SMT10T07ALU
SMT10T07ALU 是一款高性能 100V N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252-3L 封裝形式,憑借低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(FoM)及穩(wěn)定的電氣性能,成為工業(yè)、通信等領(lǐng)域高頻開關(guān)與功率控制的理想選擇,且產(chǎn)品符合無鹵環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的綠色設(shè)計要求。
核心性能優(yōu)勢
01超低導(dǎo)通電阻,能效表現(xiàn)優(yōu)異
產(chǎn)品在柵源電壓 VGS=10V、漏極電流 ID=20A 時,靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS (ON) 典型值僅 6.1mΩ,最大值 7.4mΩ;即使在低柵壓 VGS=4.5V、ID=15A 工況下,典型值也僅 7.9mΩ,大幅降低導(dǎo)通損耗,提升電路能源利用效率。
02高電流承載能力
在殼溫 25℃時,持續(xù)漏極電流可達(dá) 73A,殼溫升至 100℃仍保持 46A 的額定值,脈沖漏極電流更是高達(dá) 292A,能適配大電流功率控制場景,滿足高負(fù)載工作需求。
03優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)與可靠性
具備出色的 FoM,且經(jīng)過 100%ΔVDS、非鉗位感性開關(guān)(UIS)及柵極電阻(Rg)測試,單脈沖雪崩能量 250mJ、單脈沖雪崩電流 31A,抗沖擊能力強(qiáng),工作穩(wěn)定性佳。
04高頻開關(guān)特性出色
柵極電荷特性優(yōu)異,VGS=10V 時總柵極電荷 Qg 僅 27nC,低柵壓 4.5V 時 Qg 為 13.2nC;開關(guān)延遲時間短,開通延遲 4.6ns、關(guān)斷延遲 23ns,上升時間 10ns、下降時間 21ns,配合低輸入 / 輸出電容特性,完美適配高頻開關(guān)應(yīng)用。
05寬溫工作范圍
結(jié)溫和存儲溫度范圍覆蓋 - 55℃~+150℃,能在高低溫極端環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)工業(yè)設(shè)備、戶外通信裝置等復(fù)雜的工作環(huán)境。
關(guān)鍵電氣與熱學(xué)參數(shù)
極限額定參數(shù)(Tc=25℃,除非另有說明)
漏源電壓 VDS:100V
柵源電壓 VGS:±20V
功率耗散(Tc=25℃/100℃):74W/29W
體二極管正向電流(Tc=25℃):73A
核心熱學(xué)特性
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA:典型 30℃/W,最大 38℃/W
結(jié)到外殼熱阻 RθJC:典型 1.3℃/W,最大 1.7℃/W優(yōu)異的熱傳導(dǎo)特性有效降低器件溫升,保障長期工作的可靠性。
封裝與機(jī)械特性
SMT10T07ALU 采用 TO252-3L 貼片封裝,引腳配置為頂部視圖 D(漏極)、G(柵極)、S(源極),封裝使用綠色模塑化合物,符合 UL94V-0 阻燃等級,防潮敏感度為 J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn) 3 級。封裝尺寸標(biāo)準(zhǔn)化,適配常規(guī)貼片焊接工藝,推薦焊接焊盤尺寸經(jīng)過優(yōu)化,可提升焊接可靠性與散熱效果,卷盤包裝為 13 英寸載帶卷盤,每盤 2500pcs,滿足批量生產(chǎn)需求。
應(yīng)用領(lǐng)域
依托優(yōu)秀的電氣性能,SMT10T07ALU 可廣泛應(yīng)用于各類功率電子電路,核心應(yīng)用包括:
電機(jī)控制電路,為各類直流、交流電機(jī)提供精準(zhǔn)高效的功率驅(qū)動;
通信及工業(yè)領(lǐng)域的 DC/DC 變換器,實現(xiàn)電壓的高效轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定輸出;
高頻開關(guān)電源,利用高頻開關(guān)特性提升電源轉(zhuǎn)換效率與小型化程度;
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MOSFET
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原文標(biāo)題:100V N溝道功率 MOSFET-SMT10T07ALU簡介
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