隨著AI、云計算爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心面臨帶寬密度不足與功耗激增雙重挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)電互連和板級光模塊難以滿足需求，而共封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)將光電器件緊貼CPU/GPU封裝，縮短電傳輸距離，實現(xiàn)能效提升40%+與帶寬密度翻倍。本文介紹京瓷提出的一種無源對準(zhǔn)方法，該方法利用CNC補償技術(shù)，實現(xiàn)了CPO（共封裝光學(xué)）模塊的電光同步貼裝。該方法能夠?qū)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/2800/" target="_blank">光電轉(zhuǎn)換器精確地貼裝到聚合物波導(dǎo)上，并提供了足以支持32 Gb/s NRZ（非歸零碼）傳輸的耦合效率。

CPO模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計

圖1：CPO模塊結(jié)構(gòu)（a）與光耦合截面示意圖（b）

京瓷CPO模塊的主要設(shè)計包括：

雙芯片設(shè)計：2個5×5mm硅光（SiPh）芯片，集成4通道收發(fā)器，采用硅光技術(shù)實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換；

基板尺寸：33.6×21.0mm2，嵌入聚合物波導(dǎo)+曲面反射鏡；

光路路徑：SiPh芯片 → 垂直光釘 → 45°曲面鏡 → 波導(dǎo) → 多模光纖；

創(chuàng)新光路設(shè)計：采用聚合物垂直光釘（Optical Pins）將光信號引出芯片平面。

貼片容差：±5μm的生死線

光耦合損耗必須≤0.6 dB才能滿足32 Gb/s NRZ傳輸。通過微位移實驗（圖2）測得X/Y軸偏移容忍度僅±5μm，超過±5μm損耗劇增。此外，采用曲面鏡設(shè)計使X/Y軸容差對稱化，避免焦點突變。

圖2：容差測試裝置

圖3：X/Y軸位移與光損耗關(guān)系

貼片流程：SIEOM技術(shù)突破工藝瓶頸

圖4：SIEOM工藝流程

傳統(tǒng)工藝面臨有機基板形變大、微鏡面難做標(biāo)記，以及光釘位置波動等難題。京瓷采用了SIEOM創(chuàng)新流程（圖4），具體如下：

光刻核心標(biāo)記：波導(dǎo)加工時同步制作定位標(biāo)記（Core-Marks）；

CNC視覺補償：測量基板標(biāo)記/鏡面坐標(biāo)，計算最佳貼裝位；

光釘主動對齊：通用貼片機以光釘為基準(zhǔn)定位（非傳統(tǒng)設(shè)備標(biāo)記）；

樹脂填充：折射率匹配膠同時充當(dāng)?shù)撞刻畛淞稀?/span>

一舉三得：單次貼裝同步完成100個BGA焊點+8個光通道（4Tx+4Rx）

結(jié)果分析：精度與損耗雙達標(biāo)

驗證方法：采用IR顯微鏡無損檢測光釘位置（圖5驗證準(zhǔn)確性），并對比設(shè)計位置與實際偏移量的光損耗。

圖5：光釘-波導(dǎo)耦合截面（實際貼合狀態(tài)）

結(jié)果表明，如圖6所示，最佳位光耦合損耗僅0.3 dB（遠低于0.6dB上限）。SIEOM將位置偏差控制在±5μm內(nèi)，傳統(tǒng)方法波動達±15μm成功支持32 Gb/s NRZ傳輸（BER<10?12）。

圖6：Y軸偏移與損耗關(guān)系（實點：SIEOM實測；虛線：容差曲線）

圖7：SIEOM vs 傳統(tǒng)方法精度對比（誤差棒=極值）

結(jié)論：為CPO量產(chǎn)鋪平道路

京瓷開發(fā)的SIEOM技術(shù)實現(xiàn)了電光同步無源貼裝。通過光刻標(biāo)記+CNC補償攻克±5μm對準(zhǔn)難題，其光損耗0.3dB滿足32Gb/s高速傳輸。該項技術(shù)為CPO標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)提供高性價比方案。