威兆半導體推出的VS3622AE是一款面向 30V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，適配低壓 DC/DC 轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值7.9mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值12mΩ，低壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時45A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為28A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：180A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅動電路，無需額外電平轉換，簡化系統(tǒng)設計；
• 快速開關 + 高可靠性：開關速度優(yōu)異，且通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 20mJ，感性負載開關場景穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷，適配高密度電路板設計；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓 DC/DC 轉換器開關管；
  • 低壓電源的同步整流回路；
  • 消費電子、工業(yè)設備的中功率負載通斷管理。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）