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DRV8704:高性能雙H橋PWM柵極驅(qū)動器的設(shè)計與應(yīng)用

lhl545545 ? 2026-01-09 11:15 ? 次閱讀
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DRV8704:高性能雙H橋PWM柵極驅(qū)動器的設(shè)計與應(yīng)用

在工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中,電機(jī)控制是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié),而合適的電機(jī)驅(qū)動芯片則是實現(xiàn)精確控制的核心。今天,我們就來深入探討德州儀器TI)推出的DRV8704 52 - V雙H橋PWM柵極驅(qū)動器,看看它在電機(jī)控制領(lǐng)域能為我們帶來哪些驚喜。

文件下載:drv8704.pdf

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

強(qiáng)大的PWM控制能力

DRV8704是一款脈沖寬度調(diào)制(PWM)電機(jī)驅(qū)動器,能夠驅(qū)動外部N溝道MOSFET,通過PWM控制接口實現(xiàn)對雙直流電機(jī)的精確控制,并且支持100%的PWM占空比。這意味著在實際應(yīng)用中,我們可以根據(jù)不同的需求靈活調(diào)整電機(jī)的轉(zhuǎn)速和扭矩,滿足多樣化的工業(yè)場景。

寬電壓工作范圍

其8 - V至52 - V的工作電源電壓范圍,使得DRV8704能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,無論是低電壓的小型設(shè)備,還是高電壓的大型工業(yè)機(jī)械,都能穩(wěn)定工作。

可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動

柵極驅(qū)動具有4個可調(diào)節(jié)級別,源電流范圍為50 - mA至200 - mA,灌電流范圍為100 - mA至400 - mA。這種可調(diào)節(jié)性讓我們可以根據(jù)外部MOSFET的特性進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置,確保電機(jī)驅(qū)動的效率和穩(wěn)定性。

集成的PWM電流調(diào)節(jié)

集成的PWM電流調(diào)節(jié)功能,結(jié)合靈活的衰減模式,如自動混合衰減模式、慢衰減、快衰減和混合衰減(可調(diào)節(jié)快速百分比),能夠精確控制電機(jī)電流,減少能量損耗,提高電機(jī)的運(yùn)行效率。

高度可配置的SPI接口

通過SPI接口,我們可以對扭矩DAC進(jìn)行數(shù)字縮放電流,還能實現(xiàn)低電流睡眠模式(僅65 μA),有效降低功耗。同時,芯片還集成了5 - V、10 - mA的LDO穩(wěn)壓器,為系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電源。

完善的保護(hù)功能

DRV8704具備多種保護(hù)特性,包括VM欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動器故障(PDF)、過流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷(TSD)以及故障狀態(tài)指示引腳(nFAULT),并可通過SPI進(jìn)行故障診斷。這些保護(hù)功能大大提高了芯片的可靠性和穩(wěn)定性,減少了因異常情況導(dǎo)致的設(shè)備損壞。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

DRV8704適用于多種工業(yè)設(shè)備,如自動柜員機(jī)和貨幣處理機(jī)、辦公自動化機(jī)器、工廠自動化和機(jī)器人以及紡織機(jī)器等。在這些應(yīng)用中,DRV8704能夠精確控制電機(jī)的運(yùn)行,提高設(shè)備的性能和可靠性。

產(chǎn)品詳細(xì)解析

引腳配置與功能

DRV8704采用38引腳的HTSSOP(PowerPAD)封裝,引腳配置豐富且功能明確。不同的引腳分別用于電源和接地、控制、串行接口、狀態(tài)指示和輸出等功能。例如,CP1和CP2引腳用于連接電荷泵電容,GND引腳為設(shè)備接地,AIN1和AIN2等引腳用于控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)等。在實際設(shè)計中,我們需要根據(jù)引腳的功能進(jìn)行合理的連接和布局,確保芯片的正常工作。

規(guī)格參數(shù)

  • 絕對最大額定值:規(guī)定了芯片在不同參數(shù)下的最大承受范圍,如電源電壓、電荷泵電壓、工作溫度等。超出這些范圍可能會對芯片造成永久性損壞,因此在設(shè)計時必須嚴(yán)格遵守。
  • ESD額定值:芯片具有一定的靜電放電保護(hù)能力,人體模型(HBM)為±4000 V,帶電設(shè)備模型(CDM)為±1500 V。但在實際操作中,仍需注意靜電防護(hù),避免芯片受到靜電損壞。
  • 推薦工作條件:給出了芯片正常工作時的最佳參數(shù)范圍,如電機(jī)電源電壓范圍為8 - 52 V,數(shù)字引腳電壓范圍為0 - 5.3 V等。在設(shè)計電源和控制電路時,應(yīng)確保這些參數(shù)在推薦范圍內(nèi)。
  • 熱信息:提供了芯片的熱阻等參數(shù),如結(jié)到環(huán)境的熱阻為32.7 °C/W。在散熱設(shè)計時,需要根據(jù)這些參數(shù)合理選擇散熱方式和散熱器件,確保芯片在正常溫度范圍內(nèi)工作。

詳細(xì)工作原理

PWM電機(jī)驅(qū)動

DRV8704包含兩個H橋電機(jī)柵極驅(qū)動器和電流控制PWM電路。在直接PWM輸入模式下,AIN1、AIN2、BIN1和BIN2引腳直接控制輸出驅(qū)動器的狀態(tài),可驅(qū)動多達(dá)兩個有刷直流電機(jī)。同時,電流控制電路仍然有效,可通過TORQUE寄存器和ISGAIN位進(jìn)行電流調(diào)節(jié)。

電流調(diào)節(jié)

電機(jī)繞組中的電流通過可調(diào)的固定關(guān)斷時間PWM電流調(diào)節(jié)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)H橋啟用時,電流根據(jù)繞組的直流電壓、電感和反電動勢的大小上升。當(dāng)電流達(dá)到斬波閾值時,橋路會在一個固定的時間段內(nèi)禁用電流,該時間段可通過TOFF位進(jìn)行編程設(shè)置。之后,橋路重新啟用,開始新的PWM周期。

衰減模式

DRV8704支持多種衰減模式,包括快衰減、慢衰減、固定混合衰減和自動混合衰減。在PWM電流斬波過程中,當(dāng)電流達(dá)到斬波閾值后,H橋可根據(jù)不同的衰減模式進(jìn)行操作。例如,快衰減模式可使繞組電流反向流動,而慢衰減模式則通過啟用橋路中的兩個低端FET來使繞組電流再循環(huán)。

消隱時間

在H橋啟用電流后,ISEN引腳的電壓會在一段時間內(nèi)被忽略,這段時間稱為消隱時間。消隱時間可通過TBLANK位進(jìn)行調(diào)節(jié),范圍為500 ns至5.14 μs。消隱時間的設(shè)置不僅可以避免電流檢測電路受到干擾,還能設(shè)置PWM的最小驅(qū)動時間。

柵極驅(qū)動器

芯片內(nèi)部的電荷泵電路和預(yù)驅(qū)動器可直接驅(qū)動N溝道MOSFET。預(yù)驅(qū)動器的峰值驅(qū)動電流可通過DRIVE寄存器進(jìn)行調(diào)節(jié),同時還設(shè)置了死區(qū)時間,防止高端和低端FET同時導(dǎo)通。在選擇外部FET時,需要根據(jù)FET的柵極電荷和所需的上升時間來合理配置IDRIVE和TDRIVE寄存器,確保FET能夠完全導(dǎo)通。

設(shè)備功能模式

DRV8704有正常工作、禁用、睡眠和故障等多種功能模式。在睡眠模式下,電荷泵、H橋FET和V5穩(wěn)壓器均被禁用,可有效降低功耗。當(dāng)nSLEEP引腳置為邏輯高電平時,芯片自動退出睡眠模式。

寄存器映射

DRV8704通過內(nèi)部寄存器來控制電機(jī)的運(yùn)行,這些寄存器可通過串行SPI通信接口進(jìn)行編程。不同的寄存器具有不同的功能,如CTRL寄存器用于控制電機(jī)的啟用和禁用、ISENSE放大器的增益等;TORQUE寄存器用于縮放電流;OFF寄存器用于設(shè)置固定關(guān)斷時間等。了解這些寄存器的功能和設(shè)置方法,對于實現(xiàn)電機(jī)的精確控制至關(guān)重要。

應(yīng)用設(shè)計與實現(xiàn)

典型應(yīng)用設(shè)計

在設(shè)計DRV8704的應(yīng)用電路時,需要考慮多個因素。首先是外部FET的選擇,要根據(jù)系統(tǒng)的PWM頻率和電荷泵容量來確定FET的最大柵極電荷。例如,如果系統(tǒng)使用的最大PWM頻率為40 kHz,那么DRV8704將支持Qg < 250 nC的FET。其次,IDRIVE的配置要根據(jù)FET的柵極電荷來進(jìn)行,確保FET能夠完全導(dǎo)通。同時,還需要合理設(shè)置電流斬波參數(shù)和衰減模式,以滿足電機(jī)的運(yùn)行需求。

電源供應(yīng)建議

為了確保DRV8704的穩(wěn)定運(yùn)行,電源供應(yīng)至關(guān)重要。需要在VM引腳附近放置一個0.01 μF的陶瓷電容,并添加一個大容量的電容作為局部大容量電容。局部大容量電容的大小需要根據(jù)電機(jī)系統(tǒng)的最大電流、電源的電容和供電能力、寄生電感、可接受的電壓紋波等因素來確定,通常需要進(jìn)行系統(tǒng)級測試來選擇合適的電容值。

布局設(shè)計要點(diǎn)

PCB布局時,要遵循一定的原則。VM引腳應(yīng)使用低ESR陶瓷旁路電容進(jìn)行旁路,電容應(yīng)盡可能靠近VM引腳,并使用厚走線或接地平面連接到設(shè)備的GND引腳。同時,要合理放置大容量電容,以減少高電流路徑的距離,降低電感。對于xISENP和xISENN引腳,應(yīng)使用單獨(dú)的走線連接到感測電阻端子,避免干擾。

總結(jié)

DRV8704作為一款高性能的雙H橋PWM柵極驅(qū)動器,憑借其豐富的功能、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和完善的保護(hù)機(jī)制,為工業(yè)設(shè)備的電機(jī)控制提供了一個優(yōu)秀的解決方案。在實際設(shè)計中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇外部器件,優(yōu)化電路布局,確保芯片能夠發(fā)揮出最佳性能。你在使用類似芯片時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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