chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代超聲波屏幕指紋技術(shù)將于三星S10首發(fā)

BN7C_zengshouji ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-12 11:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

集微網(wǎng)消息,早前我們報(bào)道了三星打算在明年的Galaxy S系列與今年的Galaxy P系列手機(jī)上用屏幕指紋技術(shù),只不過前者用的是超聲波屏幕指紋技術(shù),后者用的是光學(xué)屏幕指紋技術(shù),現(xiàn)在我們獲得的最新消息顯示,前者的超聲波屏幕指紋技術(shù)用的是高通第三代的方案,而且是首發(fā)。

有韓國(guó)媒體報(bào)道稱,三星明年的旗艦機(jī)Galaxy S10將首發(fā)高通第三代的超聲波屏幕指紋技術(shù)。

據(jù)悉高通第二代的超聲波屏幕指紋技術(shù)能透過厚至1200微米的OLED顯示屏實(shí)現(xiàn)指紋的掃描、錄入和匹配;面向玻璃和金屬的指紋傳感器可透過厚至800微米玻璃面板和厚至650微米鋁材質(zhì)外殼實(shí)現(xiàn)掃描的解決方案,在上一代400微米的玻璃或金屬穿透能力之上實(shí)現(xiàn)提升。

同時(shí),該技術(shù)不僅適用于驍龍平臺(tái),還可作為獨(dú)立傳感器供其它非驍龍平臺(tái)使用,此外還支持水下操作和心跳/血液檢測(cè)(活體技術(shù))。

當(dāng)華為的Mate20 Pro發(fā)布時(shí),我們就能體驗(yàn)高通第二代的超聲波屏幕指紋技術(shù)的魅力了,據(jù)悉高通與華為簽署了獨(dú)家協(xié)議,有長(zhǎng)達(dá)數(shù)個(gè)月的獨(dú)占期。

高通第二代的超聲波屏幕指紋技術(shù)從已知的資料看是很強(qiáng)大的,雖然目前還不知道高通第三代超聲波屏幕指紋技術(shù)有哪些改進(jìn),但是想必也是很好很強(qiáng)大的,讓人更加的期待它在三星Galaxy S10上的表現(xiàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15894

    瀏覽量

    182970
  • 屏幕指紋
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    138

    瀏覽量

    10996

原文標(biāo)題:韓媒稱三星Galaxy S10將首發(fā)高通第三代超聲波屏幕指紋技術(shù)

文章出處:【微信號(hào):zengshouji,微信公眾號(hào):MCA手機(jī)聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?199次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?251次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣鳌R?、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    165Hz 超高刷東方屏打破 9 項(xiàng)世界紀(jì)錄,一加攜手京東方開啟中國(guó)屏幕的刷新時(shí)刻

    的表現(xiàn)。第三代東方屏的發(fā)布,不僅是手機(jī)屏幕從“高刷”到“超高刷”的跨越,更是「中國(guó)屏幕的刷新時(shí)刻」!第三代東方屏將于年度旗艦一加15
    的頭像 發(fā)表于 10-15 09:15 ?757次閱讀
    165Hz 超高刷東方屏打破 9 項(xiàng)世界紀(jì)錄,一加攜手京東方開啟中國(guó)<b class='flag-5'>屏幕</b>的刷新時(shí)刻

    一加與京東方推出史上最強(qiáng)東方屏 10 月 14 日正式發(fā)布

    10月11日,一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球塊165Hz超高刷高分辨率屏幕,第三代東方屏將為用戶帶來更流暢絲滑的游戲
    的頭像 發(fā)表于 10-11 15:56 ?809次閱讀
    一加與京東方推出史上最強(qiáng)東方屏 <b class='flag-5'>10</b> 月 14 日正式發(fā)布

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?597次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1044次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?605次閱讀
    電鏡<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2166次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?787次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析(1)

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?;厥?/div>
    發(fā)表于 05-19 10:05

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    ,這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng),能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲(chǔ)存更多電能,為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和三星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3011次閱讀

    拆了鏈終端第三代,明白這相控陣天線的請(qǐng)留言!

    一談起低軌衛(wèi)星,大家勢(shì)必會(huì)說起馬斯克的鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的鏈。鏈給大家打了個(gè)樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺(tái)第三代
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:34 ?6903次閱讀
    拆了<b class='flag-5'>星</b>鏈終端<b class='flag-5'>第三代</b>,明白這相控陣天線的請(qǐng)留言!

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述(一)定義與分類第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件是指以碳化
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1699次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存