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全球十大主流車規(guī)級(jí)功率封裝全景解析:HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立

向欣電子 ? 2026-03-07 11:50 ? 次閱讀
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以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球

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- 「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載

- 本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流


導(dǎo)語(yǔ):在新能源汽車和智能電動(dòng)化的時(shí)代背景下,功率半導(dǎo)體作為"能源轉(zhuǎn)換與能量驅(qū)動(dòng)的心臟”,正在迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。無(wú)論是驅(qū)動(dòng)電機(jī)逆變器、車載充電機(jī)(OBC)、機(jī)器人模組、數(shù)據(jù)中心,都需要功率半導(dǎo)體模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)高效、可靠的能量傳遞。而在這些模塊中,封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。它不僅決定了器件的電性能和熱性能,還直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性、成本與壽命。

目前,車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝正呈現(xiàn)出多元化的發(fā)展趨勢(shì)。既有Infineon HybridPACK系列代表的HPD封裝,也有Direct Cooled Module (DCM)為代表的直冷方案,還有Tesla的TPAK致瞻等中國(guó)廠商的ZPAK、以及博世的PM6、Danfoss eMPACK,都在不同的場(chǎng)景中展示了獨(dú)特的技術(shù)路徑。此外,新興的芯片內(nèi)嵌PCB封裝、混合芯片封裝,則代表了未來(lái)高集成度與輕量化方向。其背后的思考遠(yuǎn)超越技術(shù)本身,更關(guān)乎整車的平臺(tái)化戰(zhàn)略、供應(yīng)鏈安全與終極成本控制。

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圖片來(lái)源:SysPro

為觀全局,今天我們對(duì)車規(guī)級(jí)功率模塊封裝技術(shù)進(jìn)行一次的全景式深度剖析。我們將以十大典型封裝為經(jīng)緯,逐一拆清它們的結(jié)構(gòu)特征、拓?fù)浣M織方式、冷卻與互連思路、優(yōu)劣勢(shì)與系統(tǒng)級(jí)最優(yōu)戰(zhàn)場(chǎng),希望你看完能對(duì)車規(guī)功率封裝的技術(shù)生態(tài)形成一張清晰的“全景地圖”。


目錄

上篇

01 HPD封裝:HybridPACK Drive系列

02 DCM封裝:DCM1000系列

03 TPAK 單管模封路線:特斯拉案例

04 ZPAK 半橋平臺(tái)化模封:致瞻科技案例

05 eMPack 三維重疊平臺(tái):賽米控丹佛斯路線

下篇

06 PM6 平臺(tái)化封裝:博世路線

07 芯片內(nèi)嵌 PCB 封裝:舍弗勒、采埃孚、麥格納、保時(shí)捷

08 SiC+Si混碳融合封裝:英飛凌、匯川、小鵬、舍弗勒

09 分立器件封裝:TO-247 系列

10 總結(jié):車規(guī)功率封裝的"熱—電—可靠—平臺(tái)化"演進(jìn)規(guī)律

| SysPro備注:本文節(jié)選,完整內(nèi)容在知識(shí)星球中發(fā)布★


01

HPD 平臺(tái)化封裝:HybridPACK Drive系列

——主驅(qū)通用平臺(tái)

首先我們來(lái)看看HPD封裝的整體結(jié)構(gòu),這也是最常見(jiàn)的一種封裝結(jié)構(gòu)。HPD,即Hybrid Power Drive,典型代表就是HybridPACK Drive系列,是 Infineon 專門為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的典型功率半導(dǎo)體封裝方案。

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圖片來(lái)源:SysPro


1.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

從外觀上看,HybridPACK Drive 模塊呈現(xiàn)矩形平面化設(shè)計(jì),模塊內(nèi)部采用了銅基板(Cu baseplate)+ Si?N?陶瓷+ 芯片 + 鍵合互連 + 引線框架 + 外部封裝的典型堆疊結(jié)構(gòu)。這種分層結(jié)構(gòu)保證了在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高電流承載能力與良好的散熱路徑。

簡(jiǎn)單一句話概括HPD封裝的目標(biāo),實(shí)現(xiàn):功率密度與模塊擴(kuò)展性之間的平衡。HPD 模塊的設(shè)計(jì)思路就是要在一塊中等尺寸的功率模塊上,既能夠支持高功率(100~300 kW)驅(qū)動(dòng)逆變器,又能保證模塊化并聯(lián)擴(kuò)展的靈活性。

換句話說(shuō),HPD 封裝不是單點(diǎn)突破,而是一種通用型電驅(qū)模塊平臺(tái)。

d3748124-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:Infineon


1.2 拓?fù)湫问?/strong>

了解了結(jié)構(gòu),我們?cè)賮?lái)看HPD 模塊的拓?fù)湫问健?/strong>

HPD 模塊典型的內(nèi)部拓?fù)涫?/span>三相逆變器結(jié)構(gòu),每相包含上下橋臂器件(IGBT 或 SiC MOSFET,并集成相應(yīng)的續(xù)流二極管(SiC 模塊則為體二極管)。這種拓?fù)鋷缀跏请妱?dòng)汽車驅(qū)動(dòng)逆變器的標(biāo)準(zhǔn)。

具體來(lái)說(shuō):

三相橋臂:共 6 個(gè)功率開關(guān)器件

直流母排:正極和負(fù)極母排通過(guò)模塊引出端口直接連接

母排設(shè)計(jì):采用疊層母排(laminated busbar),以降低寄生電感

電流路徑:短而對(duì)稱,保證電流分布均勻

傳感集成:部分 HPD 模塊內(nèi)置電流傳感或溫度監(jiān)測(cè)接口

我們可以用一個(gè)簡(jiǎn)化示意圖來(lái)表示 HPD 內(nèi)部的拓?fù)洌?/strong>

d3879d86-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:Infineon

|SysPro備注,這里簡(jiǎn)述下拓?fù)錇槭裁粗匾?/strong>

主要原因在于:拓?fù)渲苯記Q定了器件布局、電感大小、開關(guān)損耗以及系統(tǒng)效率。例如,HPD 采用疊層母排與模塊化橋臂結(jié)構(gòu),大大降低了寄生電感,使得其在高速開關(guān)的SiC MOSFET應(yīng)用中依然能夠保持低電磁干擾。因此,拓?fù)洳粌H是“內(nèi)部電路圖”,更是封裝能否支撐未來(lái)高頻、高效、緊湊逆變器的關(guān)鍵。


1.3 冷卻方式

接下來(lái)我們要講的是散熱,也就是HPD 模塊的冷卻方式。

對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊來(lái)說(shuō),熱是壽命的最大敵人。HPD 模塊典型的冷卻方式是底板冷卻(baseplate cooling),也就是通過(guò)模塊底部與冷卻水道或冷卻板直接接觸,將熱量帶走。

它的關(guān)鍵點(diǎn)在于:

DBC 陶瓷材料選擇:常見(jiàn)的是 Al?O?(低成本)和 Si?N?(高導(dǎo)熱率機(jī)械可靠性好)

焊料層優(yōu)化:通過(guò)低空洞率焊接工藝減少熱阻

銅底板厚度:典型值 2~3 mm,兼顧導(dǎo)熱與機(jī)械強(qiáng)度

冷卻水道設(shè)計(jì):通常采用微通道水冷板,水流直接帶走熱量

下表給出不同 DBC 材料的對(duì)比:

d3914610-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro

這里我們需要重點(diǎn)關(guān)注的是冷卻方式?jīng)Q定了模塊的持續(xù)工作電流能力。比如,同樣是 IGBT 模塊,如果采用 Si?N? 基板+液冷水道,其電流容量可以比 Al?O? 空冷方案提升 20%~30%。因此,HPD 模塊的散熱能力直接支撐了其在 300 kW 級(jí)電驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用。


1.4 其他技術(shù)特點(diǎn)

除了上面講的結(jié)構(gòu)、拓?fù)浜蜕?,HPD 模塊還有一些“隱性”的技術(shù)亮點(diǎn)。

低寄生電感設(shè)計(jì):例如,母排層疊結(jié)構(gòu)、內(nèi)部引線短而對(duì)稱、典型寄生電感低于 10 nH

先進(jìn)鍵合技術(shù):從傳統(tǒng)鋁絲鍵合轉(zhuǎn)向+ 銅絲鍵合/釬焊 sintering,提升功率循環(huán)壽命,從 10? 次提升到 10? 次級(jí)別

芯片并聯(lián)一致性:模塊內(nèi)部往往需要多顆 IGBT 或 SiC 芯片并聯(lián),HPD 封裝通過(guò)精確的電流路徑設(shè)計(jì)保證均流

可擴(kuò)展性:同一封裝外殼可以放置不同電壓等級(jí)、不同芯片材料的元件,為客戶提供設(shè)計(jì)靈活性

d39cfc4e-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:Infineon


1.5 典型案例

最后我們來(lái)看幾個(gè)典型案例,說(shuō)明HPD 模塊到底用在什么地方呢?

它主要應(yīng)用于新能源汽車驅(qū)動(dòng)逆變器HPD 模塊適合功率范圍 100–300 kW,這正好覆蓋主流電驅(qū)動(dòng)的需求。如下幾個(gè)典型應(yīng)用案例

大眾 MEB 平臺(tái):

使用 Infineon HybridPACK Drive IGBT 模塊

功率約 150–200 kW

冷卻方式為水冷板直冷

支撐了 ID.4、ID.6 等車型

現(xiàn)代 IONIQ 5:

采用 Infineon HybridPACK Drive SiC 版本

電壓 800 V,提升快充與高效率性能

在 WLTP 工況下效率提升約 3–5%

保時(shí)捷 Taycan

雙電機(jī)四驅(qū)系統(tǒng),前后橋均采用模塊化逆變器

選用 SiC HybridPACK Drive

在高功率工況下仍能保證散熱與效率

d3ac95d2-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro

|SysPro備注,更多閱讀:

IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)的應(yīng)用實(shí)踐指南 v3.0

電動(dòng)汽車動(dòng)力"心臟"IGBT全面解析:構(gòu)成本質(zhì)、工作原理與范圍、關(guān)鍵特性、應(yīng)用指南

英飛凌最新IGBT賦能奇瑞鯤鵬系列混動(dòng)車型的底層技術(shù)揭秘


02

DCM封裝:DCM1000

——冷卻結(jié)構(gòu)做進(jìn)底板

在講完了 HPD 封裝之后,我們接下來(lái)看另一類代表性的模塊——DCM(Direct Cooled Module)。顧名思義,DCM 的最大特點(diǎn)就是直接冷卻,典型代表就是Danfoss的DCM1000 系列

2.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

它的核心特點(diǎn)是去基板化+直接冷卻。

采用了直冷baseplate(內(nèi)置流道)+熱阻鏈路縮短/換熱增強(qiáng)工藝手段:將功率芯片通過(guò)銀燒結(jié)工藝直接連接在一個(gè)一體化加工的、內(nèi)部嵌有精密微通道的銅質(zhì)冷卻底板上。芯片與冷卻液之間僅隔著一層薄薄的燒結(jié)層和銅底板壁,創(chuàng)造了最短的可能散熱路徑。|SysPro備注,Danfoss為此起了個(gè)比較牛的名字 ——ShowerPower 3D cooling。

d3b472ac-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg圖片來(lái)源:Danfoss


我們通過(guò)一張表來(lái)說(shuō)明HPD和DCM結(jié)構(gòu)分層對(duì)比:

d3cf43d4-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro

這里面我們需要關(guān)注的重點(diǎn)是少了一層銅底板,熱流路徑縮短,所以散熱效率大幅提升。此外,DCM 封裝通常體積更薄、更緊湊,能適應(yīng)空間受限的電驅(qū)動(dòng)總成。


2.2 拓?fù)湫问?/strong>

DCM 平臺(tái)面向電驅(qū)逆變器應(yīng)用,是一個(gè)“可定制功率模塊平臺(tái)”的定位;其技術(shù)平臺(tái)可覆蓋不同半導(dǎo)體組合(Si、Si+SiC、全SiC等),并非只限定單一拓?fù)洹?/span>核心采用對(duì)稱半橋架構(gòu),集成高性能 SiC MOSFET 與 SiC 肖特基二極管,充分釋放寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

d3daf5f8-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:HITACHI

通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部布線與封裝布局,大幅降低雜散電感,為高頻、高效開關(guān)創(chuàng)造條件。SiC 器件的共源共柵集成設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了功率回路與驅(qū)動(dòng)回路的解耦,提升信號(hào)完整性。


2.3 冷卻方式

其實(shí),DCM 的名字已經(jīng)暗示了它的核心優(yōu)勢(shì)——直接冷卻,這也是DCM的名片:ShowerPower 3D cooling

傳統(tǒng)方式:功率模塊的熱量要先經(jīng)過(guò)銅底板再傳導(dǎo)到冷卻板,等效熱阻約為 0.1~0.2 K/W。

DCM 方式:芯片熱量幾乎直接傳導(dǎo)至冷卻板,等效熱阻可降低至 0.05 K/W 以下。

d415e1f4-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg圖片來(lái)源:SysPro

那么,冷卻效率提升意味著什么呢?意味著在同樣的水冷條件下,DCM 模塊能承受更大的電流、更高的功率。

d41f1a80-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:Danfoss


2.4 其他技術(shù)特點(diǎn)

除了上面講的結(jié)構(gòu)、拓?fù)浜蜕?,DCM 模塊還有一些其他技術(shù)亮點(diǎn):

模塊厚度薄:DCM 模塊厚度可控制在 5 mm 左右,比傳統(tǒng)模塊薄 30% 以上

寄生電感極低:封裝高度降低,電流路徑更短,典型寄生電感 < 5 nH

更適合 SiC 器件:高頻高速開關(guān)下,低電感與高散熱能力正好發(fā)揮 SiC 特性

工藝挑戰(zhàn):去掉銅底板后,機(jī)械應(yīng)力管理更困難,需要高可靠性的 DBC 基板


2.5 應(yīng)用場(chǎng)景與典型案例

DCM 模塊適合用于以下幾大場(chǎng)景:

高性能電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)逆變器(800 V 平臺(tái))

賽車與超級(jí)跑車電驅(qū)動(dòng)

商用車大功率電驅(qū)動(dòng)(對(duì)散熱要求極高)

d43a9832-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:Danfoss


與此對(duì)應(yīng)的典型案例有:

Danfoss DCM1000:直接冷卻模塊,額定電流 1000 A,電壓 1200 V,采用 SiC MOSFET,主要用于巴士與卡車驅(qū)動(dòng)逆變器。

Hitachi Automotive:為日本電動(dòng)巴士項(xiàng)目開發(fā)直冷模塊,散熱能力提高約 20%。

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圖片來(lái)源:HITACHI

|SysPro備注,更多閱讀:

SiC功率模塊應(yīng)用全景解讀:標(biāo)稱/極限特征參數(shù)、電氣/熱/機(jī)械特性、特性曲線與應(yīng)用函數(shù)解讀、實(shí)踐筆記

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03

TPAK 單管模封路線:特斯拉案例

——積木化開關(guān)單元

TPAK 的底層邏輯,是把主驅(qū)逆變器的功率開關(guān)從"一個(gè)大模塊"拆成"很多個(gè)強(qiáng)一致的小開關(guān)積木",用數(shù)量換布局自由度,用結(jié)構(gòu)扁平化換低寄生與可制造。

其實(shí)TPAK 并不是傳統(tǒng)意義上由國(guó)際大廠標(biāo)準(zhǔn)化定義的量產(chǎn)型封裝,而是特斯拉在電動(dòng)車逆變器和驅(qū)動(dòng)模塊中獨(dú)立推進(jìn)的功率半導(dǎo)體模塊封裝方案,這也是我們大多數(shù)人了解Tpak的初始。它的最大特點(diǎn)就是:高度集成化、扁平化、針對(duì)車規(guī)應(yīng)用場(chǎng)景的定制優(yōu)化。

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圖片來(lái)源:TESLA


3.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

下面我們先聊聊結(jié)構(gòu)。

TPAK 這條路線的典型結(jié)構(gòu)關(guān)鍵詞就三個(gè):模封 + 銅引線框架 + 絕緣基板(DBC)。你可以把它理解成:...(知識(shí)星球發(fā)布)

這個(gè)是什么意思呢?它其實(shí)是為了解決兩個(gè)非?,F(xiàn)實(shí)的問(wèn)題:...(知識(shí)星球發(fā)布)

同時(shí),這條路線還會(huì)把芯片連接做成更"抗循環(huán)"的形式:比如用銀基連接把芯片固定在基板上,目的是在熱循環(huán)與功率循環(huán)里保持界面更穩(wěn)定。|SysPro備注,相關(guān)文章:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IGBT可靠性與壽命估算指南


3.2 拓?fù)湫问?/strong>

|SysPro備注:這里先說(shuō)明個(gè)基本概念,在功率模塊里,拓?fù)洳皇请娐穲D,拓?fù)涫?幾何結(jié)構(gòu)"——你怎么擺、怎么走線、怎么出端子,會(huì)直接決定你能把寄生壓到什么程度。

TPAK封裝模塊通常為單開關(guān)或半橋(2-in-1)拓?fù)?,作為一個(gè)獨(dú)立的、高性能的開關(guān)單元使用:

單個(gè)模塊承擔(dān)一個(gè)開關(guān)單元(你可以理解為"單管積木"或"半橋積木"中的一半)

逆變器的一個(gè)"開關(guān)位置",往往是多個(gè)模塊并聯(lián)去承載電流

最終用很多個(gè)積木(六個(gè)半橋)拼成完整的三相逆變器

d470d7b2-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)

這個(gè)拼裝思路的意義在于:...(知識(shí)星球發(fā)布)


3.3 冷卻方式(知識(shí)星球發(fā)布)…


3.4 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

3.5 應(yīng)用場(chǎng)景與典型案例(知識(shí)星球發(fā)布)...

|SysPro備注,更多閱讀:

第一性原理在Tesla逆變器中是如何應(yīng)用的?20年路、4代產(chǎn)品、2種封裝、1種方案

d4873f34-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SystemPlus


04

ZPAK 半橋平臺(tái)化封裝:致瞻科技案例

——半橋積木+磚級(jí)集成

(知識(shí)星球發(fā)布)

ZPAK 是近年來(lái)由國(guó)內(nèi)功率模塊廠商和主機(jī)廠共同探索的一種新型封裝,之前我們?cè)僭?strong>致瞻科技的案例解讀中提到過(guò):|SysPro備注,更多閱讀:大道至簡(jiǎn)、回歸本源,如何以第一性原理洞見(jiàn)電驅(qū)功率模塊的未來(lái)?| ZPAK背后的底層思考

其實(shí),其底層邏輯也很簡(jiǎn)單,可以簡(jiǎn)單理解成再TPAK上的衍生:

保留積木化擴(kuò)展性,但把積木從單管升級(jí)成半橋,并把系統(tǒng)級(jí)集成(母線電容、冷卻、驅(qū)動(dòng)、傳感)一起納入封裝邊界,從而把體積和裝配復(fù)雜度一起壓下去。

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圖片來(lái)源:致瞻科技


4.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

4.2 拓?fù)湫问?/strong>(知識(shí)星球發(fā)布)...

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圖片來(lái)源:致瞻科技


4.3 冷卻方式(知識(shí)星球發(fā)布)...

4.4 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

4.5 應(yīng)用場(chǎng)景(知識(shí)星球發(fā)布)...

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圖片來(lái)源:致瞻科技


下篇

05

05 eMPack 三維重疊平臺(tái):賽米控丹佛斯路線

——疊層端子+低高度連接

(知識(shí)星球發(fā)布)

開始前,我們先聊聊eMPack 的底層邏輯。

Danfoss做這款模塊的初衷:把電流去程與回程盡可能重疊,把磁場(chǎng)抵消效果拉滿;再把模塊到母線電容的連接從"螺絲"改成"焊接",把雜散電感、接觸電阻、裝配高度一起壓下去,服務(wù) 800V 主驅(qū)里高速開關(guān) + 大電流 + 高可靠 + 易裝配的組合目標(biāo)。


5.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

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圖片來(lái)源:Semikron Danfoss


5.2 拓?fù)湫问?/strong>(知識(shí)星球發(fā)布)...

|SysPro備注,關(guān)于eMPack三電平應(yīng)用,這點(diǎn)我們?cè)僦暗奈恼轮杏邢到y(tǒng)性做過(guò)解讀,詳細(xì)的關(guān)于EMPACK的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的映射關(guān)系會(huì)在專題中說(shuō)明,這里不再展開,關(guān)于多電平方案大家可以看這個(gè)解讀:

多電平逆變器的全景解析:2L/3L概念與原理、硬件架構(gòu)、控制算法、電容設(shè)計(jì)、系統(tǒng)應(yīng)用與價(jià)值

d510b41c-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來(lái)源:Dana


5.3 冷卻方式(知識(shí)星球發(fā)布)...

5.4 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

5.5 應(yīng)用場(chǎng)景與典型案例(知識(shí)星球發(fā)布)...

d51f648a-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來(lái)源:Semikron Danfoss

|SysPro備注,這里我們先做簡(jiǎn)述,后續(xù)會(huì)做個(gè)專題展開講講里面的細(xì)節(jié)


06

PM6平臺(tái)化封裝:博世案例

——對(duì)稱低寄生+可拓展化平臺(tái)

(知識(shí)星球發(fā)布)

博世的PM6功率模塊,堪稱業(yè)內(nèi)經(jīng)典,也是諸多新型半導(dǎo)體廠商研發(fā)時(shí)的核心對(duì)標(biāo)產(chǎn)品。例如25年底,富士電機(jī)與博世也達(dá)成合作,聯(lián)合開發(fā)具備封裝兼容性的SiC功率半導(dǎo)體模塊。我們?cè)到y(tǒng)化的解構(gòu)過(guò)PM6的設(shè)計(jì)與思路,這里再做個(gè)簡(jiǎn)要概述:博世PM6功率模塊平臺(tái)化方案全景解析:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、燒結(jié)/互聯(lián)、AMB+DBC,這里再做個(gè)簡(jiǎn)要概述。


6.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

6.2 拓?fù)湫问?/strong>(知識(shí)星球發(fā)布)...

d52ffc82-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png


6.3 冷卻方式(知識(shí)星球發(fā)布)...

6.4 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

6.5 應(yīng)用場(chǎng)景(知識(shí)星球發(fā)布)...

d53ef8ae-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg圖片來(lái)源:SysPro上海車展拍攝

|SysPro備注,關(guān)于類似PM6封裝結(jié)構(gòu)的還有理想汽車自研的功率模塊,我們從其結(jié)構(gòu)、拓?fù)?、冷卻、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景到典型案例進(jìn)行深入解讀,感興趣的朋友可以先行查閱星球中相關(guān)技術(shù)資料,獲取(關(guān)鍵字:理想自研):理想汽車LPM高壓SiC功率模塊技術(shù)深度解析

d5493788-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:理想汽車d557a660-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:理想汽車


07

芯片內(nèi)嵌PCB封裝:舍弗勒、采埃孚、麥格納、保時(shí)捷

——功率芯片做到板中的低電感、高集成

(知識(shí)星球發(fā)布)

關(guān)于芯片內(nèi)嵌PCB封裝技術(shù)與方案,我在知識(shí)星球中也系統(tǒng)性的解析過(guò)這一技術(shù)方案,也構(gòu)建了詳細(xì)的專欄內(nèi)容。顧名思義,通過(guò)把功率芯片埋進(jìn)板里、走面板級(jí)工藝,縮短電流環(huán)路、打通熱路徑、降低寄生與熱阻,服務(wù)xEV 牽引逆變器、AI / 高功率密度電源、機(jī)器人伺服等場(chǎng)景面向xEV驅(qū)動(dòng)+AI數(shù)據(jù)中心的功率封裝前瞻:芯片嵌入封裝與互聯(lián)技術(shù)的全景解析


7.1 拓?fù)湫问?/strong>(知識(shí)星球發(fā)布)...

7.2 冷卻方式(知識(shí)星球發(fā)布)...

d57acc9e-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg圖片來(lái)源:Schaeffler


7.3 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

7.4 應(yīng)用場(chǎng)景(知識(shí)星球發(fā)布)...

d5958f70-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro 2025上海車展拍攝

|SysPro備注,更多閱讀:

面向xEV驅(qū)動(dòng)+AI數(shù)據(jù)中心的功率封裝前瞻:芯片嵌入封裝與互聯(lián)技術(shù)的全景解析

芯片內(nèi)嵌PCB封裝 · 電-熱-可靠性三維協(xié)同優(yōu)化指南

功率芯片PCB嵌入式封裝技術(shù) · 從晶圓到系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的全路徑解析

PCIM Asia 2025觀察:那些關(guān)于芯片內(nèi)嵌PCB封裝技術(shù)的前瞻故事

功率芯片PCB內(nèi)埋式封裝技術(shù) · 從概念到量產(chǎn)的全鏈路解析"三部曲"(匯總篇)

功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析的"三部曲"

英飛凌1200V芯片嵌入PCB解決方案 + Schweizer的技術(shù)核心(附報(bào)告)


08

SiC+Si混碳融合封裝:英飛凌、匯川、小鵬、舍弗勒

——成本與效率的折中策略

(知識(shí)星球發(fā)布)

混合芯片封裝,顧名思義,就是把不同材料、不同類型的芯片(Si、SiC、GaN等)集成在同一個(gè)封裝中。混合芯片封裝的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)圍繞"電氣性能匹配、熱應(yīng)力均衡、集成度提升"三大目標(biāo)展開,典型結(jié)構(gòu)由基板、芯片陣列、互連系統(tǒng)、封裝外殼四部分組成...

d5c6a344-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來(lái)源:YOLE

8.1 設(shè)計(jì)理念(知識(shí)星球發(fā)布)...

8.2 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(知識(shí)星球發(fā)布)...

|SysPro備注,更多閱讀:

SiC+Si混碳融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

d5e4ac9a-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

圖片來(lái)源:Inovance


8.3 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

|SysPro備注,知識(shí)星球更多閱讀:

SiC+Si,全球8大混碳技術(shù)方案揭秘

Si/SiC功率半導(dǎo)體選型與應(yīng)用指南:兩類器件特性、4種控制策略與拓?fù)?、多種動(dòng)力構(gòu)型/駕駛循環(huán)/性能需求

d5fa4ca8-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro拍攝,2025上海車展,舍弗勒混碳


8.4 應(yīng)用場(chǎng)景與典型哪里(知識(shí)星球發(fā)布)...d62c39ac-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

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SiC+Si,全球8大混碳技術(shù)方案揭秘

SiC+Si混碳融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

SiC+Si混合 , 如何用單顆主控芯片實(shí)現(xiàn)雙通道控制? | 意法半導(dǎo)體 · 柵極驅(qū)動(dòng)方案解析


09

分立器件封裝:TO-247系列

——標(biāo)準(zhǔn)件+系統(tǒng)能力換性能

(知識(shí)星球發(fā)布)

我們首先來(lái)看分立器件封裝。分立器件最經(jīng)典、最成熟的封裝形式,如TO-247、TO-247-4L(帶開爾文發(fā)射極引腳)、TOLL、D2PAK等。芯片被封裝在一個(gè)獨(dú)立的塑料體中,引腳伸出,結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單,久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)那么,這類封裝到底長(zhǎng)什么樣子?它為什么能長(zhǎng)期存在并且不斷迭代呢?

9.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

9.2 拓?fù)湫问?/strong>(知識(shí)星球發(fā)布)...

d66d3e20-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro


9.3 其他技術(shù)特點(diǎn)(知識(shí)星球發(fā)布)...

9.4 應(yīng)用場(chǎng)景(知識(shí)星球發(fā)布)...

d6815aea-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.png圖片來(lái)源:SysPro


10 總結(jié)

——車規(guī)功率封裝的"熱—電—可靠—平臺(tái)化"演進(jìn)規(guī)律

(知識(shí)星球發(fā)布)

以上是關(guān)于車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體十大模塊封裝技術(shù)方案的深度解析,我們簡(jiǎn)單總結(jié)下...

d6938b3e-19d8-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

圖片來(lái)源:SysPro

上面集中封裝,我們可以看到幾條非常清晰的分化邏輯:

HPD...

DCM...

TPAK → ZPAK → eMPack...

PM6...

芯片內(nèi)嵌 PCB...

混碳融合...

TO-247 分立器件...

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圖片來(lái)源:SysPro(非絕對(duì),僅供參考)

...

這篇文章在1.0的基礎(chǔ)上做了糾錯(cuò)、補(bǔ)充和結(jié)構(gòu)優(yōu)化。

感謝你的閱讀,希望有所幫助!

注:以上節(jié)選,完整版「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球發(fā)布


以上是關(guān)于全球十大 · 車規(guī)級(jí)功率模塊封裝 · 全景解析 V2.0的節(jié)選(原文19300字)。10大封裝技術(shù)的完整版內(nèi)容相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)方案資料、技術(shù)報(bào)告、深度解讀會(huì)在知識(shí)星球中發(fā)布,歡迎進(jìn)一步查閱、學(xué)習(xí),希望有所幫助!

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