探索TPS2300/TPS2301雙路熱插拔電源控制器:功能、應(yīng)用與設(shè)計要點
在電子設(shè)備的設(shè)計中,熱插拔功能是一項關(guān)鍵需求,它允許在系統(tǒng)運行時安全地插入或移除設(shè)備,提高了系統(tǒng)的可用性和可維護性。德州儀器(TI)的TPS2300和TPS2301雙路熱插拔控制器,為熱插拔應(yīng)用提供了全面的解決方案。本文將深入探討這兩款控制器的特性、功能、應(yīng)用場景以及設(shè)計要點。
文件下載:tps2300.pdf
特性概覽
TPS2300和TPS2301具有一系列出色的特性,使其成為熱插拔應(yīng)用的理想選擇:
- 雙路高側(cè)MOSFET驅(qū)動:支持IN1 3V - 13V和IN2 3V - 5.5V的輸入電壓范圍,可驅(qū)動外部N溝道MOSFET作為高側(cè)開關(guān)。
- 輸出dV/dt控制:有效限制浪涌電流,保護系統(tǒng)免受電流沖擊。
- 可編程斷路器:具備可編程的過流閾值和瞬態(tài)定時器,可根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)置保護參數(shù)。
- 電源良好報告:帶有瞬態(tài)濾波器,能準確報告輸出電源狀態(tài)。
- 低功耗:最大5μA的待機電源電流,降低系統(tǒng)功耗。
- 寬溫度范圍:適用于-40°C至85°C的環(huán)境溫度,保證在不同工況下穩(wěn)定工作。
- 靜電放電保護:增強了設(shè)備的可靠性和抗干擾能力。
功能詳解
引腳功能
| 引腳名稱 | 引腳編號 | I/O類型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| AGND | 8 | I | 模擬地,盡可能靠近DGND連接 |
| DGND | 3 | I | 數(shù)字地 |
| DISCH1 | 20 | O | 放電晶體管1 |
| DISCH2 | 19 | O | 放電晶體管2 |
| ENABLE | 18 | I | TPS2300為低電平有效,TPS2301為高電平有效 |
| FAULT | 16 | O | 過流故障,開漏輸出 |
| GATE1 | 1 | O | 連接通道1高側(cè)MOSFET的柵極 |
| GATE2 | 2 | O | 連接通道2高側(cè)MOSFET的柵極 |
| IN1 | 11 | I | 通道1的輸入電壓 |
| IN2 | 12 | I | 通道2的輸入電壓 |
| ISENSE1 | 10 | I | 通道1的電流感測輸入 |
| ISENSE2 | 9 | I | 通道2的電流感測輸入 |
| ISET1 | 15 | I | 通過連接到IN1的電阻調(diào)整斷路器閾值 |
| ISET2 | 14 | I | 通過連接到IN2的電阻調(diào)整斷路器閾值 |
| PWRGD1 | 17 | O | 開漏輸出,VSENSE1電壓低于參考值時拉低 |
| PWRGD2 | 13 | O | 開漏輸出,VSENSE2電壓低于參考值時拉低 |
| TIMER | 4 | O | 調(diào)整斷路器去毛刺時間 |
| VREG | 5 | O | 連接旁路電容,確保穩(wěn)定運行 |
| VSENSE1 | 7 | I | 通道1的電源良好感測輸入 |
| VSENSE2 | 6 | I | 通道2的電源良好感測輸入 |
主要功能實現(xiàn)
- 過流保護:ISENSE1和ISENSE2與ISET1和ISET2配合,實現(xiàn)對GATE1和GATE2的過流檢測。當(dāng)ISENSE1或ISENSE2的電壓低于ISET1或ISET2時,判定為過流狀態(tài)。
- 電源良好報告:PWRGD1和PWRGD2分別監(jiān)測VSENSE1和VSENSE2的電壓,當(dāng)電壓低于參考值(約1.23V)時,拉低輸出,指示電源欠壓。
- 斷路器功能:TIMER引腳連接電容,設(shè)置斷路器在過流時的動作時間。當(dāng)過流持續(xù)到電容電壓達到約0.5V時,斷路器鎖定,關(guān)閉相應(yīng)通道。
- 柵極驅(qū)動:內(nèi)部電荷泵為GATE1和GATE2提供約15μA的充電電流,產(chǎn)生9V - 12V的柵源電壓,驅(qū)動外部MOSFET。
應(yīng)用場景
熱插拔/插拔/對接電源管理
適用于熱插拔PCI設(shè)備、設(shè)備插槽等應(yīng)用,確保在插拔過程中系統(tǒng)的穩(wěn)定運行,避免電流沖擊損壞設(shè)備。
電子斷路器
可作為電子斷路器使用,對電路進行過流保護,提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。
設(shè)計要點
輸入電容
在熱插拔板的輸入電源端子附近,應(yīng)并聯(lián)一個0.1μF的陶瓷電容和一個1μF的陶瓷電容,以穩(wěn)定卡上的電壓軌。對于電源環(huán)境較為惡劣的應(yīng)用,建議在輸入端子附近使用2.2μF或更高容量的陶瓷電容。
輸出電容
每個負載建議使用一個0.1μF的陶瓷電容,靠近外部FET和TPS2300/01放置。同時,根據(jù)應(yīng)用的功率需求和瞬態(tài)情況,選擇合適的大容量電容。
外部FET
每個通道需要一個外部N溝道MOSFET來傳輸功率。市場上有多種MOSFET可供選擇,如IRF7601、MTSF3N03HDR2等,可根據(jù)電流范圍和具體應(yīng)用需求進行選擇。
定時器電容
為防止誤觸發(fā),建議在TIMER和地之間連接一個最小50pF的電容。該電容決定了斷路器在過流時的動作時間,可根據(jù)應(yīng)用需求進行調(diào)整。
電流限制設(shè)置
通過調(diào)整ISET1和ISET2的外部電阻,可設(shè)置通道的電流限制閾值。計算公式為:(I{LMT 1}=frac{R{ISET 1} × 50 × 10^{-6}}{R{ISENSE1 }}),其中(R{ISENSE1})為電流感測電阻,(R_{ISET1})為電流限制設(shè)置電阻。
電源良好閾值設(shè)置
通過連接在(V{Ox})和地之間的兩個反饋電阻(R{V S E N S E x underline T O P})和(R{V S E N S E x underline B O T}),形成電阻分壓器,設(shè)置VSENSEx引腳的電壓。計算公式為:(V{I(SENSE1)}=V{O} × R{VSENSE1BOT} /left(R{VSENSE1TOP }+R{VSENSE1_BOT}right)),根據(jù)輸出電壓要求,選擇合適的電阻值。
總結(jié)
TPS2300和TPS2301雙路熱插拔控制器以其豐富的功能、出色的性能和廣泛的應(yīng)用場景,為電子工程師提供了一個可靠的熱插拔解決方案。在設(shè)計過程中,合理選擇外部元件、設(shè)置參數(shù),能夠充分發(fā)揮控制器的優(yōu)勢,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。希望本文能為工程師們在熱插拔應(yīng)用設(shè)計中提供有益的參考,大家在實際應(yīng)用中遇到任何問題,歡迎交流探討。
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