來源:英飛凌官微
英飛凌科技股份公司近日宣布,全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了英飛凌的CoolSiC MOSFET(碳化硅功率MOSFET)產品。這款碳化硅MOSFET集成在車載充電器(OBC)和DC/DC轉換器中,利用碳化硅材料低損耗、耐高溫、耐高壓的特性和優(yōu)勢,能夠有效延長電動汽車的續(xù)航里程并縮短充電時間。
英飛凌科技執(zhí)行副總裁、汽車業(yè)務首席營銷官Peter Schaefer:“全球最大的汽車制造商之一豐田選用了英飛凌的CoolSiC技術,對此我們深感自豪。碳化硅能夠有效提升電動汽車的續(xù)航能力、效率和性能,因此也將在塑造未來交通出行的過程中發(fā)揮重要作用。英飛凌矢志創(chuàng)新,承諾零缺陷品質,已做好充分準備,蓄勢待發(fā),以應對電動交通出行領域功率電子需求的快速增長?!?/p>
英飛凌CoolSiC MOSFET采用獨特的溝槽柵結構,可降低歸一化導通電阻并縮減芯片尺寸,從而減少導通和開關損耗,有助于提升汽車車載電源系統(tǒng)的效率。此外,經過優(yōu)化的寄生電容和柵極閾值電壓支持單極柵極驅動,不僅有助于簡化汽車電驅系統(tǒng)的驅動電路設計,也能為車載充電器和DC/DC轉換器實現高密度、高可靠性的設計提供支持。
-
英飛凌
+關注
關注
68文章
2563瀏覽量
143162 -
豐田
+關注
關注
6文章
809瀏覽量
42299 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3546瀏覽量
52664
原文標題:【儒卓力為您帶來英飛凌技術快訊】英飛凌碳化硅功率半導體成功應用于豐田“bZ4X”新車型
文章出處:【微信號:儒卓力,微信公眾號:儒卓力】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
探索 onsemi FDS4435BZ P 溝道 MOSFET:特性、規(guī)格與應用解析
深入解析 ON Semiconductor FDS4935BZ 雙 30 伏 P 溝道 PowerTrench MOSFET
探索 onsemi FDS6675BZ P 溝道 MOSFET 的卓越性能
onsemi FDMC4435BZ系列P溝道MOSFET:高性能電源管理的理想之選
onsemi FDMS4435BZ P溝道MOSFET:高效電源管理的理想選擇
FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench? MOSFET深度解析
電裝電動化核心產品搭載于豐田汽車純電動SUV bZ4X
電裝聯合開發(fā)eAxle產品搭載于豐田汽車純電動SUV bZ4X
瑞薩電子R-Car V4H ADAS SoC已應用于豐田最新RAV4車型
1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺:設計與應用全解析
EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板:2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺
英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品
豐田新款bZ4X車型采用英飛凌CoolSiC MOSFET產品
評論