解析FCB110N65F - N通道SuperFET? II FRFET? MOSFET

一、前言

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計中。今天我們要詳細(xì)解析的是FCB110N65F - N通道SuperFET? II FRFET? MOSFET，它由Fairchild Semiconductor推出，如今Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。這款MOSFET在性能和應(yīng)用方面都有獨特之處，下面讓我們深入了解。

文件下載：FCB110N65F-D.pdf

二、產(chǎn)品背景與編號變更

（一）品牌整合

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合。由于ON Semiconductor產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件編號，因此Fairchild零件編號中的下劃線將改為破折號（-）。大家在查閱資料時，若文檔中包含帶下劃線的器件編號，需到ON Semiconductor網(wǎng)站核實更新后的編號。

（二）知識產(chǎn)權(quán)與責(zé)任聲明

ON Semiconductor擁有眾多專利、商標(biāo)、版權(quán)等知識產(chǎn)權(quán)。同時，該公司保留對產(chǎn)品進(jìn)行變更的權(quán)利，且不承擔(dān)產(chǎn)品在特定用途中的適用性保證和相關(guān)責(zé)任。購買者需對使用ON Semiconductor產(chǎn)品的自身產(chǎn)品和應(yīng)用負(fù)責(zé)。

三、FCB110N65F MOSFET特性

（一）基本參數(shù)

• 電壓與電流：耐壓650V，連續(xù)漏極電流（Tc = 25°C）為35A，連續(xù)漏極電流（Tc = 100°C）為24A，脈沖漏極電流達(dá)105A。
• 電阻：典型導(dǎo)通電阻Typ. RDS(on) = 96mΩ，最大為110mΩ。
• 溫度：工作和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +150°C。

（二）特性亮點

1. 超低壓柵極電荷：典型Qg = 98nC，這有助于降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
2. 低有效輸出電容：典型Coss(eff.) = 464pF，可減少開關(guān)過程中的能量損耗。
3. 雪崩測試：經(jīng)過100%雪崩測試，保證了器件在雪崩狀態(tài)下的可靠性。
4. 環(huán)保合規(guī)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

（一）電源供應(yīng)

• 電信/服務(wù)器電源：能為電信設(shè)備和服務(wù)器提供穩(wěn)定的電源，其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性有助于提高電源效率。
• 太陽能逆變器：在太陽能逆變器中，可有效轉(zhuǎn)換太陽能電池板輸出的直流電為交流電，提高能源轉(zhuǎn)換效率。
• 計算電源：為計算機設(shè)備提供高效的電源支持，降低功耗。

（二）其他領(lǐng)域

• FPD電視電源/照明：適用于平板電視的電源和照明電路，提升電能利用效率。

五、電氣特性分析

（一）關(guān)斷特性

• 擊穿電壓：在不同溫度下有不同表現(xiàn)，如ID = 10mA，VGS = 0V，TJ = 25°C時，BV DSS為650V；TJ = 150°C時，BV DSS為700V。
• 漏極電流：零柵極電壓漏極電流在不同條件下有不同值，如VDS = 650V，VGS = 0V時，最大值為10μA。

（二）導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：VGS = VDS，ID = 3.5mA時，范圍為3V至5V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：VGS = 10V，ID = 17.5A時，典型值為96mΩ，最大值為110mΩ。

（三）動態(tài)特性

• 電容特性：輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss等在不同測試條件下有相應(yīng)數(shù)值，這些電容值影響著器件的開關(guān)速度和響應(yīng)時間。
• 柵極電荷：總柵極電荷Q g(tot)在特定條件下典型為98nC，對開關(guān)過程中的驅(qū)動能量有重要影響。

（四）開關(guān)特性

• 開關(guān)時間：包括導(dǎo)通延遲時間td(on)、導(dǎo)通上升時間tr、關(guān)斷延遲時間td(off)和關(guān)斷下降時間tf等，這些時間參數(shù)決定了器件的開關(guān)速度。

（五）漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流為35A，最大脈沖漏源二極管正向電流為100A。
• 正向電壓、反向恢復(fù)時間和反向恢復(fù)電荷等參數(shù)影響著二極管在電路中的性能。

六、典型性能特性曲線

文檔中給出了多個典型性能特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、電容特性等。這些曲線直觀地展示了器件在不同工作條件下的性能變化，工程師在設(shè)計電路時可以根據(jù)這些曲線來優(yōu)化電路參數(shù)，確保器件在最佳狀態(tài)下工作。例如，通過導(dǎo)通電阻變化曲線，我們可以了解在不同漏極電流和柵極電壓下，導(dǎo)通電阻的變化情況，從而選擇合適的工作點。

七、封裝與訂購信息

（一）封裝形式

FCB110N65F采用D2 - PAK封裝，這種封裝具有較好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。

（二）訂購信息

零件編號為FCB110N65F，包裝方式為帶盤包裝，卷盤尺寸為330mm，膠帶寬度為24mm，每盤800個單位。

八、測試電路與波形

文檔中還給出了多種測試電路和波形，如柵極電荷測試電路、電阻性開關(guān)測試電路、非鉗位電感開關(guān)測試電路等。這些測試電路和波形有助于工程師理解器件在不同測試條件下的工作狀態(tài)，在實際設(shè)計中可以參考這些測試方法來驗證器件的性能。例如，通過柵極電荷測試電路和波形，我們可以準(zhǔn)確測量柵極電荷的大小，從而優(yōu)化驅(qū)動電路的設(shè)計。

九、總結(jié)

FCB110N65F - N通道SuperFET? II FRFET? MOSFET憑借其出色的性能特性，在多個應(yīng)用領(lǐng)域都有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計電路時，需要綜合考慮其各項參數(shù)和特性，結(jié)合實際應(yīng)用需求，合理選擇和使用該器件。同時，要關(guān)注ON Semiconductor產(chǎn)品編號的變更情況，確保獲取到最新的產(chǎn)品信息。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享交流。