出爐! | 2025<b class='flag-5'>異質(zhì)</b>異構(gòu)<b class='flag-5'>集成</b>封裝產(chǎn)業(yè)大會(huì)(HIPC 2025)

    臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能未來五年穩(wěn)健增長(zhǎng)

    盡管全球政治經(jīng)濟(jì)形勢(shì)充滿不確定性,半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士仍對(duì)臺(tái)積電未來五年的先進(jìn)封裝擴(kuò)張戰(zhàn)略保持樂觀態(tài)度,特別是其CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)封裝技術(shù)的生產(chǎn)能力預(yù)計(jì)將保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 15:47 ?998次閱讀

    日月光擴(kuò)大CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能

    近期,半導(dǎo)體封裝巨頭日月光投控在先進(jìn)封裝領(lǐng)域再次邁出重要一步,宣布將擴(kuò)大其CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)先進(jìn)封裝產(chǎn)能,并與AI芯片巨頭英偉達(dá)的合作更加緊密。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 14:46 ?1303次閱讀