單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS，這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù)，我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐受能力，進(jìn)而來(lái)評(píng)估器件在異常瞬態(tài)過(guò)壓情況下不會(huì)失效，
2024-11-25 11:31:09
8929 
單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負(fù)載時(shí)，在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下，所能承受的最大能量消耗，單位是焦耳(J)，其值越大，器件在電路中遭遇瞬間過(guò)電壓或過(guò)電流情況時(shí)越不容易損壞。
2025-05-15 15:32:143841 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），簡(jiǎn)稱MOS管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的一種。
2025-10-23 13:56:439254 
本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。
2020-08-10 17:11:002795 
MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解
2022-12-09 09:12:373502 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:583118 
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過(guò)的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:241911 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:531994 
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
2024-02-25 15:48:087211 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:353554 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572639 
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開(kāi)通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
2025-03-26 16:52:161890 
` 本帖最后由 qw715615362 于 2012-9-12 11:35 編輯
是你深刻理解MOSFET的特性及各種參數(shù)`
2012-09-12 11:32:13
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
本身的溫度（功耗、熱阻、Tc）。ZthJC同時(shí)也考慮了Cth無(wú)功功率帶來(lái)的溫度影響。這個(gè)參數(shù)通常用來(lái)計(jì)算由瞬態(tài)功耗帶來(lái)的溫度累加。5. 典型輸出特性MOSFET的典型輸出特性描繪了漏極電流Id在常溫下
2018-07-12 11:34:11
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗
1 開(kāi)通
2025-02-26 14:41:53
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其
2018-09-05 15:37:26
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過(guò)MOSFET規(guī)格書中的絕對(duì)最大
2022-07-26 18:06:41
溫度依賴性。下面是實(shí)測(cè)例。下一篇計(jì)劃介紹ID-VGS特性。關(guān)鍵要點(diǎn):?MOSFET的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)提供導(dǎo)通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間。?開(kāi)關(guān)特性受測(cè)量條件和測(cè)量電路的影響較大，因此一般確認(rèn)提供條件。?開(kāi)關(guān)特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個(gè)MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時(shí)的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
脈沖電壓的持續(xù)只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns，MOSFET管也會(huì)進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)而發(fā)生損壞。
（3）因此MOSFET管的雪崩電壓通常發(fā)生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持續(xù)的時(shí)間通常都是μs、甚至ms級(jí)，因此在選擇BVdss時(shí)需要留有足夠的余量
2025-12-23 08:37:26
和這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動(dòng)損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動(dòng)IC中。QG越大，驅(qū)動(dòng)損耗越大。基于RDSON選取了功率MOSFET的型號(hào)后，這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)都可以
2017-11-15 08:14:38
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet選型什么參數(shù)優(yōu)先考慮？`
2019-10-29 16:30:15
最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓
2020-07-23 07:23:18
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
;  MOSFET的規(guī)格書中，通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
MOSFET開(kāi)時(shí)米勒平臺(tái)的形成過(guò)程的詳細(xì)解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
本文先對(duì)mos失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致
2018-08-15 17:06:21
第一部分 最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際
2019-11-15 07:00:00
(on)-V_GS 特性 (2SK3418)功率MOSFET的破壞機(jī)理及對(duì)策雪崩破壞模式ASO（安全操作區(qū)）內(nèi)部二極管損壞由于寄生振蕩而損壞柵極浪涌、靜電破壞功率 MOSFET 應(yīng)用和工作范圍
功率MOSFET
2024-06-11 15:19:16
的MOSFET以滿足特定應(yīng)用的性能需求對(duì)客戶是最重要的。每個(gè)功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含相同的關(guān)鍵部分和器件參數(shù)，以便為客戶提供詳細(xì)信息，關(guān)于最大工作臨界值、典型性能特性，和用于線路板布局的封裝信息。這些部分
2018-10-18 09:13:03
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開(kāi)通延時(shí)、開(kāi)通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來(lái)評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比
2025-11-19 06:35:56
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復(fù)雪崩電流IAR和重復(fù)雪崩能量EAR，同時(shí)標(biāo)注了測(cè)量條件，通常有起始溫度25C，最高結(jié)溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測(cè)量的條件
2017-09-22 11:44:39
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動(dòng)損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動(dòng)IC中。QG越大，驅(qū)動(dòng)損耗越大。基于RDSON選取了功率MOSFET的型號(hào)后，這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)都可以在數(shù)據(jù)表中
2019-04-04 06:30:00
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
揭秘tvs管的特性及應(yīng)用參數(shù) 一、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號(hào)與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過(guò)TVS管
2018-11-19 15:23:22
` 1、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號(hào)與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件?！ ≡谒矐B(tài)峰值脈沖電流作用下，流過(guò)TVS管的電流，由原來(lái)的反向
2018-11-02 11:45:43
一、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號(hào)與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過(guò)TVS管的電流，由原來(lái)的反向漏電流ID上升
2018-11-06 10:29:47
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被證明是一個(gè)非常有用的參數(shù)。雖然不建議在
2022-11-18 06:39:27
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其
2015-11-19 15:46:13
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
`·隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
硅雪崩二極管光子輻射特性的實(shí)驗(yàn)研究
摘 要 利用計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)測(cè)量的方法,對(duì)工作在擊穿狀態(tài)下的硅雪崩光電二極管(APD)光子輻射的暫態(tài)特性以及計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)特
2009-11-11 16:59:22
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功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:386684 
雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。這樣，通過(guò)空
2010-02-27 11:49:253814 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:138880 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系
2010-12-30 10:12:442870 
下文主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過(guò)此參數(shù)來(lái)理解設(shè)計(jì)時(shí)候的考量 一、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，一般 datasheet 都包含如下關(guān)鍵參數(shù)： 1 極限參數(shù)： ID ：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID
2011-03-15 15:20:4090 主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過(guò)此參數(shù)來(lái)理解設(shè)計(jì)時(shí)候的考量
2011-04-07 16:47:42171 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有
2011-09-02 10:49:142937 
2014-12-13 14:40:4514 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
2016-03-24 17:59:0847 本文詳細(xì)的對(duì)MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)進(jìn)行分析
2018-03-01 09:14:546891 
理解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的雪崩能量等級(jí)
2018-08-16 01:54:004483 本文首先介紹了雪崩光電二極管的概念和主要特性然后簡(jiǎn)單分析了工作原理最后介紹雪崩光電二極管的應(yīng)用和結(jié)構(gòu)。
2019-08-01 10:10:1014211 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何理解功率MOSFET規(guī)格書之雪崩特性和體二極管參數(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。
2020-03-07 08:00:0020 電路應(yīng)用需求來(lái)選擇功率器件。在選擇器件的時(shí)候，除去封裝形式的要求外，主要用來(lái)衡量器件特性的就是器件的電參數(shù)。本文將著重介紹功率VDMOSFET器件常用的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)電參數(shù)的測(cè)試定義，條件制定和規(guī)范，以及如何通過(guò)這些電特性參數(shù)值去了解器件的
2020-03-07 08:00:0021 早在80年代中期，功率MOSFET制造商就開(kāi)始宣稱一個(gè)新的突出特點(diǎn)：雪崩的堅(jiān)固性。突然間，新的設(shè)備家族進(jìn)化了，所有這些都有了“新”的特性。實(shí)現(xiàn)起來(lái)相當(dāng)簡(jiǎn)單：垂直MOSFET結(jié)構(gòu)有一個(gè)不可消除的整體漏
2020-06-08 08:00:005 本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動(dòng)命令信號(hào)錯(cuò)誤，就會(huì)致使變換器功率開(kāi)關(guān)管在雪崩條件下工作。
2020-08-09 10:33:002538 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供圖文分析MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:47:4519 本文對(duì)MOSFET用圖片進(jìn)行了最詳細(xì)的講解，希望對(duì)讀者你學(xué)習(xí)MOSFET時(shí)有幫助。
2021-04-26 10:38:107256 
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其
2021-11-24 11:22:315639 
Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩
2022-04-19 15:10:244636 雪崩電流IAS和IAR :下圖ID峰值 單次雪崩能量EAS：一次性雪崩期間所能承受的能量， 以Tch<=150℃ 為極限 重復(fù)雪崩能量EAR：所能承受以一定頻率反復(fù)出現(xiàn)的雪崩能量， 以Tch<=150℃ 為極限
2022-05-09 11:18:401 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3925 MOSFET特性參數(shù)說(shuō)明
2022-08-22 09:54:473068 看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
2022-11-03 08:04:455 前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 10:19:244502 
繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:2510360 
功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級(jí)-AN10273
2023-02-09 19:23:424 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩
2023-02-13 09:30:073305 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:453421 
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)常見(jiàn)參數(shù)解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
2023-06-19 09:53:142111 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:544019 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:531407 
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:471703 
什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機(jī)理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過(guò)電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿，進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中，絕緣是保證設(shè)備正常運(yùn)行
2023-11-24 14:15:364416 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:361936 
EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過(guò)沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過(guò)擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩 擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
2023-12-11 14:34:335425 
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
2024-01-26 09:30:424052 特點(diǎn)，在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而，在使用功率MOSFET時(shí)，一個(gè)不可忽視的問(wèn)題就是雪崩電流（Avalanche Current）。本文將對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的雪崩電流進(jìn)行深入的解析，探討其產(chǎn)生原因、影響因素及防止措施。
2024-05-31 17:30:102861 MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象，主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析，包括其定義、原理、影響、預(yù)防措施以及相關(guān)的技術(shù)背景。
2024-08-15 16:50:373863 雪崩晶體管（Avalanche Transistor）是一種具有特殊工作特性的晶體管，其核心在于其能夠在特定條件下展現(xiàn)出雪崩倍增效應(yīng)。以下是對(duì)雪崩晶體管的定義、工作原理以及相關(guān)特性的詳細(xì)闡述。
2024-09-23 18:03:223083 雪崩二極管（Avalanche Diode）是一種特殊的二極管，其工作特性主要基于雪崩擊穿效應(yīng)。這種器件在電子領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，其獨(dú)特的特性和作用使其在多種電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
2024-09-23 18:12:023145 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過(guò)對(duì)比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002735 問(wèn)題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過(guò)程中，工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評(píng)價(jià)要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51712 
在功率器件的參數(shù)表中，我們?？吹?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指標(biāo)，用于描述器件在雪崩條件下的承受能力。然而，在MDD肖特基二極管
2025-08-14 09:40:59504 
在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)設(shè)備控制等場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT4913J型號(hào)，從參數(shù)、特性到應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行深度
2025-10-23 10:50:59355 
在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號(hào)，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢(shì)到實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景展開(kāi)深度剖析，為工程師選型與系統(tǒng)
2025-10-23 11:17:26377 深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的電子元件。今天，我們就來(lái)
2025-12-20 10:15:02590
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