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三星、海力士推遲或致內(nèi)存價(jià)格下降緩慢

中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 來源:未知 ? 作者:工程師曾暄茗 ? 2018-09-09 09:24 ? 次閱讀
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內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)到今年第四季度將逐步回歸正常,但還沒來得及興奮,壞消息就來了。據(jù)臺(tái)媒援引業(yè)內(nèi)消息稱,三星電子、SK海力士都計(jì)劃推遲工廠擴(kuò)建、產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,原因是客戶需求正在變緩,會(huì)導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價(jià)格在2019年上半年明顯下滑,這自然是他們不想看到的。

近期,DRAM內(nèi)存合約價(jià)出現(xiàn)了明顯的走低跡象,預(yù)計(jì)到今年第四季度隨著供應(yīng)充足、供過于求,DRAM合約價(jià)會(huì)開始大幅度下降。

NAND閃存方面,盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季,但今年全球市場(chǎng)供應(yīng)仍然很充足,64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升,但由于筆記本、智能手機(jī)市場(chǎng)都相當(dāng)飽和,需求增長(zhǎng)有限。同時(shí),渠道供應(yīng)鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片,進(jìn)一步導(dǎo)致價(jià)格下滑,預(yù)計(jì)合約價(jià)會(huì)在今年第三季度環(huán)比下降10-15%,超出預(yù)期,第四季度則會(huì)再降15%。對(duì)于廠商和渠道而言,DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價(jià)格在2019年上半年都會(huì)面臨很大壓力,當(dāng)然對(duì)消費(fèi)者而言就是好事了。目前,三星已經(jīng)減緩了3D NAND閃存產(chǎn)能的擴(kuò)充,新的生產(chǎn)線要推到明年上半年才會(huì)上線,同時(shí)暫停了在韓國(guó)華城、平澤新建1ynm DRAM內(nèi)存芯片工廠的計(jì)劃。在此之前,三星曾計(jì)劃從今年第三季度開始,將DRAM內(nèi)存芯片每個(gè)月的產(chǎn)能輸出擴(kuò)大3萬塊晶圓。SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴(kuò)充的計(jì)劃。簡(jiǎn)而言之,內(nèi)存、閃存(SSD)的價(jià)格在未來都會(huì)慢慢下降,但因?yàn)樵搭^的刻意控制,不要指望太大的降幅了。

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原文標(biāo)題:完了!三星、海力士推遲擴(kuò)產(chǎn)了!

文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國(guó)半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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